EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿(mǎn)足客戶(hù)對更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調節線(xiàn)性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于A(yíng)C
- 關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM
“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導體時(shí)代“
- 隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)，大數據和人工智能驅動(dòng)的新計算時(shí)代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長(cháng)，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開(kāi)始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環(huán)節的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導體時(shí)代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質(zhì)半導體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應用，展現出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
- 關(guān)鍵字： 碳化硅，半導體
減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節能SiC-MOSFET
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類(lèi)型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車(chē)充電站中的節能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著(zhù)降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
- 關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS
模塊化參考設計幫助用戶(hù)為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時(shí)間、節省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車(chē)應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶(hù)加快電動(dòng)滑板車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)、UPS和儲能系統的開(kāi)發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車(chē)、機器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動(dòng)器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝與MikroElektronika展開(kāi)合作，為電機驅動(dòng)IC開(kāi)發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動(dòng)IC的Click boards?開(kāi)發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開(kāi)發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻?hù)現在可通過(guò)由Mikroe制造和銷(xiāo)售的評估板Click boards?對東芝電機驅動(dòng)IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機驅動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無(wú)刷電機和步進(jìn)電機，東芝提供豐富的電機驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車(chē)創(chuàng )造新里程碑
- 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車(chē)送上了太空，展開(kāi)火星探測之旅。這輛探測車(chē)預計將于 2021 年 2 月在火星著(zhù)陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車(chē)提供了數千個(gè)經(jīng)過(guò)抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車(chē)。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會(huì )選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于A(yíng)M頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅動(dòng)配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動(dòng)GaN器件可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓撲。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現此類(lèi)拓撲。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽(yáng)能光伏逆變器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽(yáng)能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現太陽(yáng)能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關(guān)帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473