Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車(chē)級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過(guò)AEC-Q101認證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET^? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車(chē)應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線(xiàn)結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK^? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車(chē)級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52 nC，減少柵極驅動(dòng)損耗，柵極電荷與導通電阻乘積，即用于功率轉換應用的MOSFET優(yōu)值系數（FOM）達到業(yè)界出色水平。

器件可在+175 °C高溫下工作，滿(mǎn)足反向極性保護、電池管理、高邊負載開(kāi)關(guān)和LED照明等汽車(chē)應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線(xiàn)結構還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測（AOI）功能，消除機械應力，提高板級可靠性。

器件80 V額定電壓滿(mǎn)足12 V、24 V和48 V系統多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數量，節省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)設計，無(wú)需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無(wú)鉛（Pb）封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試。

SQJA81EP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為14周。