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英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品
- 英飛凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴展其TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續流二極管，以滿(mǎn)足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(cháng)的需求。TRENCHSTOP? IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統應用。在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP? IGBT7
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT7
功率半導體－馬達變頻器內的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長(cháng)一倍。隨著(zhù)對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來(lái)提升驅動(dòng)馬達用電效率的需求將會(huì )越來(lái)越顯著(zhù)。
- 關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
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