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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
寬禁帶生態(tài)系統：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
東芝面向車(chē)載應用推出恒流2相步進(jìn)電機驅動(dòng)IC
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，面向車(chē)載應用推出恒流2相步進(jìn)電機驅動(dòng)IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無(wú)需功能先進(jìn)的MCU或專(zhuān)用軟件。TB9120AFTG的開(kāi)發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車(chē)載步進(jìn)電機驅動(dòng)IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實(shí)現的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
- 關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET
InnoSwitch3-AQ已通過(guò)Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),這是一款已通過(guò)AEC-Q100認證的反激式開(kāi)關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動(dòng)汽車(chē)應用,如牽引逆變器、OBC(車(chē)載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線(xiàn)變換器)和BMS(電池管理系統)。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
- 關(guān)鍵字： OBC BMS EMS MOSFET IC
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門(mén)。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
高可靠性、節省空間的降壓/反激式開(kāi)關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車(chē)應用
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過(guò)AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開(kāi)關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車(chē)級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線(xiàn)的電動(dòng)汽車(chē)子系統提供簡(jiǎn)單可靠的電源，這些子系統包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車(chē)載充電機系統。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅動(dòng)器
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動(dòng)器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡(jiǎn)化電源和電機驅動(dòng)器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類(lèi)音頻放大器、太陽(yáng)能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶(hù)外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機驅動(dòng)器供電。HIP221x驅動(dòng)器專(zhuān)為嚴苛工作條件下的
- 關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM
臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室
- 中國新能源汽車(chē)電驅動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臻驅科技”）與全球知名半導體廠(chǎng)商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開(kāi)關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著(zhù)降低損耗的半導體，在電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來(lái)，臻驅科技和羅姆就采
- 關(guān)鍵字： MOSEFT SiC
新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導通電阻SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車(chē)載動(dòng)力總成系統和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來(lái)說(shuō)，當導通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì )縮短，兩者之間存在著(zhù)矛盾權衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰。此次開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
- 關(guān)鍵字： EV OBC MOSFET
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車(chē)電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應商,并就電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開(kāi)發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過(guò)使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車(chē)用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車(chē)電池的電能。這將非常有助于延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執行副總裁
- 關(guān)鍵字： SiC 電氣
東芝面向汽車(chē)ECU推出MOSFET柵極驅動(dòng)器開(kāi)關(guān)IPD
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅動(dòng)器開(kāi)關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線(xiàn)盒和車(chē)身控制模塊等車(chē)載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開(kāi)始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車(chē)級低導通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側開(kāi)關(guān)。作為一種電子開(kāi)關(guān)，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車(chē)載ECU的尺寸并降低功耗，同時(shí)還提供免維護功能。通過(guò)提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內置診斷功能）以支持車(chē)載ECU所需的高可
- 關(guān)鍵字： 柵極驅動(dòng)器 MOSFET IPD ECU
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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