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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
- STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅動(dòng)電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿(mǎn)足SiC MOSFET開(kāi)關(guān)管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動(dòng)電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過(guò)多的耗散功率。這款驅動(dòng)器有雙兩個(gè)輸入引腳，讓設計人員可以定義柵極驅動(dòng)信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動(dòng)輸出之間設計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動(dòng)能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅動(dòng)裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機
- 關(guān)鍵字： MOSFET UVLO
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售，支持高密度電源轉換設計
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
智能IGBT門(mén)驅動(dòng)耦合器接口A(yíng)CPL-339J
- 簡(jiǎn)介ACPL-339J是一種先進(jìn)的智能IGBT門(mén)驅動(dòng)耦合器接口，支持1.0A雙輸出，易于使用。ACPL-339J 經(jīng)獨特設計支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器，使得系統設計師能夠更加輕松地通過(guò)互換MOSFET緩沖器和功率IGB
- 關(guān)鍵字： IGBT 門(mén)驅動(dòng) 耦合器接口 欠壓鎖定 UVLO
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