碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗成功

近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統）微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì )專(zhuān)家學(xué)者認為，第三代半導體未來(lái)應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國際廠(chǎng)商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導體行業(yè)宏觀(guān)政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
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SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應用中優(yōu)勢顯著(zhù)

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動(dòng)等電路設計。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì )到因成功反而受其害的含義。隨著(zhù)產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開(kāi)關(guān)的應用范圍越來(lái)越廣。結果，市場(chǎng)對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠(chǎng)商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
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減慢開(kāi)關(guān)轉換時(shí)要謹慎

開(kāi)關(guān)調節器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著(zhù)降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調節器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉換也會(huì )帶來(lái)一些負面影響。開(kāi)關(guān)轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì )急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng )新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開(kāi)關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉換，在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè )園

近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區域營(yíng)銷(xiāo)和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線(xiàn)寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠(chǎng)商如何應對工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰工業(yè)領(lǐng)域呈現多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費類(lèi)電子大規模生產(chǎn)的模式，實(shí)現少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰是應用的多樣化，即一個(gè)大應用下面通常有很多小的子應用，所以產(chǎn)品會(huì )非標準化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對某一類(lèi)小應用/小客戶(hù)的需
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話(huà)第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、坪山區人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng )新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì )，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國產(chǎn)半導體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車(chē)用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車(chē)用規范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車(chē)應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標
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更高效的半導體材料——碳化硅

在功率電子學(xué)中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì )高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長(cháng)，風(fēng)能和太陽(yáng)能等可持續能源供應變得越來(lái)越重要。然而，電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此，高效的配電和運輸系統與將產(chǎn)生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開(kāi)支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場(chǎng)效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術(shù)。然而，在硅上使
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科銳宣布與德?tīng)柛？萍奸_(kāi)展汽車(chē)SiC器件合作

近日，科銳宣布與德?tīng)柛？萍迹―elphi Technologies PLC）開(kāi)展汽車(chē)碳化硅（SiC）器件合作。
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安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng )新”顯示旺盛活力

1999年從摩托羅拉半導體部剝離時(shí)，安森美只是一家年營(yíng)業(yè)額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營(yíng)收近60億美元，轉型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng )新的半導體方案供應商。過(guò)去的20年，是半導體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒(méi)了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩定的市場(chǎng)。安森美的成功經(jīng)驗是什么？如今的特色和對未來(lái)的觀(guān)察是什么？近日，安森美半導體戰略、營(yíng)銷(xiāo)及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷(xiāo)售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪(fǎng)。1 靠創(chuàng )新
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SiC: 為何被稱(chēng)為是新一代功率半導體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠(chǎng)商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用?！　〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
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華為出手第三代半導體材料性能實(shí)現千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器

中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線(xiàn)電源兼備寬壓輸入與設計簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無(wú)需傳統垂直堆疊FET和相關(guān)無(wú)源元件，即可實(shí)現類(lèi)似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個(gè)用于過(guò)溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見(jiàn)開(kāi)關(guān)式電源拓撲，包括原邊或副
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SiC將達23億美元規模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠(chǎng)商競爭
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