碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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Nexperia首創(chuàng )交互式數據手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過(guò)操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶(hù)可以手動(dòng)調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀(guān)察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應這些變化。這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶(hù)界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？

隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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MOSFET電路不可不知

MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實(shí)現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線(xiàn)性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線(xiàn)性化的基礎上推導出來(lái)。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個(gè)工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí)，器件處于截止區。當MOSFET用作
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SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
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基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)

4月24日，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)儀式在深圳市光明區舉行。此次車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)的成功通線(xiàn)，是基本半導體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠(chǎng)區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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德國博世收購美國TSI，全球半導體領(lǐng)域再添并購案

據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門(mén)的批準。資料顯示，TSI是專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 的代工廠(chǎng)。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應用。而博世在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠(chǎng)。博世認為，此次收購
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(cháng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國產(chǎn)設備廠(chǎng)商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續創(chuàng )新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)

在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
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SiC并購戰：誰(shuí)是頂級收購者？

第三代半導體「愈演愈烈」。
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三次油電平價(jià) 促成中國電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

大家應該還記得，當遭受?chē)a退坡重創(chuàng )的電動(dòng)汽車(chē)于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開(kāi)始走出國補退坡的陰影時(shí)，市面上開(kāi)始出現了一些在性能上追平甚至超越傳統燃油車(chē)的電動(dòng)汽車(chē)，當時(shí)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)呈現出來(lái)的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車(chē)型和30萬(wàn)以上的高端車(chē)型（包括部分B級車(chē)和C級車(chē)）賣(mài)得很好，但在10-30萬(wàn)的主流區間，電動(dòng)車(chē)企的表現一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國內乘用車(chē)分級別電動(dòng)化率走勢圖上一展無(wú)遺，歷時(shí)五年的時(shí)間，A00車(chē)已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來(lái)，市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻，正如歐
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特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

被稱(chēng)為“未來(lái)十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著(zhù)華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來(lái)使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì )，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網(wǎng)絡(luò )解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動(dòng)，以及A級純電車(chē)型動(dòng)力總成解決方案，目標是不斷提升整車(chē)度電里程和升油里程
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動(dòng)全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來(lái)，全球電力需求量持續增長(cháng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設備的工作
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特斯拉降低造車(chē)成本，國內新能源車(chē)企如何實(shí)現“價(jià)格戰”突圍？

在國內新能源車(chē)市場(chǎng)，特斯拉稱(chēng)得上是最大的“鯰魚(yú)”，一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日，“鯰魚(yú)”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開(kāi)了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車(chē)中占據著(zhù)重要位置，相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車(chē)的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現180度大反轉，背后的真實(shí)意圖是什么？將會(huì )對國內新能
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