Nexperia首創(chuàng )交互式數據手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過(guò)操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶(hù)可以手動(dòng)調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀(guān)察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應這些變化。 

這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶(hù)界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、R_DS(on)和溫度等參數之間的相互作用。然后將以表格或圖形的形式動(dòng)態(tài)顯示這些參數對器件行為的綜合影響。因此，Nexperia的交互式數據手冊可以減少工程師執行手動(dòng)計算或設置和調試電路仿真所需的時(shí)間，從而顯著(zhù)提高生產(chǎn)力。 

當設計工程師想要為某個(gè)應用選擇器件時(shí)，他們首先會(huì )想到查閱數據手冊。然而，數據手冊中包含了大量信息，包括數十個(gè)器件參數的最小、最大和典型規格，通常難以確定這些參數之間的關(guān)系。因此，工程師必須進(jìn)行耗時(shí)的手動(dòng)計算或使用制造商提供的模型（假設這些模型可用）建立電路仿真器，以全面了解器件行為。即便如此，許多制造商的仿真模型也不會(huì )顯示溫度變化對器件行為的影響。在Nexperia推出的新型交互式數據手冊中，通過(guò)簡(jiǎn)單易用的數據手冊滑塊，工程師可以手動(dòng)更改參數來(lái)顯示不同參數的實(shí)時(shí)交互。 

Nexperia功率MOSFET業(yè)務(wù)部高級總監Chris Boyce表示：“我們新推出的交互式數據手冊適用范圍非常廣，無(wú)論是希望了解器件高溫性能的設計工程師，還是想要在不同的測試條件下對器件進(jìn)行比較的元件工程師，都能幫助他們更輕松地完成工作?！?/span> 

這些數據手冊的技術(shù)原理與Nexperia獲得巨大成功的精密電熱MOSFET模型中使用的技術(shù)相同，可以充分展示分立MOSFET的行為如何隨溫度變化。新型交互式數據手冊除了具備傳統靜態(tài)數據手冊功能，還可在任何標準網(wǎng)頁(yè)瀏覽器中運行，不需要額外的器件仿真軟件。 

目前，交互式數據手冊初始版本正在申請專(zhuān)利，Nexperia將聯(lián)系全球客戶(hù)工程師社區，評估交互式數據手冊的實(shí)時(shí)使用情況，以擴展未來(lái)版本的功能。 

目前已有200多個(gè)交互式數據手冊，涵蓋了Nexperia最新一代汽車(chē)和工業(yè)功率MOSFET中的器件。Nexperia計劃將陸續推出完整的分立MOSFET產(chǎn)品組合和其他器件的交互式數據手冊。