碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設計入門(mén)

簡(jiǎn)介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來(lái)說(shuō)，必須大致了解適用于功率半導體開(kāi)關(guān)器件的半導體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無(wú)窮大，導通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來(lái)看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
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采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長(cháng)約

據外媒報道，知名汽車(chē)電子廠(chǎng)商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數量達數百萬(wàn)的SiC模塊。報道稱(chēng)，到2030年，采埃孚在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的訂單總額預計將超過(guò)300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長(cháng)的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商?！霸? 意法半導體，我們現在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質(zhì)量和所需數量生產(chǎn)模塊?！币夥ò雽w汽車(chē)和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(cháng)約，全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(cháng)

據外媒報道，近日，德國汽車(chē)Tier-1廠(chǎng)商采埃孚（ZF）和功率半導體廠(chǎng)商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱(chēng)，雙方簽訂了車(chē)用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數千萬(wàn)顆第三代SiC MOSFET器件，滿(mǎn)足汽車(chē)逆變器對車(chē)規級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過(guò)300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個(gè)汽車(chē)逆變器訂單來(lái)自歐洲一家車(chē)企，該車(chē)企計劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

近期，媒體報道進(jìn)化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進(jìn)化半導體是以國際首創(chuàng )無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng )立于2021年5月，專(zhuān)注于以創(chuàng )新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。為滿(mǎn)足日益增長(cháng)的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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汽車(chē)結構性缺芯國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車(chē)”

4月7日，中國汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟功率半導體分會(huì )在長(cháng)沙成立，將加快汽車(chē)功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì )暨汽車(chē)功率芯片發(fā)展研討會(huì )期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車(chē)結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來(lái)機會(huì )，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車(chē)”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車(chē)主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車(chē)”?！　∑?chē)結構性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來(lái)機會(huì )　　有行業(yè)專(zhuān)家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車(chē)如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車(chē)研發(fā)總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時(shí)維持低導
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貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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同時(shí)實(shí)現業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動(dòng)中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來(lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著(zhù)重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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功率半導體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單

今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來(lái)自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開(kāi)關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領(lǐng)導地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現實(shí)，但要將數以百億計的設備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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SiC功率半導體市場(chǎng)分析；廠(chǎng)商談IGBT大缺貨

根據TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場(chǎng)分析報告-Part1》分析，隨著(zhù)Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模預估2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模達82
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正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率

優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來(lái)說(shuō)是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
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GaN 出擊

自上世紀五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著(zhù)時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
關(guān)鍵字： GaN SiC