碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現象下半年將持續

2023 年，半導體和電子元件價(jià)格正在穩定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
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碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！

一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著(zhù)高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著(zhù)這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團的下一代電動(dòng)汽車(chē)中

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團（BMW）簽署長(cháng)期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車(chē)制造商的400?V直流母線(xiàn)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰略合作針對電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統的開(kāi)發(fā)和整合，使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機械特性實(shí)現高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區，這導致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無(wú)論電路板是
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特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應聲下跌

3 月 3 日消息，美國電動(dòng)汽車(chē)制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計劃減少下一代電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統中碳化硅晶體管的使用量，當地時(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統工程負責人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉化效率的同時(shí)降低汽車(chē)動(dòng)力系統的成本?？藏悹柾嘎?，“在我們的下一代動(dòng)力系統中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車(chē)性能或效率的情況下
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銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺表示，功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開(kāi)發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線(xiàn)改擴建時(shí)將進(jìn)行成果轉化。
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現高能效電力電子產(chǎn)品！

當您設計新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng )建基于 SiC 半導體的開(kāi)關(guān)電源，其應用領(lǐng)域包括光伏系統、儲能系統、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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碳化硅如何革新電氣化趨勢

在相當長(cháng)的一段時(shí)間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴(lài)。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會(huì )發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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英飛凌與Resonac擴大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

日前，英飛凌科技繼續擴大了與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進(jìn)一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(cháng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC材料，協(xié)議后期則會(huì )助力英飛凌向8英寸晶圓的過(guò)渡。合作過(guò)
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英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進(jìn)一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(cháng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運和安裝該系統，將會(huì )非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統效率
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功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統選型避坑指南

_____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統應用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節都扮演著(zhù)非常重要的角色。故對功率器件動(dòng)態(tài)參數進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進(jìn)行?！卑凑毡粶y器件的封裝類(lèi)型，功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類(lèi)。長(cháng)期以來(lái)，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場(chǎng)份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著(zhù)我國功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程加快，功率器件廠(chǎng)商和系統應用企業(yè)也越來(lái)越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來(lái)越多
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功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎認識

高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素：1）開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區（放大區）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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