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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
高壓SiC MOSFET研究現狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究?jì)r(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET,支持車(chē)載設備對更大電流的需求
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。近年來(lái)，隨著(zhù)社會(huì )對電動(dòng)汽車(chē)需求的增長(cháng)，產(chǎn)業(yè)對能滿(mǎn)足車(chē)載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內部接線(xiàn)柱[1]結構，通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
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Wolfspeed與采埃孚建立戰略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來(lái)碳化硅半導體項目
- ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯(lián)合研發(fā)中心，旨在進(jìn)一步提升在全球碳化硅系統和器件創(chuàng )新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進(jìn)、最大的碳化硅器件工廠(chǎng)的建設。全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng )新實(shí)驗室，共同推動(dòng)碳化硅系統和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應用領(lǐng)域的進(jìn)步。此次合作還包括采埃孚將向
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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟
- 功率半導體器件，也稱(chēng)為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車(chē)是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車(chē)為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動(dòng)汽車(chē)）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據每個(gè)細分領(lǐng)域性能要求
- 關(guān)鍵字： 功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代
Wolfspeed 宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的碳化硅器件制造工廠(chǎng)
- ?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠(chǎng)，采用創(chuàng )新性制造工藝來(lái)生產(chǎn)下一代碳化硅器件?！??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局，將支持不斷加速中的客戶(hù)需求，同時(shí)也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長(cháng)期營(yíng)收展望?！??????? 將成為公司先前宣布的 6
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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車(chē)型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車(chē)廠(chǎng)商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車(chē)，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個(gè)新能源汽車(chē)行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區別？未來(lái)發(fā)展面臨著(zhù)哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字： 特斯拉 Model 3 SiC
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車(chē)級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車(chē)載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱(chēng)其第4代產(chǎn)品“通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著(zhù)降低寄生電容使得開(kāi)關(guān)損耗比我們的上一代碳
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Vishay推出的新款對稱(chēng)雙通道MOSFET 可大幅節省系統面積并簡(jiǎn)化設計
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
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瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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安森美與大眾汽車(chē)集團就下一代電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車(chē)集團 (VW)簽署戰略協(xié)議，為大眾汽車(chē)集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實(shí)現完整的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車(chē)型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
- 關(guān)鍵字： 安森美 大眾汽車(chē)集團 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 SiC
重視汽車(chē)應用市場(chǎng) ST持續加速碳化硅擴產(chǎn)
- 意法半導體（ST）是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導體公司，尤其汽車(chē)更是ST非常重視的市場(chǎng)之一。 意法半導體車(chē)用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負責人Luca SARICA指出，2022年車(chē)用和離散組件產(chǎn)品部（ADG）占了ST總營(yíng)收的30%以上。ST在2021年的營(yíng)收達到43.5億美元，而若與2022年相比，車(chē)用產(chǎn)品部門(mén)與功率和離散組件部門(mén)的營(yíng)收增幅都相當顯著(zhù)，達30%以上。車(chē)用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導體大部分的車(chē)用產(chǎn)品，非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車(chē)的所有應用。 圖一 : ADG營(yíng)運策略ADG
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē) ST 碳化硅
英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開(kāi)多年期供應及合作協(xié)議
- 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協(xié)議，以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長(cháng)期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來(lái)10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過(guò)渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
- SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開(kāi)關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線(xiàn)電感影響變得無(wú)法忽視，導致漏極源極之間會(huì )有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過(guò)使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效
- 2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(huì )(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻
- PC、消費性市況在2022年第四季需求持續疲弱，且今年第一季客戶(hù)端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠(chǎng)營(yíng)運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場(chǎng)庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶(hù)端重復下單情況在2
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碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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