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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
- 碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統成本與提升效率的SiC技術(shù)當前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運作時(shí)的溫度較低，及較小的
- 關(guān)鍵字： 艾睿電子 碳化硅
國內8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展
- 近年來(lái)，汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電應用及儲能系統等領(lǐng)域對碳化硅半導體產(chǎn)品需求不斷增長(cháng)，并推動(dòng)新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠(chǎng)商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實(shí)現小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實(shí)現8英寸襯底產(chǎn)品的小規模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導體大廠(chǎng)英飛凌簽訂碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來(lái)了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來(lái)放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應用范圍相關(guān)。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來(lái)替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字： 202306 SiC
Nexperia擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長(cháng)期以來(lái)，品質(zhì)因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數導致產(chǎn)生了意外后果
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(cháng)期供貨合作協(xié)議
- SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長(cháng)期供貨合作協(xié)議。根據該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過(guò)1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車(chē)電力電子技術(shù)開(kāi)發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作，開(kāi)展了適用于電動(dòng)汽車(chē)的SiC功率元器件和采用SiC芯
- 關(guān)鍵字： 羅姆 緯湃 SiC
為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進(jìn)的器件結構與創(chuàng )新工藝技術(shù)結合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
- 關(guān)鍵字： SiC 肖特基二極管
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車(chē)、渦輪機、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車(chē)、渦輪機、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物
- 關(guān)鍵字： SiC
采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點(diǎn)
- 近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多個(gè)標準法規已經(jīng)或即將強制規
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著(zhù)氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體（S）的場(chǎng)效應晶體管。功率場(chǎng)效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場(chǎng)效應晶體管一般稱(chēng)作靜電感應晶體管（Sta
- 關(guān)鍵字： MOSFET
意法半導體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠(chǎng)
- ·? ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠(chǎng)，進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規模量產(chǎn)·? ?該合資廠(chǎng)將有助于滿(mǎn)足中國汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應用對意法半導體 SiC器件日益增長(cháng)的需求·? ?三安光電還將單獨建造一個(gè)8英寸 SiC襯底制造廠(chǎng)，以滿(mǎn)足該合資廠(chǎng)的襯底需求?2023年6月7日，中國 -- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：ST
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 三安光電 碳化硅
用于車(chē)載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長(cháng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著(zhù)。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓撲，因為它有著(zhù)卓越的開(kāi)關(guān)性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
- 關(guān)鍵字： 安森美 車(chē)載充電器 MOSFET
中國小型 SiC 廠(chǎng)商，難過(guò) 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車(chē)中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車(chē)公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開(kāi)關(guān)損耗降低了 75％。換算下來(lái)，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統效率可以提高 5％左右。一場(chǎng)特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過(guò)去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動(dòng)車(chē)傳動(dòng)系統 SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng )新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統減少使用 S
- 關(guān)鍵字： SiC
第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC GaN
如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
- 牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車(chē)安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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