碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線(xiàn)。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì )干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。關(guān)于IGBT使用溝槽柵的原因及特點(diǎn)，可以參考下面兩篇文章：● 英飛凌芯片簡(jiǎn)史● &n
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護時(shí)間

在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠(chǎng)環(huán)境中運行的執行器中使用的高邊開(kāi)關(guān)電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見(jiàn)故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發(fā)生這些情況時(shí)采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個(gè)820
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簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
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簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設計

電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來(lái)了兩種后果：?? 每個(gè)電流
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小而薄的MOSFET柵極驅動(dòng)IC更適合小型化應用

電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開(kāi)關(guān)，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現斷電控制。負載開(kāi)關(guān)的作用是開(kāi)啟和關(guān)閉電源軌，大部分負載開(kāi)關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過(guò)ON引腳使能器件時(shí)，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線(xiàn)路推出的MOSFET柵極驅動(dòng)IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開(kāi)關(guān)，它是TCK42xG系列中的首款產(chǎn)品。該系列器件專(zhuān)門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車(chē)款將采用，預計在動(dòng)力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
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轉型中的安森美:整合提升智能水平,打造價(jià)值導向解決方案

安森美在過(guò)去的兩年間通過(guò)成功的轉型之旅，實(shí)現了業(yè)績(jì)和利潤的雙豐收。在轉型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調整呢？帶著(zhù)這些問(wèn)題本刊記者采訪(fǎng)了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng )新支持和打造可持續發(fā)展的生態(tài)系統，這是驅動(dòng)安森美投資的主要動(dòng)力，也是企業(yè)職責所在。
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一文讀懂功率半導體

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會(huì )用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(chē)

近日消息，從東風(fēng)汽車(chē)官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車(chē)，實(shí)現量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節同樣有著(zhù)非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著(zhù)更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車(chē)電氣架構從400V到800V的迭代，從而實(shí)現10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車(chē)輛續航里程，降低整車(chē)成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線(xiàn)：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動(dòng)選型及供電設計要點(diǎn)

新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場(chǎng)景高頻驅動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動(dòng)芯片方案。最后，本文根
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純電動(dòng)捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來(lái)納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車(chē)隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車(chē)專(zhuān)為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著(zhù) Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車(chē)新時(shí)代。
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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過(guò) 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實(shí)現快速開(kāi)關(guān)的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實(shí)施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
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專(zhuān)為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝

近年來(lái)，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無(wú)引腳封裝，以及內部硅技術(shù)的顯著(zhù)改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿(mǎn)足工業(yè)市場(chǎng)新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場(chǎng)英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
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