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工藝 文章 進(jìn)入工藝技術(shù)社區
Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)
- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠(chǎng)進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節點(diǎn)的一些額外細節。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點(diǎn)針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠(chǎng)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
- 關(guān)鍵字： Intel 3 3nm 工藝
谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為T(mén)ensor G5，選擇3nm工藝制造
- 此前有報道稱(chēng)，明年谷歌可能會(huì )改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠(chǎng)，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線(xiàn)。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發(fā)中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經(jīng)開(kāi)始與臺積電展開(kāi)合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線(xiàn)生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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全新芯片技術(shù)亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍
- IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過(guò)軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng )始人兼首席執行官 Timo Valtonen 認為這項技術(shù)有著(zhù)廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環(huán)節。它無(wú)法勝任自己的任務(wù)，這一點(diǎn)需要改變?！痹撔酒夹g(shù)涉及一個(gè)配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實(shí)時(shí)優(yōu)化處理任務(wù)
- 關(guān)鍵字： CPU 工藝 荷蘭
新型存儲技術(shù)迎制程突破
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開(kāi)發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時(shí)寫(xiě)入速度是NAND的1000倍數?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來(lái)前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車(chē)領(lǐng)域的應用。三
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臺積電準備推出基于12和5nm工藝節點(diǎn)的下一代HBM4基礎芯片
- 在 HBM4 內存帶來(lái)的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著(zhù)第四代內存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會(huì )像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進(jìn)的封裝方法，以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì )演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來(lái)完成這項任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據有
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14，或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走，很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現，這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息，根據產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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英特爾重塑代工業(yè)務(wù)：按期推進(jìn) 4 年 5 個(gè)節點(diǎn)計劃、公布 Intel 14A 路線(xiàn)圖、2030 要成第二大代工廠(chǎng)
- IT之家 2 月 22 日消息，英特爾于北京時(shí)間今天凌晨 0 點(diǎn) 30 分舉辦了 IFS Direct Connect 2024，在宣布 IFS 更名為 Intel Foundry 之外，還公布了未來(lái)十年的工藝路線(xiàn)圖，尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工藝。英特爾在本次活動(dòng)中宣布了大量的動(dòng)態(tài)信息，IT之家梳理匯總如下：圖源：IntelIFS 更名為 Intel Foundry英特爾首席執行官帕特?基辛格（Pat Gelsinger）在本次活動(dòng)中，宣布 Intel Foundry S
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?2023年中國半導體行業(yè)格局：突破、挑戰和全球影響，行業(yè)邁向2024年
- 2023年，隨著(zhù)美國技術(shù)制裁的升級，中國半導體行業(yè)面臨著(zhù)嚴峻的挑戰，美國對先進(jìn)芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴格。10月，美國擴大了對半導體晶圓制造設備的出口管制，從戰略上限制了中國對較不先進(jìn)的英偉達數據中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術(shù)進(jìn)步的更廣泛努力的一部分，成功說(shuō)服日本和荷蘭加入限制先進(jìn)半導體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應鏈的脆弱性，促使中國加大力度實(shí)現半導體自給自足。國家資金支持國內生產(chǎn)較不先進(jìn)的工具和零件的舉措，取得了顯著(zhù)進(jìn)展。然而，在開(kāi)發(fā)對先進(jìn)集成電路至關(guān)重要的高端光刻系統
- 關(guān)鍵字： 中國 半導體 工藝
蘋(píng)果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能
- 10月31日消息，蘋(píng)果舉行新品發(fā)布會(huì )，線(xiàn)上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋(píng)果還帶來(lái)了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋(píng)果首次將Pro與Max首次與基礎款同時(shí)公布，蘋(píng)果官方在發(fā)布會(huì )中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著(zhù)比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統一內存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統一內存，速度最高比
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“薄膜生長(cháng)”國產(chǎn)實(shí)驗裝置在武漢驗收
- 據武漢市科技局官微消息，日前，半導體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設備——“薄膜生長(cháng)”實(shí)驗裝置在武漢通過(guò)驗收，這項原創(chuàng )性突破可提升半導體芯片質(zhì)量。據悉，半導體薄膜生長(cháng)是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長(cháng)”國產(chǎn)實(shí)驗裝置，由武漢大學(xué)劉勝教授牽頭，聯(lián)合華中科技大學(xué)、清華大學(xué)天津高端裝備研究院、華南理工大學(xué)、中國科學(xué)院半導體研究所、中國科學(xué)院微電子研究所等多家單位，歷時(shí)5年完成。這套“薄膜生長(cháng)”國產(chǎn)實(shí)驗裝置由“進(jìn)樣腔”、“高真空環(huán)形機械手傳樣腔”等多個(gè)腔體和“超快飛秒雙模成像系統”、“超快電子成像系統”等多個(gè)
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三星和臺積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎
- 目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節點(diǎn)上實(shí)現了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動(dòng)3nm工藝的大規模生產(chǎn)，蘋(píng)果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應用了該工藝。據ChosunBiz報道，雖然三星和臺積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過(guò)兩者都遇到了良品率方面的問(wèn)題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù)，無(wú)論如何取舍和選
- 關(guān)鍵字： 三星 臺積電 工藝 3nm
蘋(píng)果英特爾削減訂單 臺積電3nm工藝生產(chǎn)計劃將受到影響
- 據外媒報道，蘋(píng)果已經(jīng)預訂了臺積電3nm制程工藝今年的全部產(chǎn)能，用于代工iPhone 15 Pro系列搭載的A17仿生芯片和新款13英寸MacBook Pro等將搭載的M3芯片。1據悉，最初臺積電分配了約10%的3nm產(chǎn)線(xiàn)來(lái)完成英特爾芯片的訂單。然而由于設計延遲，英特爾決定推遲其計劃外包給臺積電的下一代中央處理器（CPU）的量產(chǎn)，這導致臺積電3nm制程工藝最初的生產(chǎn)計劃被打亂。與此同時(shí)，最新消息稱(chēng)已預訂了臺積電3nm制程工藝今年全部產(chǎn)能的蘋(píng)果，也削減了訂單，所以臺積電3nm制程工藝在四季度的產(chǎn)量預計將由此前
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對工藝的理解，并與今后在此搜索工藝的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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