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研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機器視覺(jué)應用智能升級

  • 研華發(fā)布核心模塊ROM-6881,采用SGeT協(xié)會(huì )SMARC2.1標準,集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J,具備強大的計算性能,高AI算力,滿(mǎn)足多媒體處理需求。憑借低功耗,豐富的IO接口設計,ROM-6881實(shí)現高性?xún)r(jià)比、工規可靠、10年生命周期支持,助力機器人,醫療,能源行業(yè)打造更快速,更高效的智能邊緣AI方案。
  • 關(guān)鍵字: 研華  RK3588  SMARC 2.1  ROM-6881  機器視覺(jué)  

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息,三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申,其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利,預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外,三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新,積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù),實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認,其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩定領(lǐng)先

  • 這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現在又重申了這一路線(xiàn),尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝,在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發(fā)布,其中前者首次采用純E核設計,最多288個(gè)。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝

  • 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng),三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項目晶圓)的方式進(jìn)行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元(當前約 52.8 億元人民幣)的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
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臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

  • 幾個(gè)月前,臺積電發(fā)布了 2023 年年報,但顯然,文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前,我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14,或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布,該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代",開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前,臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此,1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走,很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現,這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
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大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

  • 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下詮鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著(zhù)PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布,USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下,傳統的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿(mǎn)足當前的市場(chǎng)需求。設備制造商需要更新他們的
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Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

  • 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設計(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

  • 4月11日消息,根據產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解,臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始,而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
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One UI 6.1 導致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問(wèn)題

  • 4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶(hù)反映,使用指紋識別解鎖手機時(shí),會(huì )出現第一次識別失敗,手指離開(kāi)后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶(hù)表示,每次使用指紋識別解鎖手機時(shí),系統都會(huì )崩潰,需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道,三星韓國社區論壇的一位社區經(jīng)理已經(jīng)確認了該問(wèn)題的存在。他表示:“對于設備使用過(guò)程中出現的不便,我們深表歉意。我們已經(jīng)確認,部分情況下鎖屏的指紋識別功能
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三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊,加速 AI 推理芯片 Mach-2 開(kāi)發(fā)

  • 4 月 1 日消息,三星電子 DS 部門(mén)負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內部正采取雙軌 AI 半導體策略,同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分,三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導 HBM 內存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊,這是其今年建立的第二個(gè) HBM 專(zhuān)門(mén)團隊。三星近期在 HBM 內存上進(jìn)行了大規模的人才投入,旨在贏(yíng)回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內存市場(chǎng)領(lǐng)軍地位:2019 年,三星因對未來(lái)市場(chǎng)的錯誤預測
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三星計劃推出Mach-1:輕量級AI芯片,搭配LPDDR內存

  • 三星電子DS部門(mén)負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會(huì )上宣布,將于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望,能夠在快速增長(cháng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭,比如英偉達。據SeDaily報道,Mach-1屬于A(yíng)SIC設計,被定為為輕量級人工智能芯片,搭配LPDDR內存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能,與現有的設計相比,能顯著(zhù)降低了推理應用的內存帶寬需求,僅為原來(lái)的八分之一,降低了87.5%。三星認為,這一創(chuàng )新設計將使Mach-1在效率和成本效益
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三星計劃今年底明年初推出AI芯片Mach-1

  • 科創(chuàng )板日報援引韓媒消息,三星電子DS(設備解決方案)部門(mén)負責人慶桂顯宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用LPDDR內存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技術(shù)驗證,正處于SoC設計階段。該AI芯片將于今年底完成制造過(guò)程,明年初推出基于其的AI系統。Mach-1芯片基于非傳統結構,可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有AI芯片的1/8。此外,其無(wú)需現在緊俏而昂貴的HBM內存,而是選用了LPDDR內存。
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xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載

  • 3月18日消息,美國當地時(shí)間周日,埃隆·馬斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初創(chuàng )企業(yè)xAI宣布,其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現開(kāi)源,并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶(hù)可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱(chēng),Grok-1是一款基于混合專(zhuān)家系統(Mixture-of-Experts,MoE)技術(shù)構建的大語(yǔ)言模型,擁有3140億參數。近期,公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權重和網(wǎng)絡(luò )架構詳情。該公司表示,Grok-1始終由xAI自行訓練,其預訓練階段于
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貿澤開(kāi)售加快工業(yè)IoT設備開(kāi)發(fā)的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC

  • 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業(yè)標準的高性能系統級模塊?(SoM),與SMARC載板相結合可組成單板計算機,大大加快產(chǎn)品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?應用的
  • 關(guān)鍵字: 貿澤  工業(yè)IoT設備  Boundary  SMARC 2.1  

思特威推出全新5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器SC580XS

  • 2024年1月11日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司(股票簡(jiǎn)稱(chēng):思特威,股票代碼:688213),重磅推出其首顆5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器新品——SC580XS。此款新品是思特威繼成功量產(chǎn)第一顆22nm HKMG Stack工藝的5000萬(wàn)像素1/1.56英寸產(chǎn)品SC550XS之后,在同一工藝平臺打造的升級產(chǎn)品。作為1.22μm像素尺寸圖像傳感器,SC580XS搭載思特威新一代像素技術(shù)SFCPixel?-2以及PixGain HDR?、AllPix ADAF?等多項技術(shù)和工
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