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存儲芯片
存儲芯片 文章 進(jìn)入存儲芯片技術(shù)社區
SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營(yíng)業(yè)利潤同比增長(cháng)158%，為7.44萬(wàn)億韓元（約合52億美元），超過(guò)預期的6.6萬(wàn)億韓元。營(yíng)收同比增長(cháng)42%，達到17.63萬(wàn)億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績(jì)，此前該公司上一季度營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤均創(chuàng )歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長(cháng)。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場(chǎng)36%的份額，而三星是34%。
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HBM4標準正式發(fā)布
- 據報道，當地時(shí)間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )宣布，正式推出HBM4內存規范JESD270-4，該規范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進(jìn)行了改進(jìn)。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個(gè)堆疊的獨立通道數加倍，從16個(gè)通道（
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歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn)：德國鐵電FMC押注新非易失性?xún)却婕夹g(shù)FeRAM
- 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產(chǎn)線(xiàn)。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢(mèng)達德國DRAM 工廠(chǎng)破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)?！?圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-
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存儲芯片，正式漲價(jià)
- 今日，存儲芯片正式開(kāi)始漲價(jià)浪潮。自此，存儲市場(chǎng)長(cháng)達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來(lái)轉折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現也各不相同。NAND，開(kāi)始漲價(jià)打響漲價(jià)第一槍的是 NAND 存儲大廠(chǎng)閃迪，其表示將于4月1日開(kāi)始實(shí)施漲價(jià)，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費類(lèi)產(chǎn)品。緊接著(zhù)美光也告知將針對新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發(fā)布漲價(jià)函，預計此次漲價(jià)幅度將在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調NAND閃存價(jià)格。根
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總投資30.5億元！中微公司在四川成都建研發(fā)基地
- 3月3日消息，據報道，中微公司宣布擬在成都市高新區投資設立全資子公司中微半導體設備（成都）有限公司，建設研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。據披露，中微公司將在2025年至2030年期間投資約30.5億元，用于該公司在成都市高新區建設研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設施，配備先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)和高精度檢測設備，滿(mǎn)足量產(chǎn)需求。此外，該公司將積極推動(dòng)公司上下游供應鏈企業(yè)落戶(hù)成都高新區，推動(dòng)形成半導體高端裝備產(chǎn)業(yè)鏈集群。2月21日，中微公司與成都高新區簽訂合作協(xié)議，將在成都高新區落地研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部
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拆解華為Mate 70 存儲芯片來(lái)自SK海力士
- 華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開(kāi)賣(mài)，研究公司TechInsights拆解后發(fā)現，該款手機采用南韓SK海力士制造內存芯片，主因在于美國禁止對中國大陸出口先進(jìn)芯片制造設備，而大陸制造的內存芯片選擇受限?！赌先A早報》報導，根據TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動(dòng)DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
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存儲芯片市場(chǎng)，風(fēng)口大開(kāi)！
- 當前，半導體已然成為國家科技發(fā)展的關(guān)鍵。尤其是隨著(zhù)國產(chǎn)化浪潮進(jìn)一步推進(jìn)，國內A股市場(chǎng)半導體領(lǐng)域兼并重組案例時(shí)有發(fā)生，跨界并購亦是屢見(jiàn)不鮮。前有TCL、海爾、格力、創(chuàng )維等傳統家電入局造芯，后有百度、阿里、騰訊等互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)跑步進(jìn)場(chǎng)，此外百貨零售企業(yè)友阿股份、醫藥廠(chǎng)商雙成藥業(yè)、工業(yè)殺菌劑原藥劑企業(yè)百傲化學(xué)、房地產(chǎn)商皇庭國際等都也都在籌劃或正在布局半導體領(lǐng)域。近日，半導體領(lǐng)域又見(jiàn)跨界并購，而這次發(fā)起收購的企業(yè)是有“溫州鞋王”之稱(chēng)的浙江奧康鞋業(yè)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“奧康股份”），其瞄準的是存儲芯片領(lǐng)域?！皽刂菪?/li>
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SK 海力士被曝贏(yíng)得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬(wàn)片
- 12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏(yíng)得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱(chēng)，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會(huì )調整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴大到 14~15 萬(wàn)片（IT之家注：?jiǎn)挝皇?300mm 直徑的 12 英寸晶
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達荷州投資 250 億美元用于新工廠(chǎng)，并創(chuàng )造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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存儲芯片行業(yè)多點(diǎn)開(kāi)花，復蘇腳步提速！
- 近日，存儲市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花，喜報頻傳。鎧俠正式開(kāi)啟首次公開(kāi)募股，計劃10月上市；行業(yè)消息顯示西部數據已開(kāi)始剝離NAND和SSD業(yè)務(wù)；SK海力士子公司Solidigm二季度首度實(shí)現盈利，并積極推進(jìn)IPO進(jìn)度；此外據行業(yè)消息，繼臺積電以后，存儲大廠(chǎng)美光計劃買(mǎi)下友達兩座大廠(chǎng)以擴產(chǎn)HBM產(chǎn)能；另外佰維存儲、兆易創(chuàng )新等多家存儲企業(yè)紛紛披露最新財報。01鎧俠正式開(kāi)啟首次公開(kāi)募股，計劃10月上市據日媒報道，得益于人工智能（AI）市場(chǎng)對半導體需求的不斷飆升，日本存儲大廠(chǎng)鎧俠已于8月23日向東京證券交易所提交了上市申請，目標在
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年中已過(guò)，存儲芯片Q3漲勢如何？
- 在這半年的時(shí)間里，存儲芯片市場(chǎng)經(jīng)歷了多次價(jià)格波動(dòng)。從年初的平穩開(kāi)局，到隨后的快速上漲，再到近期的波動(dòng)調整，每一次價(jià)格變動(dòng)都牽動(dòng)著(zhù)業(yè)界的神經(jīng)。那么，這半年來(lái)存儲芯片究竟漲價(jià)幾何呢？機構預測和各原廠(chǎng)的漲價(jià)計劃根據集邦咨詢(xún)數據顯示，2024 年第一季度，DRAM 芯片合約價(jià)格上漲多達 20%，NAND 閃存則是上漲多達 23%—28%。近日，TrendForce 還對第二季度存儲產(chǎn)品價(jià)格作了最新預測，TrendForce 表示存儲芯片價(jià)格或將持續上漲，第二季度 DRAM 合約價(jià)季漲幅將上修至 13~18%；NA
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韓國半導體出口創(chuàng )新高，存儲芯片同比大增88.7%
- 據韓聯(lián)社報道，韓國科技信息通信部7月15日發(fā)布的數據顯示，今年上半年韓國信息通信技術(shù)（ICT）產(chǎn)業(yè)出口額同比增長(cháng)28.2%，達1088.5億美元，創(chuàng )下歷年同期第二高紀錄。在A(yíng)I人工智能、IT信息技術(shù)和通信設備市場(chǎng)需求支撐下，韓國主力出口產(chǎn)品之一的半導體出口額同比猛增49.9%，達658.3億美元。從半導體產(chǎn)業(yè)細分領(lǐng)域來(lái)看，由于高帶寬存儲器（HBM）等產(chǎn)品出口增加，上半年韓國存儲芯片出口增勢迅猛，同比驟增88.7%。此外，得益于服務(wù)器和數據中心投資增加以及個(gè)人電腦等設備需求增加，計算機和周邊設備出口同比增長(cháng)
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華邦電子亮相慕展 以創(chuàng )新驅動(dòng)存儲芯片技術(shù)
- 在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上，華邦電子以其卓越的產(chǎn)品、領(lǐng)先的技術(shù)和廣泛的應用解決方案吸引了眾多業(yè)界目光。作為存儲芯片領(lǐng)域的佼佼者，華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果，還帶來(lái)了極具性?xún)r(jià)比和差異化價(jià)值的存儲產(chǎn)品CUBE，以滿(mǎn)足邊緣 AI不斷增長(cháng)的需求。本次采訪(fǎng)，我們有幸邀請到了華邦電子產(chǎn)品總監朱迪先生，深入探討了華邦電子的產(chǎn)品、技術(shù)及應用領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)?！按蠹液?，我是華邦電子產(chǎn)品總監朱迪?！痹谀侥岷谏虾ｋ娮诱沟娜A邦電子展臺E4館-4110，朱迪先生以飽滿(mǎn)的熱情開(kāi)啟了本次
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半導體產(chǎn)業(yè)迎爆發(fā)新風(fēng)口，存儲芯片廠(chǎng)商重金“下注”
- 自ChatGPT發(fā)布以來(lái)，人工智能AI迅速席卷全球，引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時(shí)，隨著(zhù)HBM市場(chǎng)需求持續火爆，以SK海力士、三星、美光等為代表的半導體存儲芯片廠(chǎng)商亦抓住機會(huì )轉變賽道，開(kāi)啟了新一輪的市場(chǎng)爭奪戰。投資約748億美元存儲芯片廠(chǎng)商SK海力士押注AI近日，據彭博社及路透社等外媒報道，半導體存儲芯片廠(chǎng)商SK海力士計劃投資103萬(wàn)億韓元（約748億美元）發(fā)展芯片業(yè)務(wù)，重點(diǎn)關(guān)注人工智能和半導體領(lǐng)域。報道稱(chēng)，韓國SK集團上周日在一份申明中表示，旗下存儲芯片廠(chǎng)商SK海力士計劃在2028年前投資103萬(wàn)億韓
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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)引圍觀(guān)：TLC、QLC買(mǎi)誰(shuí) 恐不再糾結
- 7月1日消息，據國內媒體報道稱(chēng)，四川科學(xué)家借力AI 開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)。報道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領(lǐng)域內70多年的鐵電材料疲勞問(wèn)題。鐵電材料在經(jīng)歷反復極化切換后，極化只能實(shí)現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問(wèn)題早在1953年就已被研究者發(fā)現報道，
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