存儲芯片還在漲價(jià)，除了三巨頭誰(shuí)還能賺到錢(qián)？

在經(jīng)歷了產(chǎn)能過(guò)剩、大幅降價(jià)、大廠(chǎng)減產(chǎn)、價(jià)格回升后，存儲芯片正逐漸回到正常的供需區間。

自去年10月SK海力士官宣DRAM、NAND Flash芯片合約價(jià)上調10%-20%后，今年1月三星、美光也表示，在第一季度要將DRAM芯片的價(jià)格調漲15%-20%。而到今天，各大廠(chǎng)仍在向客戶(hù)發(fā)漲價(jià)函。

TechInsights統計數據顯示，截至2024年2月16日的一周，DRAM銷(xiāo)售額同比增長(cháng)79%。預計2024全年，全球DRAM芯片銷(xiāo)售額將增長(cháng)46%，達到780億美元。可見(jiàn)，市場(chǎng)向好的趨勢已非常明確。

自去年下半年開(kāi)始，全球存儲芯片市場(chǎng)經(jīng)歷了一系列積極變化，在一定程度上反映了行業(yè)整體的復蘇態(tài)勢和對先進(jìn)技術(shù)需求的增長(cháng)。在這一背景下，多家企業(yè)宣布了價(jià)格調整和產(chǎn)能擴張計劃，顯示出對市場(chǎng)前景向好的預期。

其中，三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)頭羊，計劃在2024年第三季度對其DRAM和NAND Flash產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格上調，預計漲幅在15%到20%之間，這一決策已經(jīng)得到了主要客戶(hù)的認可。這也是三星在2024年第三次宣布漲價(jià)，此舉一定程度上提振了整個(gè)行業(yè)的信心。

不僅如此，美光科技也傳來(lái)喜報，其第三財季的營(yíng)收超出市場(chǎng)預期，達到68.1億美元。另一方面，市場(chǎng)中企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）需求激增，三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度滿(mǎn)負荷運行NAND生產(chǎn)線(xiàn)。

與此同時(shí)，存儲模組、主控、封測廠(chǎng)也都傳來(lái)了好消息，比如佰維存儲、福懋、德明利等均報告了業(yè)績(jì)的顯著(zhù)提升。佰維存儲預計上半年凈利潤在2.8至3.3億元之間，實(shí)現了同比扭虧為盈的佳績(jì)。而福懋科技則在存儲芯片封測領(lǐng)域持續擴產(chǎn)，據悉，其累計今年前五個(gè)月?tīng)I收為39.79億元，較去年同期成長(cháng)16.69％。德明利則在第一季度就完成8.11億元營(yíng)收同比增長(cháng)168.52%，凈利潤1.95億元同比扭虧為盈。

更值得一提的是，鎧俠在經(jīng)歷了長(cháng)時(shí)間的市場(chǎng)調整后，于第四財季達成了31%的營(yíng)收增長(cháng)，不僅實(shí)現了六個(gè)季度以來(lái)的首次盈利，還停止了長(cháng)達20個(gè)月的減產(chǎn)措施。

通過(guò)以上積極的行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)，不難看出存儲芯片市場(chǎng)正在加速回暖，同時(shí)也為企業(yè)帶來(lái)了新的增長(cháng)機遇。業(yè)內人士預計，這波向好的行情至少將持續到2025年上半年。

在A(yíng)I的推動(dòng)下，HBM（高帶寬存儲器）技術(shù)因其在數據傳輸速度和容量方面的優(yōu)勢，成為存儲芯片市場(chǎng)的新星。尤其高性能計算和數據中心領(lǐng)域，其需求正迅速增長(cháng)。目前SK海力士、三星、美光三大存儲廠(chǎng)商的產(chǎn)能已經(jīng)被訂滿(mǎn)。

其中，三星預計2024年HBM產(chǎn)能將增至去年的2.9倍。三星公司執行副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)主管Hwang Sang-joong表示，他們計劃在2024年上半年大批量生產(chǎn)12層的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5。而美光科技CEO Sanjay Mehrotra則表示，其高性能存儲器（HBM）產(chǎn)品已全部售罄，且2025年的大部分產(chǎn)能也已被預訂。

不過(guò)，除了HBM之外，其他的存儲芯片產(chǎn)品也迎來(lái)了市場(chǎng)回暖，比如NAND Flash。根據TrendForce的數據，2024年第一季度，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)了28.1%，顯示出市場(chǎng)的強勁動(dòng)力。

2024Q1全球NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收情況（圖源：TrendForce）

與此同時(shí)，供應短缺的情況也開(kāi)始出現。由于數據中心對大容量SSD的需求激增，可能導致下半年NAND供應緊張。據了解，預計在第三季度，企業(yè)級NAND芯片的價(jià)格將上漲10%左右，市場(chǎng)將有可能出現供不應求的情況。

另一方面，通用型DRAM也面臨著(zhù)供應短缺的問(wèn)題。隨著(zhù)業(yè)界對HBM的大量投資，通用型DRAM的產(chǎn)能開(kāi)始被占用，在未來(lái)將可能出現缺貨情況。并且，隨著(zhù)智能手機和PC制造商推動(dòng)AI功能的普及，通用型DRAM的需求或將進(jìn)一步提升。業(yè)界普遍認為，終端設備AI能力的普及，將是推動(dòng)通用型DRAM市場(chǎng)增長(cháng)的關(guān)鍵因素。

如今，在A(yíng)I技術(shù)的推動(dòng)下，存儲芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷著(zhù)快速的變化，HBM、NAND Flash和通用型DRAM等產(chǎn)品都在受到市場(chǎng)的青睞。而未來(lái)，這一趨勢將持續很長(cháng)時(shí)間，也給布局AI產(chǎn)品的存儲廠(chǎng)商帶來(lái)了機會(huì )。

隨著(zhù)AI技術(shù)的飛速發(fā)展，一系列B端應用如安防、金融等都開(kāi)始提出大模型的需求，而在運力、算力、存力三步走的AI時(shí)代，存儲芯片廠(chǎng)商也正積極布局AI相關(guān)產(chǎn)品，以適應這一新興市場(chǎng)的需求。

以華邦電子為例，其推出的CUBE產(chǎn)品，就以卓越的性能和專(zhuān)為端側AI設計的特性，成為了市場(chǎng)的焦點(diǎn)，被稱(chēng)之為“小號HBM”。據介紹，CUBE的帶寬可到達16GB/s至256GB/s，相當于HBM2, 或32個(gè)LP-DDR4x4266Mbpsx16 IO。

目前，隨著(zhù)端側AI應用場(chǎng)景的大幅擴展，從智能監控、自動(dòng)駕駛到智能家居，都對存儲性能提出了更高要求。而這也帶來(lái)了算力下沉的新趨勢，即云端的算力下放到邊緣端，通過(guò)在邊緣端做推理或者少量訓練，保證用戶(hù)的敏感數據和信息安全。

華邦電子線(xiàn)下活動(dòng)

不過(guò)在此類(lèi)場(chǎng)景下，并非每個(gè)應用都需要HBM這樣多層堆疊、極高性能的產(chǎn)品。在這樣的背景下，華邦電子的CUBE便能以較低的成本發(fā)揮極大價(jià)值。據了解，CUBE擁有四大優(yōu)勢：包括低功耗、超高帶寬、極小尺寸、高經(jīng)濟效益。尤其對于客戶(hù)而言，可以有效為其降低成本，因為理想情況下，CUBE可以幫助一些傳感器實(shí)現數據預處理，降低主控芯片的算力需求。

當然，在A(yíng)I浪潮下，除了華邦電子外，各大存儲芯片公司都帶來(lái)新產(chǎn)品或新布局。

以國內廠(chǎng)商為例，比如江波龍自研的CXL 2.0內存，通過(guò)提供彈性拓展的方式，可以適應現代數據中心大規模數據處理的需求；也比如佰維存儲擬定增募資建設的晶圓級先進(jìn)封測項目，可以構建HBM實(shí)現的封裝技術(shù)基礎；而主控芯片廠(chǎng)商也不甘落后，慧榮科技面向AI手機市場(chǎng)，發(fā)布了全新的UFS 4.0主控芯片SM2756，英韌科技則面向AI PC發(fā)布了PCIe Gen5主控芯片YRS820。

從HBM的供不應求，到NAND Flash和通用型DRAM的市場(chǎng)回暖，存儲芯片市場(chǎng)已呈現出多點(diǎn)開(kāi)花的局面。各大廠(chǎng)商的漲價(jià)函、產(chǎn)能擴張計劃、以及業(yè)績(jì)的顯著(zhù)提升，都是市場(chǎng)復蘇的有力證明。

同時(shí)，供應鏈上下游企業(yè)的積極變化，從存儲模組、主控、封測廠(chǎng)到終端設備制造商，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都在為AI時(shí)代的到來(lái)做好準備。

展望未來(lái)，AI技術(shù)與存儲芯片的深度融合將是大勢所趨。存儲芯片廠(chǎng)商必須緊跟AI的風(fēng)口，才能上升周期中尋找新的增量。同時(shí)，在A(yíng)I的推動(dòng)下，存儲芯片將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間，行業(yè)即將迎來(lái)一個(gè)新的黃金時(shí)代。