歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn)：德國鐵電FMC押注新非易失性?xún)却婕夹g(shù)FeRAM

4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產(chǎn)線(xiàn)。

這是繼 2009 年英飛凌、奇夢(mèng)達德國DRAM 工廠(chǎng)破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)。

▲ 圖源：Neumonda

雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級別，同時(shí)保持斷電不丟失數據的特性。

注：FeRAM類(lèi)似于 SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術(shù)。它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質(zhì)，因此也擁有了非揮發(fā)性?xún)却娴墓δ堋?/p>

FMC 首席執行官 Thomas Rueckes 解釋稱(chēng)：“鉿氧化物的鐵電效應將 DRAM 電容轉變?yōu)榉且资源鎯卧?，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現低功耗，特別適合 AI 運算的持久內存需求?！?/p>

合作雙方將依托 Neumonda 開(kāi)發(fā)的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大測試系統，構建從研發(fā)到量產(chǎn)的完整鏈條。

Neumonda 首席執行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標是重建德國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)，本次合作邁出了關(guān)鍵一步?！?/p>