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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)引圍觀(guān)：TLC、QLC買(mǎi)誰(shuí) 恐不再糾結
- 7月1日消息，據國內媒體報道稱(chēng)，四川科學(xué)家借力AI 開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)。報道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領(lǐng)域內70多年的鐵電材料疲勞問(wèn)題。鐵電材料在經(jīng)歷反復極化切換后，極化只能實(shí)現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問(wèn)題早在1953年就已被研究者發(fā)現報道，
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SK海力士全球首發(fā)128層消費級TLC SSD：最大1TB、壽命保密
- 距離年初在CES上首次展示過(guò)去了半年多，SK海力士今天終于正式發(fā)布了新款SSD Gold P31，這是全球首款面向消費級市場(chǎng)的128層堆疊NAND閃存產(chǎn)品，也是SK海力士的第一款消費級PCIe SSD。Gold P31基于SK海力士的所謂4D NAND，本質(zhì)上還是3D堆疊，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)，只不過(guò)在存儲單元陣列之下增加了一個(gè)電路層。它在一年前就開(kāi)始量產(chǎn)了，128層堆疊，號稱(chēng)堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb(128GB)，集成超過(guò)3600億個(gè)閃存單元。不過(guò)這一次，
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 TLC SSD 1TB
Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級NVMe?固態(tài)硬盤(pán)控制器
- 隨著(zhù)數據中心支持的人工智能（AI）和機器學(xué)習（ML）工作負載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場(chǎng)的趨勢是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò )存儲工業(yè)協(xié)會(huì )（SINA）新推出的企業(yè)和數據中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤(pán)。這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時(shí)保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤(pán)所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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紫光P5160 M.2高性能SSD上架：原廠(chǎng)原片顆粒
- 紫光已經(jīng)推出了多款自己的SSD固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，消費級有SATA S100、M.2 P100等，企業(yè)級則有PCIe/U.2 P8260。今天，紫光悄然在京東商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型號為“P5160”，號稱(chēng)采用了原廠(chǎng)原片顆粒，容量256GB、512GB，但是主控未知，或許繼續與群聯(lián)合作。這款SSD是標準的M.2 2280形態(tài)，單面設計，無(wú)需散熱片，采用PCIe 3.0 x4接口并支持NVMe 1.3。性能方面，256GB的持續讀寫(xiě)3.2GB/s、1.25GB/s，隨機讀寫(xiě)200K IOPS、3
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長(cháng)江存儲64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達到6萬(wàn)片：或明年上馬128層
- 在被美日韓掌控的存儲芯片市場(chǎng)上，終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠(chǎng)正面競爭了。紫光旗下的長(cháng)江存儲（YMTC）于今年三季度官方宣布，開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預計，初期的月產(chǎn)能在5000片左右。來(lái)自業(yè)內分析人士最新爆料稱(chēng)，長(cháng)江存儲的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片。不過(guò)，接受采訪(fǎng)時(shí)，長(cháng)江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛華未對產(chǎn)能數據予以確認，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計劃。有報道猜測，長(cháng)江存儲可能會(huì )跳過(guò)96層堆棧，預
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東芝存儲器株式會(huì )社宣布推出96層3D閃存
- 存儲器解決方案全球領(lǐng)導者東芝存儲器株式會(huì )社今日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出采用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產(chǎn)品采用三位元(三階存儲單元，TLC)技術(shù)。該96層新產(chǎn)品為256千兆比特(32GB)設備，其樣品預計將于2017年下半年發(fā)布，批量生產(chǎn)計劃于2018年啟動(dòng)。該新產(chǎn)品滿(mǎn)足企業(yè)級和消費級SSD、智能手機、平板電腦和存儲卡等應用的市場(chǎng)需求和性能規范?！ ∥磥?lái)，東芝存儲器株式會(huì )社將在不久的將來(lái)在其512千兆比特(64GB)等較大容量產(chǎn)品中應用其新的96層工
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2016年TLC儲存成本或與SAS硬盤(pán)死亡交*
- 資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng)，讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(ConvergedInfrastructure)、DevOps(DevelopmentandOperations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓AllFlash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字： TLC SAS
TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(cháng)有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠(chǎng)商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(cháng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(cháng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠(chǎng)商將會(huì )加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(cháng)率將大幅增長(cháng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TLC
慧榮科技受邀參加金泰克新產(chǎn)品發(fā)表會(huì )，攜手發(fā)表最新TLC系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)憑借其優(yōu)異性能及高可靠度的產(chǎn)品設計，一直受到眾多儲存廠(chǎng)商的親睞。近日，該公司受?chē)鴥戎鸖SD內存品牌金泰克(Tigo)之邀，出席了其近日于深圳舉辦的TLC系列的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品發(fā)布會(huì )。 這款命名為T(mén)-One的固態(tài)硬盤(pán)采用了慧榮科技SM2256控制芯片，并搭配海力士最新16mn 128 Gb的TLC NAND閃存，展現出非凡的性能表現：該產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 TLC
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