存儲芯片，正式漲價(jià)

今日，存儲芯片正式開(kāi)始漲價(jià)浪潮。

自此，存儲市場(chǎng)長(cháng)達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來(lái)轉折。

存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現也各不相同。

NAND，開(kāi)始漲價(jià)

打響漲價(jià)第一槍的是 NAND 存儲大廠(chǎng)閃迪，其表示將于4月1日開(kāi)始實(shí)施漲價(jià)，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費類(lèi)產(chǎn)品。

緊接著(zhù)美光也告知將針對新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發(fā)布漲價(jià)函，預計此次漲價(jià)幅度將在10%~15%。

之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調NAND閃存價(jià)格。

根據渠道反饋，國產(chǎn)存儲公司的零售品牌致態(tài)宣布，將于4月起上調提貨價(jià)格，漲幅可能超過(guò)10%。

一系列消息接踵而至，在業(yè)內引起軒然大波。

新一季度，NAND 芯片價(jià)格出現反彈，這主要歸功于各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調整減產(chǎn)措施。

隨著(zhù) 2024 年 NAND 產(chǎn)品價(jià)格走勢疲軟，為提早應對市場(chǎng)供過(guò)于求問(wèn)題，美光、三星、SK 海力士、鎧俠等原廠(chǎng)陸續從 2024 年第 4 季重啟減產(chǎn)措施，借此阻止 NAND 價(jià)格的下跌趨勢。

今年 1 月，美光新加坡 NAND 廠(chǎng)突發(fā)斷電，導致 NAND 供貨吃緊。群聯(lián)科技執行長(cháng)潘健成亦透露，雖從 2024 年 12 月已向美光下單采購，但近期卻意外發(fā)生交貨不足的問(wèn)題。三星電子和 SK 海力士?jì)纱箜n廠(chǎng)的減產(chǎn)措施也在持續發(fā)酵，其中三星在 3 月的交貨量?jì)H有原先訂單的 20-25%。

其實(shí)，早在上個(gè)月，現貨市場(chǎng)的動(dòng)向就透出了一些不尋常的信號。

CFM 的報價(jià)顯示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 產(chǎn)品的價(jià)格已悄然上升，個(gè)別渠道也開(kāi)始了漲價(jià)的試探性動(dòng)作。

TrendForce 近日發(fā)布報告稱(chēng)，預計2025年第二季NAND Flash價(jià)格將止跌回穩，環(huán)比增加0-5%。其中 ClientSSD 合約價(jià)將季增 3%-8%；Enterprise SSD 合約價(jià)將持平第一季；eMMC 合約價(jià)將與上季持平。NAND Flash Wafer 合約價(jià)將季增 10%-15%。

疊加上述存儲龍頭的最新漲價(jià)動(dòng)作，市場(chǎng)上已經(jīng)有人嗅到這一商機，開(kāi)始囤積 SSD 了，盼著(zhù)在 NAND 價(jià)格飆升之際大賺一筆。

DRAM，跌幅收斂

再看 DRAM 市場(chǎng)在今年第二季度的價(jià)格走向。

先說(shuō)結論，盡管 DRAM 市場(chǎng)還沒(méi)有明確的漲價(jià)聲音傳出，但可以確定的是，第二季度DRAM市場(chǎng)價(jià)格跌幅將同步收斂。一般型 DRAM 價(jià)格跌幅將收斂至季減 0%-5%，若納入 HBM 計算，受惠于 HBM3e 12hi 逐漸放量，預計均價(jià)為季增 3%-8%。

具體數據方面：

在PC DRAM領(lǐng)域，DDR4 價(jià)格走勢偏弱，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格環(huán)比基本持平。

在Server DRAM領(lǐng)域，DDR4 跌幅低于市場(chǎng)預期，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格也環(huán)比基本持平。

在Mobile DRAM領(lǐng)域，LPDDR4X 跌幅將收斂至季減 0%-5%；LPDDR5X 價(jià)格將季增 0%-5%。

在Graphics DRAM領(lǐng)域，GDDR6 跌勢將收斂至 3%-8%；GDDR7 價(jià)格將持平上季或緩跌，約下降 0%-5%。

在Consumer DRAM領(lǐng)域，DDR3 合約價(jià)環(huán)比持平，DDR4 合約價(jià)季增 0%-5%。

綜合來(lái)看，DRAM 的價(jià)格還未來(lái)到正向增長(cháng)區間。DRR5 的合約價(jià)格大約是從今年 2 月起持續上漲，LPDDR5X 的價(jià)格也相對穩健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等產(chǎn)品還在給存儲市場(chǎng)「拖后腿」。

近日有研究機構對 8 家相關(guān)企業(yè)進(jìn)行采訪(fǎng)后發(fā)現，很多觀(guān)點(diǎn)認為「對賣(mài)家來(lái)說(shuō)，沒(méi)有能夠替代中國的市場(chǎng)，再加上受到低價(jià)的中國產(chǎn)品影響，價(jià)格正在下降」。關(guān)于接下來(lái)的DRAM價(jià)格，企業(yè)認為可能要到下半年才會(huì )上漲的觀(guān)點(diǎn)居多。

HBM, 市場(chǎng)暴漲 880%

近日，SK 海力士表示未來(lái) AI 內存的需求前景光明。

預計今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 總銷(xiāo)售額中的占比將超過(guò) 50%。SK 海力士 CEO 兼總裁

郭魯正表示：「大型科技公司正在擴大投資，以確保在人工智能市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。由于圖形處理單元 (GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我們預計 HBM 的需求將出現爆炸式增長(cháng)?！顾a充道，「今年的 HBM 市場(chǎng)預計將比 2023 年增長(cháng) 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲器企業(yè)固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 市場(chǎng)預計也將增長(cháng) 3.5 倍」。此外，對于『DeepSeek 沖擊』，他持樂(lè )觀(guān)態(tài)度，并表示，如果各種 AI 生態(tài)系統被激活，將有助于在中長(cháng)期內增加（對 HBM 的）需求」。

為了繼續引領(lǐng) AI 市場(chǎng)，SK 海力士還將繼續準備 CXL 等下一代技術(shù)和產(chǎn)品。郭魯正表示：「除了 HBM 以外，我們還準備了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多種解決方案，從而不僅僅作為 AI 內存供應商，還能提供綜合解決方案?！?/p>

國產(chǎn)存儲廠(chǎng)商，蓄勢待發(fā)

如果說(shuō)，以前的存儲市場(chǎng)主要被國際廠(chǎng)商所包攬，如今國產(chǎn)廠(chǎng)商的強勢出擊，硬生生把這一格局，撕開(kāi)一道大口子。

在三星和 SK 海力士對華出口的存儲產(chǎn)品組合中，三星主要向中國供應 LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅動(dòng)器 IC 等。SK 海力士則專(zhuān)注于 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

從去年開(kāi)始，隨著(zhù)國產(chǎn)廠(chǎng)商競爭加劇，DDR3 和 DDR4 內存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場(chǎng)中逐漸淡出。

預計從今年夏季開(kāi)始，由于這些主要廠(chǎng)商的退出，市場(chǎng)上 DDR3 和 DDR4 的供應將顯著(zhù)減少。而這些需求的承接方，正是大批國產(chǎn)存儲芯片公司。

因此，在存儲市場(chǎng)復蘇之際，國產(chǎn)廠(chǎng)商有望迎來(lái)新的機遇。

從國內市場(chǎng)來(lái)看，國產(chǎn) NAND 產(chǎn)品近期漲價(jià)基本已成事實(shí)。

近日，一家國內存儲模組廠(chǎng)商負責人表示，今年所有存儲芯片原廠(chǎng)的價(jià)格都在漲。幾家存儲芯片原廠(chǎng)的報價(jià)，在同一時(shí)期內都會(huì )比較接近，差異不會(huì )很大。其中，「小容量NAND是這一輪漲價(jià)里最先有反應的品類(lèi)，也是最早反彈的品種」。

目前存儲芯片制造商轉向大容量 NAND 生產(chǎn)，小容量 eMMC 等產(chǎn)品制造轉由模組廠(chǎng)商承擔，受原廠(chǎng)晶圓定價(jià)影響。比如佰維存儲、江波龍等模組廠(chǎng)商均基于原廠(chǎng) NAND 推出 eMMC 產(chǎn)品。

因此，在小容量市場(chǎng)復蘇之際，這兩家公司將同步受益。

佰維存儲在接受 23 家機構調研時(shí)表示，在嵌入式存儲領(lǐng)域，公司 BGASSD 已通過(guò) Google 準入供應商名單認證；在 PC 存儲領(lǐng)域，公司 SSD 產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、惠普、同方等國內外知名 PC 廠(chǎng)商，此前佰維存儲就表示，其旗下 SP406/416 系列企業(yè)級 PCIe4.0SSD、SS621 系列企業(yè)級 SATASSD，與聯(lián)想服務(wù)器完成兼容性測試并獲認證，強化企業(yè)級市場(chǎng)布局。

技術(shù)研發(fā)層面，3 月初，佰維存儲宣布，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量驗證支持 QLC 顆粒并針對智能穿戴設備優(yōu)化功耗，同時(shí)具備端到端數據保護能力，適用于車(chē)規級應用場(chǎng)景。

據悉，2024 年，佰維存儲智能穿戴存儲業(yè)務(wù)收入同比大幅增長(cháng)，2025 年將深化與 Meta 等客戶(hù)在 AI 眼鏡領(lǐng)域的合作。

江波龍近日正式向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H 股），并在香港聯(lián)交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍在產(chǎn)品布局上持續發(fā)力，其首顆 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片驗證，覆蓋 SLC/MLC 多容量產(chǎn)品，適用于網(wǎng)絡(luò )通信、安防監控等領(lǐng)域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態(tài)硬盤(pán)、移動(dòng)存儲和內存條四大產(chǎn)品線(xiàn)，經(jīng)營(yíng)三個(gè)主要品牌，分別是 FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前國內多家芯片廠(chǎng)商布局 NAND 存儲芯片。包括兆易創(chuàng )新、東芯股份、江波龍等。不過(guò)，兆易創(chuàng )新、東芯股份 NAND 產(chǎn)品均為 2D SLC NAND。而本輪 NAND 漲價(jià)主要以 3D NAND 產(chǎn)品為主，而 2D NAND 今年價(jià)格始終平穩，未見(jiàn)明顯價(jià)格拐點(diǎn)。

DRAM 方面，北京君正于投資者互動(dòng)平臺表示，公司正在積極推進(jìn) DRAM 產(chǎn)品的更新迭代，采用 20nm 工藝的新產(chǎn)品預計將在 2025 年推出樣品，后續還將陸續推出更新工藝的 DRAM 產(chǎn)品。此外，北京君正還計劃在 20nm 工藝產(chǎn)品之后，繼續推進(jìn)更先進(jìn)工藝的 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。

存儲龍頭，期待回春

在剛剛過(guò)去的第一季度，存儲巨頭們過(guò)的可并不算如意。

美光：存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收狂跌20%

近日，美光發(fā)布了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 財年第二財季財報，盡管在這一季度中美光實(shí)現營(yíng)收 80.5 億美元，同比增長(cháng) 38%。但單拎出來(lái)其存儲業(yè)務(wù)部門(mén)（SBU）看，可以發(fā)現美光也面臨著(zhù)存儲市場(chǎng)逆風(fēng)的壓力。

財報顯示，美光 SBU 營(yíng)收 14 億美元，環(huán)比下降 20%。

三星、SK海力士：對華出口暴跌

2024 年，韓國芯片出口總額高達 1330 億美元，其中近四成來(lái)自中國訂單。

去年，三星和 SK 海力士這兩家公司依托中國《推動(dòng)大規模設備更新和消費品以舊換新行動(dòng)方案》相關(guān)舉措，在華銷(xiāo)售額實(shí)現大幅增長(cháng)。

三星電子 3 月 12 日公布的業(yè)務(wù)報告顯示，公司去年對華出口額同比增加 53.9%，為 64.9275 萬(wàn)億韓元，超過(guò)對美出口額 61.3533 萬(wàn)億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷(xiāo)售占絕大部分。另?yè)请娮訉徲媹蟾鏀祿?，公司在中國西安?NAND 工廠(chǎng)（銷(xiāo)售額 11.1802 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤 1.1954 萬(wàn)億韓元）和上海的半導體銷(xiāo)售分公司（銷(xiāo)售額 30.0684 萬(wàn)億韓元）去年銷(xiāo)售額也大幅提升。

SK 海力士同樣在中國市場(chǎng)取得了穩健增長(cháng)。其無(wú)錫 DRAM 工廠(chǎng)去年不僅成功扭虧為盈，營(yíng)業(yè)利潤達到 5985 億韓元，銷(xiāo)售額也同比增長(cháng) 64.3%，凈利潤同比大增 65.4%。SK 海力士在中國的銷(xiāo)售額為 5.6 萬(wàn)億韓元，較前年有所增加。

暴漲之后，在 2025 年開(kāi)年，形勢急轉直下。

最新數據顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅擴大至驚人的 31.8%。行業(yè)預測，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或將創(chuàng )十年新低。

"以前是訂單接到手軟，現在倉庫堆滿(mǎn)芯片賣(mài)不出去。"韓國半導體行業(yè)人士近日感嘆，這個(gè)曾憑借存儲芯片傲視全球的產(chǎn)業(yè)，正經(jīng)歷著(zhù)前所未有的寒冬。

三星、美光、SK 海力士等廠(chǎng)商此前已經(jīng)退出 SLC NAND Flash 市場(chǎng)。出于成本效率因素考慮，市場(chǎng)預計后續海外存儲原廠(chǎng)可能逐漸退出 MLC NAND Flash 市場(chǎng)。隨著(zhù)國際巨頭的逐漸淡出，國產(chǎn)存儲公司的發(fā)揮空間便更大了。

隨著(zhù)三大存儲龍頭逐步轉向附加值更高的 HBM、DDR5 等領(lǐng)域。上個(gè)月，SK 海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內存，并在全球率先向主要客戶(hù)出樣了 12Hi HBM4。

AI 大模型訓練催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市場(chǎng)的占比已近 30%，預計到 2026 年 HBM4 將推動(dòng)定制化需求爆發(fā)。英偉達、AMD 的新品發(fā)布周期，與三星、SK 海力士的技術(shù)迭代形成共振，在此背景下，國際存儲龍頭便可在存儲市場(chǎng)的復蘇浪潮中享受更為豐厚的紅利。