存儲芯片，中國什么時(shí)候能成？

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存儲芯片分類(lèi)概述 

半導體存儲器作為電子系統的基本組成部分，是現代信息產(chǎn)業(yè)應用最為廣泛的電子器件之一。存儲芯片種類(lèi)繁多，大類(lèi)上，根據數據是否會(huì )在斷電時(shí)消失，半導體存儲器被分為易失性存儲器（Volatile memory）和非易失性存儲器（non-volatile memory）兩大類(lèi)。

其中，由于讀寫(xiě)速度更快，易失性存儲器通常被用以輔助CPU工作，即“內存”；非易失性存儲器則為“外存”，主要用于存儲大量的數據文件。

在內存這個(gè)類(lèi)別中，最重要的是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器），因為其常年占據全球存儲類(lèi)芯片市場(chǎng)半壁江山。綜合來(lái)看，DRAM結構簡(jiǎn)單，能夠擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，成本較低。再往下，領(lǐng)導標準機構JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )）將DRAM定義為標準DDR、移動(dòng)DDR、圖形DDR三個(gè)類(lèi)別，分別對應電腦內存、手機運存、顯卡顯存。

與DRAM相對的是SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），兩者的存儲原理、結構不同，特性完全相反。除了能夠應用在緩存中，SRAM一般還會(huì )用在FPGA內，不過(guò)SRAM價(jià)格昂貴，全球市場(chǎng)規模占比也始終較小。在過(guò)去幾十年內，易失性存儲器沒(méi)有特別大的變化，DRAM和SRAM各有專(zhuān)長(cháng)，可以適用不同應用場(chǎng)景。

在非易失性存儲器領(lǐng)域，持續涌現新技術(shù)，目前技術(shù)成熟且擁有一定規模市場(chǎng)的外存共有三種：NAND Flash、NOR Flash、EEPROM。其中，市場(chǎng)規模最大的是NAND Flash。

NAND Flash屬于數據型閃存芯片，可以實(shí)現大容量存儲、高寫(xiě)入和擦除速度，多應用于大容量數據存儲。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同存儲技術(shù)，依次代表每個(gè)存儲單元存儲的數據分別為1位、2位、3位與4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同兩個(gè)賽道，因為SLC技術(shù)較老但壽命、可靠性最優(yōu)的。從SLC到QLC，存儲密度逐步提升，單位比特（Bit）成本隨之降低。但相對的，性能、功耗、可靠性與P/E循環(huán)（擦寫(xiě)循環(huán)次數，即壽命）會(huì )下降。

目前提升NAND Flash性能的技術(shù)路徑有兩個(gè)：其一，提升制程節點(diǎn)；其二，通過(guò)縱向疊加NAND Flash層數獲取高密度和大容量，即3D NAND Flash。一般來(lái)說(shuō)，SSD固態(tài)硬盤(pán)、U盤(pán)、手機閃存、SD卡均屬大容量3D NAND Flash范疇。

NAND Flash和DRAM占據了全球存儲市場(chǎng)的超九成，是最具代表性的存儲產(chǎn)品，其行情變動(dòng)具有風(fēng)向標意義。

NOR Flash屬于代碼型閃存芯片，用來(lái)存儲代碼及部分數據，是終端電子產(chǎn)品種不可或缺的重要元器件，具備隨機存儲、可靠性高、讀取速度快、可執行代碼等特性，在中低容量應用時(shí)具備性能和成本上的優(yōu)勢。

EEPROM則是一種支持電可擦除和即插即用的非易失性存儲器，具有體積小、接口簡(jiǎn)單、數據保存可靠、可在線(xiàn)改寫(xiě)、功耗低等特點(diǎn)。

新型存儲器方面，目前主要有4種，分別是：阻變存儲器（ReRAM/RRAM）、相變存儲器（PCRAM）、鐵電存儲器（FeRAM/FRAM）、磁性存儲器（MRAM，第二代為STT-RAM）。據Yole統計，預計2026年新型存儲器在全球市場(chǎng)份額的占比將上升到3%[1]。

資料來(lái)源：Yole，果殼硬科技

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存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈概述

存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游概述

由于布圖設計與晶圓制造的技術(shù)結合緊密，目前主流存儲廠(chǎng)商三星、美光、SK海力士等仍采用 IDM 的經(jīng)營(yíng)模式。一款存儲產(chǎn)品的上市，需要經(jīng)過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈的多個(gè)環(huán)節。首先，在晶圓制造環(huán)節，存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高，出品在容量、帶寬、穩定性等方面技術(shù)規格上也趨同。不過(guò)，在應用上，終端客戶(hù)由于需求場(chǎng)景不同，在容量、帶寬、時(shí)延、壽命、尺寸、性?xún)r(jià)比等方面需要的技術(shù)規格相異，因此存儲原廠(chǎng)完成晶圓制造后，仍需開(kāi)發(fā)大量應用技術(shù)以實(shí)現從標準化存儲晶圓到具體存儲產(chǎn)品的轉化。由于以上的產(chǎn)業(yè)特征，部分存儲原廠(chǎng)憑借晶圓優(yōu)勢向下游存儲產(chǎn)品領(lǐng)域滲透同時(shí)，無(wú)晶圓制造的存儲器廠(chǎng)商/獨立的存儲器供應商/存儲模組供應商應運而生[2]。

其中，存儲晶圓廠(chǎng)商憑借 IDM 模式向下游存儲器產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，其競爭重心在于創(chuàng )新晶圓IC設計、提升晶圓制程和市場(chǎng)占有率，在應用領(lǐng)域主要聚焦通用化、標準化的存儲器產(chǎn)品，重點(diǎn)服務(wù)智能手機、個(gè)人電腦及服務(wù)器等行業(yè)的頭部客戶(hù)。除了這些通用型存儲器應用外，仍存在極為廣泛的應用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求，包括細分行業(yè)存儲需求（如工業(yè)控制、商用設備、汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò )通信設備、家用電器、影像監控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應用市場(chǎng)里中小客戶(hù)的需求。

無(wú)晶圓制造的存儲器廠(chǎng)商面向下游細分行業(yè)客戶(hù)的具體需求，進(jìn)行介質(zhì)晶圓特性研究與選型、主控芯片選型與定制、固件開(kāi)發(fā)、封裝設計與制造、芯片測試等，并提供后端的技術(shù)支持，將標準化存儲晶圓轉化為千端千面的存儲器產(chǎn)品，推動(dòng)實(shí)現存儲晶圓的產(chǎn)品化和商業(yè)化，在存儲器產(chǎn)業(yè)鏈扮演承上啟下的重要角色[3]。

資料來(lái)源：江波龍招股書(shū)、網(wǎng)上公開(kāi)資料

存儲產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)一覽

資料來(lái)源：果殼硬科技、企業(yè)官網(wǎng) 

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存儲芯片市場(chǎng)規模概述

據TrendForce集邦咨詢(xún)數據，2023年第三季度，全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現營(yíng)收134.8億美元。其中，三星仍是全球最大的DRAM 供應商，銷(xiāo)售額達到近52.5億美元，占全球市場(chǎng)份額的38.9%；SK海力士位列第二，DRAM 銷(xiāo)售額為46.26億美元，占據全球34.3%市場(chǎng)份額；美光是全球第三大DRAM供應商，銷(xiāo)售額為30.75億美元，全球占比22.8%。DRAM賽道的頭三位玩家吃掉了全球DRAM市場(chǎng)96%的份額。

圖源：TrendForce集邦咨詢(xún)

在國產(chǎn)存儲芯片的細分領(lǐng)域中，DRAM是最需要攻堅的一環(huán)。目前，在DRAM賽道上，有相應產(chǎn)品的國產(chǎn)芯企包括長(cháng)/鑫存儲、紫光國芯、福建晉華、東芯半導體、北京君正。

中國DRAM技術(shù)與國外企業(yè)相比，大致落后5-6年，且技術(shù)差距還在擴大之中。目前國產(chǎn)存儲廠(chǎng)商的DRAM產(chǎn)品尚處于DDR4時(shí)代，而三星、SK海力士、美光在近兩年都相繼宣布DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功。

與DRAM相比，SRAM市場(chǎng)規模極小。據新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）行業(yè)市場(chǎng)深度調研及發(fā)展前景預測報告》顯示，2021年，全球SRAM市場(chǎng)規模約為4億美元。2022年，北京君正的SRAM產(chǎn)品收入在全球市場(chǎng)中位居第二位。據悉，北京君正擁有的SRAM 產(chǎn)品品類(lèi)豐富，從傳統的 Synch SRAM、Asynch SRAM 產(chǎn)品到行業(yè)前沿的高速 QDR SRAM 產(chǎn)品均擁有自主研發(fā)的知識產(chǎn)權。

據TrendForce集邦咨詢(xún)數據，2023年第三季度，全球NAND Flash市場(chǎng)實(shí)現營(yíng)收約92.29億美元。其中，排名前三的分別是三星、SK海力士和西部數據，分別占據全球NaND Flash市場(chǎng)31.4%、20.2%和16.9%的份額。另外，鎧俠和美光分別占據14.5%和12.5%的市場(chǎng)份額，位列第四和第五。相較DRAM，NAND Flash的市場(chǎng)集中度沒(méi)那么高，前三的存儲廠(chǎng)商占據68.5%市場(chǎng)份額，前五的存儲廠(chǎng)商占據96%的市場(chǎng)份額。

圖源：TrendForce集邦咨詢(xún)

技術(shù)路線(xiàn)方面，主要存儲原廠(chǎng)在激烈競爭中不斷提升NAND Flash存儲密度。三星電子 2013年率先開(kāi)發(fā)出可商業(yè)應用的24層3D NAND，2022年，各大NAND Flash廠(chǎng)商競相將3D堆疊的層數推到200層以上。其中，SK海力士在2022年8月宣布成功研發(fā)了238層NAND閃存；2022年11月，三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)其236層3D NAND 閃存芯片，也就是第8V-NAND。2022年12月，美光宣布232層NAND客戶(hù)端SSD正式出貨。

在NAND Flash賽道，長(cháng)/江存儲是國內鮮有的可與國際廠(chǎng)商同臺競技的企業(yè)。據悉，其于2018年發(fā)布其研發(fā)的3D NAND獨家技術(shù)Xtacking，隨后分別于2018年和2019年第三季度分別實(shí)現32層和64層3D NAND 量產(chǎn)，并在2020年推出128層QLC 3D NAND 閃存。截至2020年末長(cháng)/江存儲取得全球接近1%市場(chǎng)份額，成為五大國際原廠(chǎng)以外市場(chǎng)份額最大的NAND Flash晶圓原廠(chǎng)。不過(guò)，由于眾所周知的原因，目前發(fā)展充滿(mǎn)挑戰。

目前，占據全球存儲市場(chǎng)九成以上份額的DRAM和NAND Flash賽道，都呈現高度壟斷且相對穩定的局面，早已入局的巨頭豎起重重高墻，后發(fā)者難以取得突破。

不過(guò)，在大廠(chǎng)基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash領(lǐng)域，國內存儲廠(chǎng)商呈現出“做大做強”之勢。在EEPROM領(lǐng)域，賽迪顧問(wèn)數據統計顯示，2019年，國內存儲企業(yè)聚辰半導體拿下EEPROM全球市場(chǎng)的9.9%份額，占比排名第三，僅次于意法半導體（31%）和微芯科技（22.1%）。

聚辰半導體在2022年年報中表示，在工業(yè)級EEPROM領(lǐng)域，目前公司已在智能手機攝像頭、液晶面板、計算機及周邊等細分領(lǐng)域奠定了領(lǐng)先優(yōu)勢；在汽車(chē)級EEPROM領(lǐng)域，公司整體規模和市場(chǎng)份額目前與國際競爭對手尚存在一定差距。在NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng )新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市場(chǎng)份額超過(guò)20%，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。此外，兆易創(chuàng )新表示，致力于成為具有全系列 NOR Flash 產(chǎn)品的領(lǐng)導廠(chǎng)商，2023年，公司NOR Flash產(chǎn)品將繼續推進(jìn)新工藝制程迭代，助力大容量產(chǎn)品競爭力進(jìn)一步提升。在SLC NAND Flash領(lǐng)域，IT研究與顧問(wèn)咨詢(xún)公司Gartner數據表示，2021年SLC NAND 全球市場(chǎng)規模為21.37億美元。目前，鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)在該領(lǐng)域占據較高的市場(chǎng)份額。國內在該領(lǐng)域發(fā)力的存儲企業(yè)包括東芯半導體、兆易創(chuàng )新、復旦微電等。

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2023年存儲芯片市場(chǎng)行情概述

2022年，存儲芯片市場(chǎng)轉向周期下行。據閃存市場(chǎng)數據顯示，2021年，全球存儲芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售規模為1629億美元，同比增長(cháng)31%；2022年，全球存儲器市場(chǎng)規模下降15%，結束了連續兩年的上漲，其中NAND Flash市場(chǎng)規模大概是600億美元，DRAM市場(chǎng)規模約為790億美元。從全球市場(chǎng)總生產(chǎn)量來(lái)看，2022年全球NAND總生產(chǎn)量達到6100億GB當量，DRAM則約為1900億GB當量，漲幅分別是6%和2%，創(chuàng )歷史新低。

2023年則延續2022年的市場(chǎng)跌勢。2023年第一季度，NAND市場(chǎng)極其疲弱的狀況仍然持續，需求疲軟以及供應商和OEM存貨居高不下，導致bit出貨量和平均售價(jià)下滑。因多家供應商的平均售價(jià)大幅下降以及存貨減記，所有NAND供應商在2023年第一季度都出現運營(yíng)虧損[4]。

為了減緩跌價(jià)趨勢，2023年存儲原廠(chǎng)繼續加大減產(chǎn)力度。其中，美光6月底進(jìn)一步擴大DRAM和NAND減產(chǎn)幅度至近三成；SK海力士7月底再將NAND Flash減產(chǎn)幅度下修5~10%；三星電子也于去年四月宣布加入減產(chǎn)行列，表示“正在大幅降低存儲芯片的產(chǎn)量”。

轉入2023年四季度，存儲市場(chǎng)陸續有部分產(chǎn)品報價(jià)拉漲的消息傳來(lái)，閃存市場(chǎng)報價(jià)也連續數周顯示部分產(chǎn)品尤其N(xiāo)AND行情升溫，漲價(jià)行情甚至從NAND蔓延至DRAM。不過(guò)，閃存市場(chǎng)分析表示，此輪漲價(jià)行情乃基于供應端減產(chǎn)漲價(jià)所致，終端的實(shí)際需求仍不夠清晰，在終端需求明顯回暖前，市況會(huì )受備貨動(dòng)作的影響呈忽冷忽熱的波動(dòng)。不過(guò)存儲已經(jīng)進(jìn)入復蘇周期，預計會(huì )在持續博弈中走出行情低谷。

從長(cháng)期來(lái)看，隨著(zhù)第四季度庫存持續出清，供需關(guān)系得到改善，存儲芯片市場(chǎng)有望逐步復蘇。此外，新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、云計算、大數據和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續引領(lǐng)市場(chǎng)增長(cháng)。目前，應用方面，智能手機、個(gè)人電腦、服務(wù)器市場(chǎng)雖然在下滑，但依舊是三大主力應用。其中，數據中心已成為存儲器的必爭之地，2020年~2025年全球數據量保持20%的年復合增長(cháng)率，其中企業(yè)級eSSD為9%，而數據中心利用率將從2020年的20%提升至55%。

同時(shí)，在汽車(chē)智能化升級、算力演進(jìn)提升下，不斷增長(cháng)的數據量要求汽車(chē)存儲芯片具有更快的數據處理速度、更大的數據存儲量，這將推動(dòng)汽車(chē)成為存儲未來(lái)增長(cháng)最快的市場(chǎng)之一，預計汽車(chē)存儲市場(chǎng)規模到2030年將超過(guò)200億美元。

這些應用領(lǐng)域及終端產(chǎn)品的快速發(fā)展將進(jìn)一步帶動(dòng)存儲芯片需求的不斷增加，廣闊的新興市場(chǎng)為行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展契機。Yole表示，半導體存儲市場(chǎng)有望卷土重來(lái)，預計到2025 年將實(shí)現2000億美元收入[4]。

此外，值得一提的是，去年以來(lái)，生成式人工智能的浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI芯片需求大漲同時(shí)，面向AI服務(wù)器的存儲器需求以及AI存儲芯片需求也跟著(zhù)水漲船高。其中，SK海力士得益于2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的銷(xiāo)售額分別比上年同期增長(cháng)了4倍和5倍以上，結束了持續一年的營(yíng)業(yè)虧損，實(shí)現當季營(yíng)業(yè)利潤扭虧為盈。對于存儲產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，這也是復蘇的有力信號。

展望2024年市場(chǎng)行情，TrendForce集邦咨詢(xún)認為在市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品的價(jià)格****均取決于供應商產(chǎn)能利用率情況。其中，對于第一季價(jià)格趨勢，TrendForce集邦咨詢(xún)預測，DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%；NAND Flash則是18-23%。 

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國內存儲芯片代表企業(yè)及產(chǎn)品選型攻略 

深圳康盈半導體科技有限公司

深圳康盈半導體科技有限公司系康佳集團旗下子公司，是集團半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。公司專(zhuān)注于嵌入式存儲芯片、模組、移動(dòng)存儲等產(chǎn)品的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售。主要產(chǎn)品涵蓋eMMC、eMMC工業(yè)級、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內存條等。廣泛應用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò )通信、工控設備、車(chē)載電子、智慧醫療等領(lǐng)域。

KOWIN Small PKG. eMMC嵌入式存儲芯片

KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存儲芯片，體積更小，功耗更低。符合JEDEC eMMC5.1規范，并支持HS400高速模式。采用153Ball封裝，打造9mmx7.5mmx0.8mm的超小尺寸，另外還有8mm x8.5mm x 0.8mm 和7mmx12.5mmx0.74mm尺寸可供選擇，較normal eMMC體積更小，減少PCB板占用空間，適用于小/微型化智能終端設備。

最高容量32GB，且性能優(yōu)異，數據讀取速度高達280MB/s，寫(xiě)入速度高達150MB/s，滿(mǎn)足終端小體積、大容量、高性能應用需求。采用高性能閃存，保障系統操作的流暢性穩定性。智能省電模式，有效提升終端設備續航能力，助力智能手環(huán)、智能手表、智能耳機等終端應用微型化、低功耗設計。

KOWIN ePOP嵌入式存儲芯片

KOWIN ePOP嵌入式存儲芯片，集成eMMC和LPDDR，采用在主芯片上（package on package）貼片的封裝方式，節省PCB占用空間，進(jìn)一步精簡(jiǎn)產(chǎn)品尺寸。目前容量組合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb，最小厚度僅有0.8mm，并搭配低功耗模式，有效提升終端設備的續航能力。其中，NAND Flash采用高性能閃存芯片，順序讀取速度最高可達290MB/s，順序寫(xiě)入速度最高可達200MB/s，DRAM速率最高可達4266Mbps。將性能、耐用性、穩定性的平衡得恰到好處，實(shí)現1+1大于2的效果。

ePOP滿(mǎn)足設備對于儲存及緩存數據需求，面對集成度較高的設備，均能輕松面對，更適用于智能穿戴、教育電子等對小型化、低功耗有更高要求的終端應用。

KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片

智慧物聯(lián)核芯小精靈—KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片，采用先進(jìn)的生產(chǎn)設備和領(lǐng)先的晶圓封測技術(shù)，包括晶圓研磨，疊層和引線(xiàn)鍵合技術(shù)等，極大程度地降低了存儲芯片的厚度，最小厚度僅為0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可減少系統 PCB 設計開(kāi)發(fā)時(shí)間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb和8Gb+4Gb , 滿(mǎn)足多種容量組合需求。該系列芯片中NAND電壓1.8V，DRAM電壓為1.8V/1.1V/0.6V，符合低功耗產(chǎn)品標準，可兼容各大主流平臺。LPDDR4X傳輸速率高達3,733Mbps，性能優(yōu)異，提高系統運行的流暢性。產(chǎn)品均通過(guò)嚴格的可靠性測試，有效保障數據信息安全和持久性，可滿(mǎn)足產(chǎn)品的100,000次壽命擦除和10年數據保持能力要求。同時(shí)nMCP系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時(shí)、壽命長(cháng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)模塊、通信模塊等領(lǐng)域。

深圳市江波龍電子股份有限公司

深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“江波龍”）成立于1999年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導體存儲應用產(chǎn)品的研發(fā)、設計與銷(xiāo)售。江波龍主要聚焦于存儲產(chǎn)品和應用，形成固件算法開(kāi)發(fā)、存儲芯片測試、封測設計與制造、存儲芯片設計等核心競爭力，為市場(chǎng)提供消費級、車(chē)規級、工規級存儲器以及行業(yè)存儲軟硬件應用解決方案。

江波龍已形成嵌入式存儲、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、移動(dòng)存儲及內存條四大產(chǎn)品線(xiàn)，擁有行業(yè)類(lèi)存儲品牌FORESEE和國際高端消費類(lèi)存儲品牌Lexar（雷克沙）。存儲器產(chǎn)品廣泛應用于智能手機、智能電視、平板電腦、計算機、通信設備、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)、安防監控、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等行業(yè)以及個(gè)人移動(dòng)存儲等領(lǐng)域。

FORESEE XP2200 BGA SSD

XP2200 BGA SSD采用PCle Gen4×2接口規范與NVMe Express Revision 1.4協(xié)議，順序讀寫(xiě)性能最高可達3500MB/s、3400MB/s，隨機讀寫(xiě)性能最高可達678K IOPS、566K IOPS，目前容量提供128GB、256GB、512GB、1TB選擇，可支持-25～85℃、0～70℃兩種工作溫度方案，以及LDPC、智能溫控等功能，主要應用于2 in 1電腦、超薄筆記本、VR虛擬現實(shí)、智能汽車(chē)、游戲娛樂(lè )領(lǐng)域。

FORESEE車(chē)規級UFS

FORESEE推出的中國大陸首款車(chē)規級UFS，涵蓋64GB/128GB兩個(gè)主流容量，工作溫度為-40℃～105℃（Grade2），并通過(guò)AEC-Q100可靠性標準。FORESEE 車(chē)規級UFS采用原廠(chǎng)車(chē)規級資源和高品質(zhì)器件，配合江波龍自研固件算法，以及嚴苛的可靠性標準驗證測試，能夠有效確保產(chǎn)品在-40℃~105℃的高低溫下長(cháng)期、穩定、可靠運行的同時(shí)，保障數據安全。

深圳佰維存儲科技股份有限公司

深圳佰維存儲科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“佰維存儲”）成立于2010年，專(zhuān)注于存儲芯片研發(fā)與封測制造，是國家高新技術(shù)企業(yè)，國家級專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)。

佰維存儲圍繞半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈，構筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營(yíng)模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開(kāi)發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營(yíng)等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設計、先進(jìn)封測、芯片測試設備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。

佰維GP303固態(tài)硬盤(pán)

GP303選用工業(yè)級主控IC和工業(yè)級NAND，采用優(yōu)化升級的硬件設計方案、先進(jìn)的閃存管理固件算法，歷經(jīng)3000余項測試用例，并結合佰維存儲先進(jìn)制造能力，產(chǎn)品兼具高可靠、長(cháng)壽命、性能穩定等特點(diǎn)，尤其適用于高低溫、異常斷電、潮濕、震動(dòng)和沖擊等惡劣環(huán)境下的系統運行、數據保存等應用場(chǎng)景。

佰維LPDDR4X工業(yè)級寬溫存儲芯片

佰維LPDDR4X工業(yè)級寬溫存儲芯片采用高品質(zhì)DRAM顆粒，采用超薄先進(jìn)封裝，在提供超快速度的同時(shí)，能夠加快多任務(wù)處理速度并優(yōu)化用戶(hù)體驗，結合業(yè)內先進(jìn)的測試機臺保證了每顆產(chǎn)品都經(jīng)歷嚴苛的測試；結合佰維存儲先進(jìn)制造測試能力，產(chǎn)品兼具高可靠、高性能、高耐用、長(cháng)壽命等特點(diǎn)，容量覆蓋從2GB~8GB，主要面向工業(yè)類(lèi)細分市場(chǎng)，寬溫工作能力達-40~85℃。

深圳市宏旺微電子有限公司

深圳市宏旺微電子有限公司成立于2004年，是一家專(zhuān)注于存儲芯片（國家戰略產(chǎn)業(yè)）設計、研發(fā)、封裝、測試、銷(xiāo)售服務(wù)的國家高新技術(shù)企業(yè)。擁有多項自主知識產(chǎn)權，致力為全球客戶(hù)提供FLASH和DRAM相關(guān)存儲產(chǎn)品，如嵌入式存儲(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，總部位于深圳南山華僑城，在中國香港、韓國、美國、新加坡等地設有辦事機構。

全資子公司諾思特半導體位于汕尾陸豐市，依托宏旺技術(shù)積累和研發(fā)能力，提供存儲芯片封裝、測試、產(chǎn)品制造一站式服務(wù)。

IMD512M16R4FCD8TB

該產(chǎn)品體積小、輕薄，最大可存儲512×16的數據。低能耗、高效能，無(wú)論使用智能終端游戲、辦公、還是基于數據存儲的海量數據，都能減少發(fā)熱引起的降頻現象。具備3200Mbps的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數據，更高的數據帶寬，更快、更輕松處理大量工作負載。具有內糾錯碼（ECC）功能，提高了數據可靠性并減少了系統糾錯負擔，存儲更靠譜。

上海復旦微電子集團股份有限公司

上海復旦微電子集團股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“復旦微電”）是國內從事超大規模集成電路的設計、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)（測試）和提供系統解決方案的專(zhuān)業(yè)公司。公司于1998年7月創(chuàng )辦，并于2000年在中國香港上市，2014年轉香港主板，是國內成立最早、首家上市的股份制集成電路設計企業(yè)。2021年登陸上交所科創(chuàng )板，形成“A+H”資本格局。 

復旦微電現已建立健全安全與識別芯片、非揮發(fā)存儲器、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測試服務(wù)等產(chǎn)品線(xiàn)。產(chǎn)品行銷(xiāo)30多個(gè)國家和地區，廣泛應用于金融、社保、汽車(chē)電子、城市公共交通、電子證照、移動(dòng)支付、防偽溯源、智能手機、安防監控、工業(yè)控制、信號處理、智能計算等眾多領(lǐng)域。

FM25S01BI3

產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，通過(guò)優(yōu)化編擦、擦除、回讀算法， 滿(mǎn)足6-8萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。

FM25S01BI3產(chǎn)品特點(diǎn)存儲器容量：1Gbit，工作電壓范圍：2.7V/3.6V，工作溫度范圍：-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃，SPI高速單/雙/四口：104MHz(3.3V)，支持內置8 bit ECC，滿(mǎn)足客戶(hù)Error-Free。擦寫(xiě)次數：6-8萬(wàn)次，Data Retention：10年。封裝支持TDFN5X6/TDFN6X8等多種封裝形式。

東芯半導體股份有限公司

東芯半導體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芯半導體”）成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、中國香港、韓國均設有分公司或子公司。

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。

SLC NAND Flash

東芯半導體聚焦平面型 SLC NAND Flash的設計與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結構，存儲容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類(lèi)型接口，搭配 3.3V/1.8V兩種電壓，可滿(mǎn)足客戶(hù)在不同應用領(lǐng)域及應用場(chǎng)景的需求。NAND Flash 產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統一集成在同一芯片內。同時(shí)產(chǎn)品在耐久性、數據保持特性等方面表現穩定，不僅在工業(yè)溫控標準下單顆芯片擦寫(xiě)次數已經(jīng)超過(guò) 10 萬(wàn)次，同時(shí)可在-40℃-105℃的極端環(huán)境下保持數據有效性長(cháng)達 10 年，已有產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100測試，可靠性逐步從工業(yè)級標準向車(chē)規級標準邁進(jìn)。

聚辰半導體股份有限公司

聚辰半導體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚辰半導體”）于2009年成立于上海張江，2019年登陸上交所科創(chuàng )板，是一家全球化的芯片設計高新技術(shù)企業(yè)，在美國硅谷、中國香港、中國臺灣、深圳、南京、蘇州等地區設有子公司、辦事處或銷(xiāo)售機構，客戶(hù)遍布全球。

聚辰半導體曾獲評2020年十大中國IC設計公司、2021年度上海市經(jīng)信委“專(zhuān)精特新”企業(yè)、2022年度國家級專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，并被國家發(fā)改委、工信部列入國家鼓勵的重點(diǎn)集成電路設計企業(yè)清單。

GT25Q40D

GT25Q40D是聚辰半導體基于獨具特色的NORD工藝平臺開(kāi)發(fā)的具有自主知識產(chǎn)權的NOR Flash芯片，具備高可靠性和快速擦除性能，廣泛應用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模組及新能源汽車(chē)BMS等領(lǐng)域，在功耗、數據傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標方面達到國際前沿水平。

GT25D20E

GT25D20E是聚辰半導體基于獨具特色的NORD工藝平臺開(kāi)發(fā)的具有自主知識產(chǎn)權的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口，廣泛應用于車(chē)載攝像頭、BLE藍牙物聯(lián)網(wǎng)設備等領(lǐng)域，在功耗、數據傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標方面達到國際前沿水平。

普冉半導體（上海）股份有限公司

普冉半導體（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“普冉半導體”）是業(yè)內排名前列的存儲器芯片及其衍生芯片供應商。自2016年成立以來(lái)，普冉半導體一直專(zhuān)注于非易失性存儲器芯片的研發(fā)創(chuàng )新，形成了以NOR Flash和EEPROM為核心的存儲器芯片產(chǎn)品矩陣，并基于存儲器技術(shù)優(yōu)勢，推出“存儲+”規劃和長(cháng)期戰略，積極拓展通用微控制器和存儲結合模擬的全新產(chǎn)品線(xiàn)。

Flash存儲器芯片P25Q32SN

P25Q32SN是業(yè)界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代領(lǐng)先工藝、超低電壓超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存儲器芯片。P25Q32SN支持1.1V電源系統，具備寬電壓范圍1.05V~2.00V，可涵蓋1.1V、1.2V和1.8V AIOT系統；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 讀取功耗約2.86mW，80M DTR 4IO讀取功率約4.2mW；基于極低功耗，為音頻、圖像等多模態(tài)SoC智能主控芯片提供必要性存儲輔助，助力元宇宙的國產(chǎn)生態(tài)鏈完善。

恒爍半導體(合肥)股份有限公司

恒爍半導體(合肥)股份有限公司是專(zhuān)注先進(jìn)半導體閃存芯片 (NOR Flash) 和微處理器 (MCU)工藝研發(fā)、芯片設計和產(chǎn)品銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)，于2022年8月在上交所科創(chuàng )板上市。公司在合肥、蘇州和上海設有研發(fā)中心，在深圳等城市設有銷(xiāo)售及技術(shù)支持服務(wù)中心。銷(xiāo)售渠道遍布中國（含中國香港、中國臺灣）、韓國、日本、以色列、中東等國家和地區。

5Xnm NOR FLASH

恒爍5Xnm NOR Flash實(shí)現對1.65V-2V低電壓、2.3V-3.6V高電壓、1.65V-3.6V寬電壓全覆蓋，具有更好的高溫性能（支持105℃），超快的讀取頻率（最高單線(xiàn)CLK 133Mhz，4線(xiàn)532Mhz），支持OTP及擦除過(guò)程掛起功能，能更好的滿(mǎn)足客戶(hù)需要，已在手機、智能穿戴、電視機、智能電表、安防產(chǎn)品等下游終端獲得廣泛應用，截至目前，已累計出貨數十億顆。

合肥大唐存儲科技有限公司

合肥大唐存儲科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“大唐存儲”），長(cháng)期致力于存儲控制器芯片及安全固件的研發(fā)，并提供技術(shù)先進(jìn)的安全存儲解決方案，同時(shí)，大唐存儲擁有自主IC設計能力和底層固件研發(fā)能力，可根據用戶(hù)不同的行業(yè)需求進(jìn)行差異化定制服務(wù)。

產(chǎn)品上，大唐存儲核心主控在存儲行業(yè)國際首家通過(guò)EAL5+，首家通過(guò)國密芯片二級，首家通過(guò)金融存儲芯片增強級檢測。產(chǎn)品分為企業(yè)級、商業(yè)級和安全加密級固態(tài)硬盤(pán)，可應用于政務(wù)、金融、電信、能源、交通、醫療等行業(yè)領(lǐng)域。

DSS510芯片

DSS510芯片，采用28nm工藝制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持國密算法SM2/SM3/SM4；結合大唐存儲自研超聚合安全存儲技術(shù)，將金融級安全防護技術(shù)應用于固態(tài)存儲控制器，實(shí)現多芯片合一，在加解密過(guò)程中不影響主控性能，使相關(guān)產(chǎn)品綜合性能大幅提升。在存儲行業(yè)國際首家通過(guò)EAL5+，獲國密二級、金融增強級芯片檢測，產(chǎn)品獲得自主原創(chuàng )設計證書(shū)，性能可達到國際大廠(chǎng)水平。

北京憶芯科技有限公司

北京憶芯科技有限公司為國內較早從事高性能固態(tài)硬盤(pán)主控芯片研發(fā)的企業(yè)，致力于成為賦能大數據應用的芯片全球領(lǐng)導者。經(jīng)過(guò) 8 年的發(fā)展，已成長(cháng)為國內領(lǐng)先的高端 PCle SSD主控芯片和成品盤(pán)供應商，業(yè)務(wù)方向覆蓋消費級、工業(yè)級和企業(yè)級，為各行業(yè)的信息化發(fā)展提供高質(zhì)量芯片級底層保障。目前已成功完成4款SSD 主控芯片的流片，并通過(guò)百萬(wàn)量級的市場(chǎng)出貨驗證，得到了眾多大廠(chǎng)客戶(hù)的充分認可。

STAR2000E

STAR2000E是憶芯科技自研的PCle4.0高性能企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)，搭載憶芯STAR2000新一代PCle4.0高端企業(yè)級SSD主控芯片。支持Gen4.0*4或雙端 Gen4.0*2接口，支持NVMe2.0協(xié)議，支持ZNS/NVMe Set/KV等先進(jìn)企業(yè)級功能。提供強大穩態(tài)順序讀寫(xiě)和隨機讀寫(xiě)性能，具有業(yè)界領(lǐng)先的憶芯第4代LDPC糾錯算法，支持3DWPD和1DWPD的耐久性，保證數據可靠性。主要面向數據中心、存儲服務(wù)器、云計算等市場(chǎng)，為企業(yè)級高性能應用和功耗控制需求提供超高能效比。

芯盛智能科技有限公司

芯盛智能科技有限公司是領(lǐng)先的固態(tài)存儲控制器芯片及解決方案提供商。公司以自主知識產(chǎn)權為根基，推出全球首款基于RISC-V架構的PCle4.0控制器、根據商密一級安全標準設計的PCle3.0控制器、企業(yè)級SATA3.0控制器及數十款固態(tài)存儲解決方案，產(chǎn)品覆蓋數據中心、邊緣計算、工業(yè)控制、消費類(lèi)終端和汽車(chē)存儲等領(lǐng)域。憑借雄厚的技術(shù)研發(fā)實(shí)力與豐富的行業(yè)經(jīng)驗積累，芯盛智能承擔了多項省、市、區科研項目，形成多項擁有自主知識產(chǎn)權的關(guān)鍵核心技術(shù)，被評為高新技術(shù)企業(yè)、專(zhuān)精特新企業(yè)和年度質(zhì)量信用A級企業(yè)。

XT8210

XT8210采用RISC-V開(kāi)源架構體系，前端具備PCle4.0×4高速接口，后端采用8通道閃存接口，支持NVMe1.4傳輸協(xié)議，順序讀寫(xiě)可達7000/6000MBps，4K隨機讀寫(xiě)可達1000K/900K IOPS，全面適配3D TLC和3D QLC顆粒，最大可支持16TB容量；XT8210是國內第一款加碼安全的PCle4.0控制器芯片，通過(guò)商密二級認證，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等，性能業(yè)界領(lǐng)先，因其出色的性能，已被應用到數據中心、高性能桌面機等場(chǎng)景中，得到用戶(hù)的一致好評。

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