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年中已過(guò),存儲芯片Q3漲勢如何?

作者: 時(shí)間:2024-07-23 來(lái)源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

在這半年的時(shí)間里,市場(chǎng)經(jīng)歷了多次價(jià)格波動(dòng)。從年初的平穩開(kāi)局,到隨后的快速上漲,再到近期的波動(dòng)調整,每一次價(jià)格變動(dòng)都牽動(dòng)著(zhù)業(yè)界的神經(jīng)。那么,這半年來(lái)究竟漲價(jià)幾何呢?

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202407/461289.htm

機構預測和各原廠(chǎng)的漲價(jià)計劃

根據集邦咨詢(xún)數據顯示,2024 年第一季度,DRAM 芯片合約價(jià)格上漲多達 20%,NAND 閃存則是上漲多達 23%—28%。

近日,TrendForce 還對第二季度存儲產(chǎn)品價(jià)格作了最新預測,TrendForce 表示價(jià)格或將持續上漲,第二季度 DRAM 合約價(jià)季漲幅將上修至 13~18%;NAND Flash 合約價(jià)季漲幅同步上修至約 15~20%,延續了第一季度的強勁勢頭。

與此同時(shí),各大原廠(chǎng)也在今年不斷調整其價(jià)格策略。

今年年初,《中國臺灣電子時(shí)報》報道,三星、美光兩家存儲芯片大廠(chǎng)計劃將 2024 年一季度的 DRAM 芯片價(jià)格調漲 15%-20%。NAND 產(chǎn)品的價(jià)格在一季度也幾番動(dòng)蕩,據悉,三星為恢復其存儲芯片業(yè)務(wù)的盈利能力,計劃將 NAND 閃存芯片價(jià)格提高至多 20%。根據美光此前公布的截至 2024 年 2 月 29 日的 2024 財年第二財季報告顯示,該季度其 NAND Flash 的平均價(jià)格漲幅超過(guò)了 30%。

近日,供應鏈消息稱(chēng),SK 海力士將對旗下 LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5 等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有 15%-20%。據悉,海力士 DRAM 產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調,目前已累計上漲約 60%-100% 不等,下半年漲幅將趨緩。

今年 4 月,西部數據也向供應商發(fā)布了漲價(jià)通知函,宣布將在本季度繼續對 NAND Flash 和 HDD 產(chǎn)品進(jìn)行漲價(jià)。值得注意的是,去年 12 月,西部數據就曾對客戶(hù)發(fā)出了漲價(jià)通知函,強調未來(lái)幾個(gè)季度 NAND Flash 產(chǎn)品的價(jià)格將采取周期性調漲方式,預期累計將上漲 55%。西部數據還指出,公司 HDD 產(chǎn)品會(huì )也每周審查定價(jià),預計 2024 年上半年價(jià)格會(huì )上漲。
鎧俠近日發(fā)布的第一季度業(yè)績(jì)報告顯示,2024 年一季度 NAND Flash 售價(jià)(以日元計算)較 2023 自然年四季度上漲了 15-19%、為連續第三季呈現上漲。如果以美元計算的售價(jià),環(huán)比增長(cháng) 20% 左右。NAND Flash 出貨量則環(huán)比增長(cháng) 5-9%。
接下來(lái)看看各類(lèi)存儲產(chǎn)品在市場(chǎng)中的具體表現。

各類(lèi)存儲產(chǎn)品的漲價(jià)情況

隨著(zhù)市場(chǎng)需求的增長(cháng)和供應緊張的持續,存儲晶圓端的漲價(jià)品類(lèi)正逐步增加,這種價(jià)格壓力已經(jīng)開(kāi)始逐漸傳導至成品端,對最終產(chǎn)品成本產(chǎn)生影響。

根據 CFM 數據顯示,截至目前,大部分客戶(hù)第二季度合約價(jià)格已經(jīng)陸續落地。

其中,服務(wù)器市場(chǎng)受益于 AI 投資熱潮,帶動(dòng) HBM、DDR5 需求激增?;ヂ?lián)網(wǎng)廠(chǎng)商積極回補庫存,對價(jià)格接受度相對較高。

企業(yè)級 NAND 方面,新制程產(chǎn)品仍在導入驗證過(guò)程中,由于企業(yè)級產(chǎn)品驗證周期較長(cháng),加上新制程工藝也需時(shí)間進(jìn)行產(chǎn)能爬坡,預計到 Q4 甚至明年才能完全導入完成。因此,整體處于供不應求態(tài)勢,終端客戶(hù)對漲價(jià)也有預期,二季度漲幅達到 25%-30%,至 0.12 美元/GB。

服務(wù)器 DRAM 方面,從 DDR4 向 DDR5 切換是大勢所趨,DDR4 產(chǎn)能釋出必定逐漸減少。受益于來(lái)自 AI 服務(wù)器的新增需求,原廠(chǎng)正積極推動(dòng) DDR5 產(chǎn)能快速爬坡,擴大 32Gb DDR5 高容量顆粒供應,結合支持 DDR5 的新型處理器平臺產(chǎn)能正在爬坡,在服務(wù)器端整體技術(shù)迭代和產(chǎn)品升級的趨勢下,下半年 DDR5 服務(wù)器端滲透率有望超過(guò) 50%。整體來(lái)看,二季度服務(wù)器 DRAM 漲幅有望達到 10%-20%。

相較之下以 PC、智能手機為代表的消費類(lèi)市場(chǎng),面對銷(xiāo)量增長(cháng)瓶頸與零部件成本壓力,對價(jià)格敏感度極高。嵌入式 UFS 合約價(jià)環(huán)比上漲 5%-10% 至 0.070-0.075USD/GB;LPDDR4X 合約價(jià)環(huán)比上漲 3%-8% 至 0.27-0.28USD/Gb;LPDDR5X 合約價(jià)環(huán)比漲幅為 0-3% 至 0.29-0.30USD/Gb。

PC 應用方面,在原廠(chǎng)產(chǎn)能調動(dòng)及強勢拉漲之下,頭部 PC 終端尚可接受 PCSSD10%-15% 的漲幅,PCDRAM 漲幅約 10%,NANDASP 主要落在 0.065-0.070USD/GB 之間。

可以看到,從價(jià)格漲幅看,消費類(lèi)應用明顯低于企業(yè)級。今年服務(wù)器市場(chǎng)復蘇勢頭明確,尤其在 AI 服務(wù)器的帶動(dòng)下,高容量 eSSD 和 DDR5 備貨需求增加,服務(wù)器端存儲價(jià)格領(lǐng)漲。然而在消費類(lèi)應用,智能手機與 PC 廠(chǎng)商普遍有一定庫存水位,價(jià)格持續上揚使得拉貨積極性顯著(zhù)下降。

體現到價(jià)格上,下表列出了幾種主要存儲產(chǎn)品在過(guò)去一年的產(chǎn)品漲價(jià)幅度:

價(jià)格上漲的兩大驅動(dòng)因素

存儲市場(chǎng)的價(jià)格持續上漲主要來(lái)源于供、需兩方面。

首先,從供應端來(lái)看,2023 年上半年存儲行業(yè)整體處于下行區間,三星、SK 海力士、美光、西部數據和鎧俠等廠(chǎng)商紛紛宣布減少產(chǎn)能,廠(chǎng)商降低關(guān)于存儲業(yè)務(wù)的資本性支出。各大廠(chǎng)商不約而同的減產(chǎn)計劃促使存儲周期提前,在存儲需求不斷擴大的前提下,存儲芯片的價(jià)格得以上升,提前進(jìn)入復蘇周期。

其次,從需求端來(lái)看,經(jīng)歷了去年終端市場(chǎng)需求持續疲軟后,消費電子市場(chǎng)在 2024 年迎來(lái)逐步復蘇,存儲器價(jià)格也開(kāi)始呈現上升態(tài)勢。此外,AI 手機、AI PC 的火熱也給存儲產(chǎn)品帶來(lái)一定拉動(dòng)作用。

中國閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒指出,2024 年的手機平均容量將超過(guò) 200GB,內存也朝更高性能的 LPDDR5x 演進(jìn),今年手機 DRAM 的平均容量在 7GB 以上。觀(guān)察市場(chǎng)現有 AI 手機的存儲容量,vivoX90 系列的內存為 8GB、12GB,閃存最高為 512GB,X100 系列的內存提升至 12GB、16GB,閃存最高為 1TB;OPPOFindX7 系列和 OPPOFindX6 系列的內存均為 12GB、16GB 兩種規格,但前者的閃存最高達 1TB,后者閃存最高為 512GB;三星 GalaxyS23 系列內存為 8GB,三星 GalaxyS24 系列內存有 8GB、12GB 兩個(gè)規格。從整體來(lái)看,無(wú)論是內存還是閃存,AI 手機的存儲容量都在加大。

AI 也是個(gè)人 PC 市場(chǎng)的新引擎,AI PC 嵌入了 AI 芯片且支持本地化 AI 模型,需要更快的數據傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬,32GLPDDR5x 和 1TBPCIe4.0SSD 將迎來(lái)較好的應用。目前,英特爾、微軟、華為、聯(lián)想、戴爾、華碩等廠(chǎng)商已發(fā)布 AI PC 產(chǎn)品。但 AI 行業(yè)的分析師認為,市面上個(gè)別廠(chǎng)商的 AI PC 產(chǎn)品有噱頭屬性,因為 PC 的 AI 功能還處于初級階段,「需要出現一款爆火的顛覆性應用,才會(huì )大幅推動(dòng) AIPC 的銷(xiāo)量?!?/span>

Q3 價(jià)格或將再漲?

大摩最新研究報告調升了今年 Q3 的 DRAM 和 NAND 芯片價(jià)格漲幅預期,由原預期 8% 和 10% 上調至 13% 和 20%。在此情況下,市場(chǎng)對于存儲產(chǎn)業(yè)的期待進(jìn)一步拉升。

Q3 本就是存儲市場(chǎng)的傳統旺季,因為即將迎來(lái)中國大陸國慶假期,以及雙 11、雙 12 等購物活動(dòng),歐美感恩節、圣誕節等也將接踵而至,大部分市場(chǎng)商家均有備貨和補貨需求。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)界近日傳來(lái)消息,通用型 DRAM 內存芯片可能面臨供應短缺的局面。隨著(zhù)業(yè)界對高帶寬存儲(HBM)這類(lèi) DRAM 的大力投資,通用型 DRAM 的產(chǎn)能利用率相對較低,三星和 SK 海力士的產(chǎn)能利用率僅在 80% 到 90% 之間,與 NAND 閃存的全速生產(chǎn)形成鮮明對比。

與 HBM DRAM 相比,通用型 DRAM 指的是用于手機、PC 的內存芯片,這一供應短缺的信號可能預示著(zhù) DRAM 內存芯片的價(jià)格上漲。

三星也計劃 Q3 繼續提高存儲產(chǎn)品定價(jià)預計漲幅 10% 至 15%。

美光科技在其最新發(fā)布的 2024 財年第三財季 (3-5 月) 業(yè)績(jì)報告中,預測 2024 年全年價(jià)格將繼續上漲。本季度,美光 DRAM 收入 47 億美元,占總收入 69%,環(huán)比增長(cháng) 13%。DRAM Bit 出貨量環(huán)比下降中個(gè)位數百分比,DRAM ASP 環(huán)比增長(cháng)約 20%。NAND 收入 21 億美元,占總收入 30%,環(huán)比增長(cháng) 32%。NAND Bit 出貨量環(huán)比增長(cháng)高個(gè)位數百分比,NAND ASP 環(huán)比增長(cháng)約 20%。

不過(guò),在存儲下游的消費電子等產(chǎn)業(yè)需求并未完全回暖的情況下,這輪漲價(jià)并非利好所有產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據悉,部分細分領(lǐng)域存在需求端因不堪上游漲價(jià)而下降采購量的情況。從上表中的最新終端產(chǎn)品報價(jià)也可以看到,5 月之后,SDD、內存條等產(chǎn)品售價(jià)存在明顯下降趨勢。

因此業(yè)界也有一些不同的聲音,他們預測下半年的存儲產(chǎn)品市場(chǎng)增長(cháng)勢頭將趨于平緩。

北京君正在 5 月底調研時(shí)表示,去年存儲芯片的毛利率 36.48%,今年一季度也在 36% 以上,存儲芯片毛利率較為穩定。消費類(lèi)存儲芯片最近價(jià)格上漲較多,這主要是由于去年消費類(lèi)存儲芯片降價(jià)幅度大,基本到了極限了,所以大廠(chǎng)通過(guò)限產(chǎn)等策略對產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行保護。我們主要面向行業(yè)市場(chǎng),存儲芯片價(jià)格一直不算低,預計價(jià)格增長(cháng)的可能性比較小,未來(lái)主要的增長(cháng)還是來(lái)自量的增加。

慧榮科技 CAS 業(yè)務(wù)群資深副總段喜亭在今年 3 月下旬曾表示閃存的漲勢在今年下半年會(huì )稍微平緩,然后整體漲勢可能持續到明年第一季度-第二季度。而影響內存的變數比較多,預計今年下半年漲勢可能放緩,主要看 AI 移到終端的速度是否夠快。

國產(chǎn)廠(chǎng)商迎來(lái)業(yè)績(jì)拐點(diǎn)

據統計,萬(wàn)得存儲器指數 25 只成分股 2023 年合計實(shí)現營(yíng)收 1456.53 億元,同比下降 6.52 個(gè)百分點(diǎn);合計實(shí)現歸母凈利潤 14.43 億元,僅為 2022 年的 20.40%。今年一季度,25 只成分股合計實(shí)現營(yíng)收 342.02 億元,同比增長(cháng) 8.17%,合計實(shí)現歸母凈利潤 18.09 億元,同比增長(cháng) 127.26%。

在行業(yè)景氣度快速恢復過(guò)程中,很多國產(chǎn)公司的業(yè)績(jì)情況也得到了明顯改善。據一季報數據,存儲器指數 25 只成分股中,有 16 家公司今年一季度實(shí)現營(yíng)收同比增長(cháng),實(shí)現 70% 以上增長(cháng)的公司有 9 家,其中,佰維存儲營(yíng)收增長(cháng)高達 305.80%。

歸母凈利潤方面,一季度實(shí)現 100% 增長(cháng)的公司有 12 家,分別為瀾起科技、德明利、普冉股份、協(xié)創(chuàng )數據、江波龍、佰維存儲、興森科技、中電興發(fā)、全志科技、萬(wàn)潤科技、華天科技、聚辰股份等。其中瀾起科技以歸母凈利潤同比增長(cháng) 1032.86% 位居板塊第一,而江波龍以實(shí)現 3.84 億元歸母凈利潤成為板塊內最能賺錢(qián)的公司。

與業(yè)績(jì)表現相對應的是,部分公司銷(xiāo)售毛利率和銷(xiāo)售凈利率也得到了一定幅度的增長(cháng)。銷(xiāo)售毛利率方面,代表性公司江波龍今年一季度銷(xiāo)售毛利率為 24.39%,同比增加 23.12 個(gè)百分點(diǎn),環(huán)比增加 5.88 個(gè)百分點(diǎn),相比 2023 年報數值增加了 16.2 個(gè)百分點(diǎn)。此外,同有科技、佰維存儲、德明利、上海新陽(yáng)等公司一季度銷(xiāo)售毛利率,無(wú)論是同比還是環(huán)比,也均有不錯的提升。

經(jīng)歷一輪波動(dòng)劇烈的存儲行業(yè)下行周期后,產(chǎn)業(yè)鏈廠(chǎng)商正在為下一個(gè)高成長(cháng)階段蓄力,國產(chǎn)廠(chǎng)商更為如此。

根據摩根士丹利的最新報告,全球內存市場(chǎng)在 2025 年將迎來(lái)一次前所未有的供需失衡,2025 年 HBM 的供應不足率將達到 11%,而整個(gè) DRAM 市場(chǎng)的供應不足率將高達 23%。這意味著(zhù),2025 年全球存儲芯片,尤其是 HBM、服務(wù)器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格預計將大幅上漲。

因此,對于那些已經(jīng)在行業(yè)中展現出強勁競爭力和良好業(yè)績(jì)的國產(chǎn)公司來(lái)說(shuō),這無(wú)疑是一個(gè)重要的機遇。他們有望借助這一市場(chǎng)趨勢,進(jìn)一步擴大市場(chǎng)份額,實(shí)現更快速的發(fā)展。



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