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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專(zhuān)利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長(cháng)江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰，SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。 據韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士?jì)炔肯⒎Q(chēng)，SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時(shí)還
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專(zhuān)利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長(cháng)江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰，SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。 據韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士?jì)炔肯⒎Q(chēng)，SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時(shí)還
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圖謀入主東芝半導體 SK海力士備重金
- SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導體事業(yè)部的競爭即將進(jìn)入白熱化，但規模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來(lái)1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現不同評價(jià)。 據韓媒MoneyToday報導，東芝為了彌補核能事業(yè)虧損，日前已決定全數出售半導體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價(jià)再加20～30%的經(jīng)營(yíng)權移轉貼水，總規模應在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國購并史上的最高紀錄。 市調機構IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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東芝閃存事業(yè)搶手 SK海力士鴻海多組人馬搶親
- 據報道，東芝計劃分拆半導體業(yè)務(wù)，已引起包括南韓SK海力士及鴻海集團、威騰多組人馬搶親，東芝的儲存型閃存事業(yè)這么搶手，是因為他是該公司最賺錢(qián)的部門(mén)，占總營(yíng)收僅15%，卻貢獻一半以上的獲利，成為大家相中的目標。 但市場(chǎng)人士分析，不過(guò)因為東芝只開(kāi)放入股近二成，不是直接買(mǎi)斷，預料將以威騰出線(xiàn)的機會(huì )較高。 由于東芝的儲存型閃存(NAND Flash)加計合作伙伴威騰合計35%，僅次三星的36%，三星若參與，恐因市占過(guò)半涉及市場(chǎng)壟斷，因而參與機率不高。 日本東芝考慮分拆和出售旗下部分芯片事業(yè)的計
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢(qián)的半導體部門(mén)，成立新公司，賣(mài)股籌錢(qián)。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專(zhuān)家表示，SK海力士可能會(huì )投資東芝獨立出來(lái)的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場(chǎng)表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)利有望破256億美元
- 據海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導的韓國半導體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰營(yíng)業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀錄。 韓國半導體業(yè)可望在營(yíng)業(yè)利益創(chuàng )下新紀錄，主要受惠于存儲器價(jià)格快速上揚，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續增長(cháng)。因此，預估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導體營(yíng)業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當年半導體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長(cháng)階段。 據券商及半導體業(yè)預估，三星光是在2017年的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望
- 眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預期，于是從早幾年開(kāi)始，這個(gè)美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會(huì )在未來(lái)給Intel和美光帶來(lái)新的成長(cháng)激勵。 尤其是對美光來(lái)說(shuō)，在現狀和未來(lái)的表現都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來(lái)，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：
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SK海力士在集團內地位上升 加速汽車(chē)業(yè)務(wù)發(fā)展
- SK集團(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動(dòng)公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長(cháng)樸星昱甚至晉升為副會(huì )長(cháng)，顯示SK海力士在集團內的地位大幅上升。業(yè)界普遍認為，這次人事調整意味SK集團將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車(chē)事業(yè)。據報導，SK集團似乎有意將SK海力士調整為直屬于集團的子公司，內部正準備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉換為中間持股公司進(jìn)行結構調整。加上SK集團會(huì )長(cháng)崔泰源先前已宣示過(guò)公司應盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
- SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲器傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設計，位在利川(Icheon)的M14廠(chǎng)將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。 若按計劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠(chǎng)。為因應市場(chǎng)需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來(lái)增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。 隨著(zhù)微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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嚴防技術(shù)泄露 DRAM三大廠(chǎng)向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(cháng)鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 半導體人士透露，三大DRAM廠(chǎng)強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂(lè )見(jiàn)DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠(chǎng)采取法律制約員工跳槽的行動(dòng)，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問(wèn)題再擴大，明年再現飆漲
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為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠(chǎng)
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠(chǎng)，滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠(chǎng)，主要是為了確保能夠滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(cháng)，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導體工廠(chǎng)需要超過(guò)2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
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SK海力士開(kāi)發(fā)出10納米級DRAM 與三星拉近差距
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動(dòng)10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術(shù)研發(fā)，同時(shí)著(zhù)手開(kāi)發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續追求更高的技術(shù)競爭力。 據韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫(huà)名稱(chēng)的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶(hù)樣品生產(chǎn)，正進(jìn)行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠(chǎng)正式量
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SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號設為 Alius，已準備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認證。 半導體認證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶(hù)端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶(hù)測試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據報
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SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號設為 Alius，已準備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認證。 半導體認證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶(hù)端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶(hù)測試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據報
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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