被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

　　眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預期，于是從早幾年開(kāi)始，這個(gè)美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會(huì )在未來(lái)給Intel和美光帶來(lái)新的成長(cháng)激勵。尤其是對美光來(lái)說(shuō)，在現狀和未來(lái)的表現都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。

　　回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來(lái)，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：

　　(1)比NAND Flash快1000倍;

　　(2)成本只有DRAM的一半;

　　(3)使用壽命是NAND的1000倍;

　　(4)密度是傳統存儲的10倍;

　　而得益于這些優(yōu)勢，3D Xpoint能被廣泛應用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務(wù)交易和個(gè)體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應用示例。但從以上介紹，我們可以看出，3D Xpoint未來(lái)的應用非常有潛力。

　　Source：techreport

　　從美光的公告我們可以看出，2017年，他們將會(huì )從3D Xpoint上獲得收益。但美光并沒(méi)有詳細說(shuō)明會(huì )從3D Xpoint上獲得多少收益，美光同樣沒(méi)有介紹未來(lái)將會(huì )有哪些客戶(hù)使用這個(gè)新技術(shù)。

　　就我所看，2017年，美光從3D Xpoint上獲取的收益并不會(huì )太多，但可預期的是，未來(lái)數年，美光能從其身上獲得更大的成長(cháng)驅動(dòng)力。

　　英特爾與美光雙方宣稱(chēng)，3D XPoint能夠提供千倍于當前NAND產(chǎn)品的使用壽命水平。假設這里的參考對象為現代(15納米至20納米)MLC NAND，那么其使用壽命將達到數百萬(wàn)次全盤(pán)寫(xiě)入; 不過(guò)在市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)材料當中，我們看到相關(guān)產(chǎn)品的寫(xiě)入次數可以達到數千萬(wàn)次。

　　如果我們假定其全盤(pán)寫(xiě)入次數為300萬(wàn)次(即1000倍于現代MLC閃存)，那么一塊基于3D XPoint技術(shù)的256 GB驅動(dòng)器將能夠提供總計高達768 PB的數據寫(xiě)入能力。這相當于五年內每天寫(xiě)入420 TB數據，或者每秒寫(xiě)入4.9 GB數據。

　　對于目前依賴(lài)于NAND技術(shù)的存儲設備而言，3D XPoint將消除任何可能出現的使用壽命問(wèn)題——不過(guò)相對于耐久性幾乎無(wú)限的DRAM來(lái)說(shuō)，3D XPoint仍然要略遜一籌。企業(yè)最終是否會(huì )利用3D XPoint取代DRAM還是要取決于實(shí)際應用情況，特別是對于那些要求使用DRAM的企業(yè)級工作負載來(lái)說(shuō)更是如此。

　　3D XPoint的延遲水平在10納秒級別，但英特爾與美光雙方并沒(méi)有明確指出這一數字到底來(lái)自讀取延遲還是寫(xiě)入延遲。從英特爾方面提供的圖表來(lái)看，10納秒級別應該是指讀取延遲，因此NAND寫(xiě)入延遲的計量單位應該是毫秒(一般來(lái)講，全頁(yè)寫(xiě)入的延遲為1到2毫秒)，而圖表中列出的NAND延遲為數十微秒的說(shuō)法與NAND的讀取延遲相符。

　　寫(xiě)入延遲往往遠高于此，再結合英特爾與美光雙方作出的“速度可達NAND上千倍”的說(shuō)明，那么我們猜測3D XPoint的寫(xiě)入延遲應該在100納秒級別甚至是毫秒級別。不過(guò)更復雜的是，3D XPoint以bit為訪(fǎng)問(wèn)層級，而NAND以頁(yè)為訪(fǎng)問(wèn)層級，因此在不考慮外界因素的前提下比較二者的延遲水平相當困難。

　　無(wú)論如何，3D XPoint的性能表現應該更接近于DRAM而且優(yōu)于NAND，不過(guò)考慮到英特爾與美光都沒(méi)有就延遲給出明確參數，因此我們作出斷言恐怕還為時(shí)尚早。