SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

　　SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲器傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設計，位在利川(Icheon)的M14廠(chǎng)將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。

　　若按計劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠(chǎng)。為因應市場(chǎng)需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來(lái)增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。

　　隨著(zhù)微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013年量產(chǎn)48層3D NAND存儲器，至于64層3D NAND芯片也將在今年底開(kāi)始投產(chǎn)。

　　據市調機構DRAMeXchange統計，三星第三季NAND存儲器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。東芝以19.6%位居第二，Western Digital、SK海力士與美光分居三、四、五名，市占率依序為17.1%、10.4%與9.8%。