三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)利有望破256億美元

　　據海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導的韓國半導體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰營(yíng)業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀錄。

　　韓國半導體業(yè)可望在營(yíng)業(yè)利益創(chuàng )下新紀錄，主要受惠于存儲器價(jià)格快速上揚，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續增長(cháng)。因此，預估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導體營(yíng)業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當年半導體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長(cháng)階段。

　　據券商及半導體業(yè)預估，三星光是在2017年的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。另外，估計SK海力士同期的營(yíng)業(yè)利益也將超過(guò)59.7億美元(約7兆韓元)、甚至逼近68.2億美元(約8兆韓元)。這意謂著(zhù)上述兩家公司的營(yíng)業(yè)利益將較過(guò)去一年分別成長(cháng)60%、100%，也同時(shí)創(chuàng )下各自的歷史新高紀錄。

　　半導體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家預估，若再加上包括Dongbu Hitek及其他中小型無(wú)晶圓廠(chǎng)公司的營(yíng)業(yè)利益，韓國半導體產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)利益將達到256億美元(約30兆韓元)。

　　之所以半導體營(yíng)業(yè)利益取得大幅成長(cháng)，主要原因還是在存儲器價(jià)格上揚，自2016年中來(lái)至今仍持續走揚。據市調機構DRAMeXchange指出，DDR3 4GB的價(jià)格在2016年底時(shí)為1.94美元，較2016年6月的1.25美元上漲了55.2%。NAND Flash存儲器的價(jià)格走勢也相差無(wú)幾，多層次存儲(Multi-Level Cell;MLC)NAND Flash 64GN存儲器價(jià)格在同期間由2.24美元漲至2.72美元，漲幅為21.4%。

　　據HMC Investment Securities Co.研究中心主管No Geun-chang表示，盡管個(gè)人電腦(PC)用DRAM價(jià)格可能在2017年第2季有所下滑，但仍將維持在較高點(diǎn)，主要因供給有限。

　　依據存儲器價(jià)格來(lái)預估，SK海力士的年度銷(xiāo)售及營(yíng)業(yè)利益，將分別增至199億美元(約23.3兆韓元)及66.5億美元(約7.8兆韓元)。而三星的銷(xiāo)售及營(yíng)業(yè)利益，則將分別增至546億美元(約64兆韓元)及184億美元(約21.5兆韓元)。

　　存儲器價(jià)格之所以走揚主要仍是受限于供給不足，而非因為需求增加。此現象在DRAM存儲器尤其明顯。在這方面，三星在新投資及技術(shù)改革上的努力相當有限;業(yè)界認為三星之所以有所保留是因為在Galaxy Note 7事件后，希望能夠減少開(kāi)支以保障公司的利潤率。

　　而另一個(gè)讓存儲器價(jià)格走揚的原因是，縮小DRAM存儲器體積的技術(shù)正陷入瓶頸。因此，相關(guān)的投資隨著(zhù)幾何級數而增加。在過(guò)去，可生產(chǎn)15萬(wàn)片300mm晶圓的生產(chǎn)線(xiàn)投資額約在42.6億~51.1億美元(5兆~6兆韓元)之間。但近來(lái)相關(guān)成本已增至85.2億美元(10兆韓元)以上。

　　盡管近來(lái)在3D NAND Flash的投資有所增加，但業(yè)界專(zhuān)家相信雖然將增加新的廠(chǎng)房，然存儲器價(jià)格短期內不會(huì )出現大跌，因為用于PC及服務(wù)器的固態(tài)硬碟(SSD)需求仍相當穩定。