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誰(shuí)能打破DRAM存儲器的三足鼎立格局?

  • DRAM三足鼎立的格局持續至今,然而隨著(zhù)中國軍團的加入一定程度上攪亂了這一潭太久沒(méi)有新鮮血液注入的渾水,DRAM市場(chǎng)三足鼎立的局面究竟是否還能繼續維持?未來(lái)的DRAM市場(chǎng)是一家獨大、三足鼎立還是百家爭鳴?或許關(guān)鍵就在于國產(chǎn)DRAM的表現。
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Gartner:2015年半導體公司營(yíng)收排行榜

  •   Gartner 5 日公布 2015 年全球半導體營(yíng)收,受到需求放緩、匯率劇烈變動(dòng)影響,總產(chǎn)值呈現下滑,然半導體老大哥英特爾,即便在接下來(lái)先進(jìn)制程競逐,可能落后臺積電與三星,2015 年仍穩坐半導體龍頭寶座,而兩大韓廠(chǎng)三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。   Gartner 5 日公布 2015 年全球半導體營(yíng)收,需求減緩加上匯率較劇烈的變動(dòng),使得半導體整體營(yíng)收下滑,全年總產(chǎn)值 3,348 億美元,較去年同期衰退 2.3%,前 25 大廠(chǎng)商占整體半導體廠(chǎng)營(yíng)收比重來(lái)到 73.5%,較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機存儲器醞釀新風(fēng)暴

  •   繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片,SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片,盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果,然隨著(zhù)全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭及第四大廠(chǎng)紛開(kāi)始量產(chǎn)UFS芯片,可望加速智慧型手機存儲器規格升級,業(yè)界預估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機陸續上市。   根據韓國電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開(kāi)始量產(chǎn)HBM2內存

  •   隨著(zhù)新一代顯卡到來(lái),內存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據德國IT網(wǎng)站Golem.de報道,SK Hynix計劃不久將開(kāi)始生產(chǎn)第二代高帶寬內存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預計在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。   通過(guò)這一舉措,SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內存生產(chǎn)計劃。標準組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規范。 HBM2總線(xiàn)位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開(kāi)始量產(chǎn)HBM2內存

  •   隨著(zhù)新一代顯卡到來(lái),內存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據德國IT網(wǎng)站Golem.de報道,SK Hynix計劃不久將開(kāi)始生產(chǎn)第二代高帶寬內存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預計在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。   通過(guò)這一舉措,SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內存生產(chǎn)計劃。標準組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規范。 HBM2總線(xiàn)位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠(chǎng)

  •   日經(jīng)新聞報導,SK海力士周一宣布,將砸15.5兆韓元(125億美元),再蓋一座新存儲器工廠(chǎng)。   新廠(chǎng)選址在南韓忠清南道省北部,與原海力士舊廠(chǎng)比鄰。據日經(jīng)新聞報導,海力士已取得25萬(wàn)平方公尺的土地面積,并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU),新廠(chǎng)預計將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。   新廠(chǎng)確切的產(chǎn)品目前還不清楚,不過(guò)海力士某官員暗示應該為NAND存儲器,若新廠(chǎng)全部投入生產(chǎn)NAND存儲器,海力士現有NAND存儲器產(chǎn)能將擴增超過(guò)兩倍。   此外,海力士亦宣布已開(kāi)始在現有的清州廠(chǎng)量產(chǎn)先進(jìn)的3
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一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規模投資

  • 2016年展望并不樂(lè )觀(guān),PC市場(chǎng)成長(cháng)已停滯好幾年,連智能型手機市場(chǎng)也出現成長(cháng)趨緩的跡象,DRAM、NAND Flash的價(jià)格也因此持續下跌,這個(gè)時(shí)候逆勢上揚也是下了多大的決心。
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紫光被SK海力士拒絕擬入股美光 華亞科叫好

  •   大陸紫光集團入股南韓SK海力士遭拒,消息人士透露,紫光集團已專(zhuān)注與美光(Micron)洽商入股,預料很快可明朗化,讓同屬美光集團的華亞科戰略地位大大提升。        消息人士透露,紫光集團將以不堅持在大陸設DRAM廠(chǎng)為條件,爭取入股美光。紫光董事長(cháng)趙偉國證實(shí),紫光正和美一芯片廠(chǎng)洽商合作,雖然紫光不愿透露對象,但市場(chǎng)推估應該就是美光。   據了解,美光若獲紫光入股,紫光未來(lái)將借重美光提供龐大的DRAM貨源,美光獲財力雄厚的紫光集團提供金援,將可快速推進(jìn)DRAM制程腳步,讓美光從
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三星、SK海力士獨大 對韓國半導體是福還是禍

  •   韓國半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠(chǎng)之外,正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲器市場(chǎng)第一、二名,營(yíng)收每年大幅成長(cháng),韓國半導體產(chǎn)業(yè)出現基礎強化的錯覺(jué)。然事實(shí)上除兩大廠(chǎng)外,韓國半導體產(chǎn)業(yè)規模正逐漸縮減。   Digital Times引用市調機構IHS資料指出,2015年上半韓國半導體營(yíng)收中,三星以199.63億美元占66.9%,SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營(yíng)收比重合計達95.6%,以最近期第2季資料來(lái)看,比重更
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三星SK海力士存儲器被中國美國追趕 韓政府預算零成長(cháng)

  •   韓國政府2016年未編列半導體預算,使韓國半導體業(yè)界不滿(mǎn)聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場(chǎng)上,大陸和美國迅速追擊,韓國半導體業(yè)者危機感提升,而列為未來(lái)成長(cháng)動(dòng)能的IC設計,也未受到韓國政府重視。   據Digital Times報導,韓國政府對半導體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè),以及電子情報裝置新事業(yè)等,均未編列預算。自2016年起,將不會(huì )有由韓國政府主導的新半導體相關(guān)研發(fā)。   目前正在進(jìn)行的系統芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出,產(chǎn)業(yè)委員會(huì )對于預算方面提出質(zhì)疑,并主張增資30
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三星SK海力士營(yíng)收持平 Q3移動(dòng)存儲器占DRAM營(yíng)收40%

  •   市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀(guān)察指出,受到市況供過(guò)于求影響,DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下降,然而各家廠(chǎng)商策略性地將跌幅最大的標準型存儲器產(chǎn)能轉往毛利較高、價(jià)格較穩定的服務(wù)器存儲器及移動(dòng)存儲器領(lǐng)域,配合位元顆粒仍持續成長(cháng),整體DRAM營(yíng)收規模尚未出現大幅的縮減。   DRAMeXchange最新報告顯示,第三季DRAM總產(chǎn)值小幅衰退1.2%,移動(dòng)存儲器占總營(yíng)收比重從第二季的33.7%,大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第
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三星、SK海力士2016年半導體投資前景仍未明

  • 現在是2016年半導體設備投資應稍有雛形的時(shí)間點(diǎn),但韓系半導體大廠(chǎng)經(jīng)營(yíng)計劃不明朗,變動(dòng)性大,半導體設備業(yè)者難以擬定事業(yè)計劃。
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全球第二!SK海力士追上三星、量產(chǎn)20納米DRAM

  •   SK海力士終于趕上三星電子,成為全球第二家成功量產(chǎn)20奈米DRAM的廠(chǎng)商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā),期盼能在明年量產(chǎn)48層3D NAND。   BusinessKorea 15日報導,SK海力士人員受訪(fǎng)表示,該公司引入20奈米DRAM制程,過(guò)程雖有困難,但已經(jīng)穩定,開(kāi)始寄送樣品給客戶(hù)、進(jìn)入量產(chǎn)。據此而言,SK海力士是世界第二家量產(chǎn)20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開(kāi)先例,去年3月就量產(chǎn)20奈米DRAM。   SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫(huà),社長(cháng)樸星昱(Park Sung-wo
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鴻海、SK海力士要包攬亞洲市場(chǎng)?

  •   南韓第三大企業(yè)集團SK會(huì )長(cháng)崔泰源近日來(lái)臺,并前往鴻海土城總部與董事長(cháng)郭臺銘會(huì )面,雙方暢談近2小時(shí)。會(huì )后雙方接受短暫訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示,此次主要是初步交流,瞭解有多少機會(huì )能進(jìn)行合作,未來(lái)可能共同在臺灣、中國、印度等地區發(fā)展,不過(guò)尚未談到具體合作細節。   郭臺銘表示,鴻海及SK集團1、2年前彼此有投資關(guān)系,過(guò)去已見(jiàn)面許多次,崔泰銘此次先前往中國再來(lái)訪(fǎng)臺灣,主要想看看兩岸整體經(jīng)濟環(huán)境、尋找生意機會(huì )。這次崔泰銘首度來(lái)訪(fǎng),是想瞭解鴻海目前的營(yíng)運狀況,針對有多少機會(huì )能進(jìn)行合作,于臺灣、中國、印度、甚至是全世界發(fā)展,進(jìn)
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SK海力士進(jìn)軍超高速SSD市場(chǎng)

  •   繼三星電子(Samsung Electronics)之后,SK海力士(SK Hynix)也進(jìn)軍超高速固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。將推出應用非揮發(fā)性存儲器儲存裝置(NVMe)標準的SSD。   據韓媒Newsis報導,日前業(yè)界消息傳出,SK海力士已投入量產(chǎn)NVMe架構的M.2規格SSD新產(chǎn)品“PC300”。容量512GB,該產(chǎn)品能讓搭載的超輕薄筆記型電腦(NB)速度更快,電池更薄卻待機更久,可望取代SSD。   所謂NVMe是PCIe架構的介面,讓搭載SSD的伺服器、PC得以提升
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