EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
?sk海力士
?sk海力士 文章 進(jìn)入?sk海力士技術(shù)社區
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數據傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實(shí)現商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設計工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節則將交由外部代工廠(chǎng)負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開(kāi)發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內繼續開(kāi)拓中國市場(chǎng)，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預計會(huì )有較為明顯的下調，尤其是在內存容量方面，據TrendForce報道英偉達可能會(huì )用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會(huì )對現有的供應鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗，值得注意的是，現階段GDDR7的供應主要由三星提供支持，S
- 關(guān)鍵字： 英偉達 H20 GDDR HBM 三星 SK海力士
長(cháng)江存儲主導混合鍵合專(zhuān)利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大
- 隨著(zhù)存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來(lái)越受到關(guān)注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專(zhuān)利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專(zhuān)利相對較少，大幅低于競爭對手長(cháng)江存儲。 據報道，三星電子已與長(cháng)江存儲簽署了一項許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規避長(cháng)江存儲的專(zhuān)利的挑戰，這些專(zhuān)利被認為難以避免。報告指出，長(cháng)江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 混合鍵合 三星 SK海力士
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場(chǎng)近期出現顯著(zhù)價(jià)格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續攀升。 根據最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶(hù)的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶(hù)急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續推動(dòng)了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠(chǎng)集中資源，生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流
- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶(hù)將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著(zhù)內存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營(yíng)業(yè)利潤同比增長(cháng)158%，為7.44萬(wàn)億韓元（約合52億美元），超過(guò)預期的6.6萬(wàn)億韓元。營(yíng)收同比增長(cháng)42%，達到17.63萬(wàn)億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績(jì)，此前該公司上一季度營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤均創(chuàng )歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長(cháng)。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場(chǎng)36%的份額，而三星是34%。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 存儲芯片 HBM
三大內存廠(chǎng)持續減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠(chǎng)紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶(hù)停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為，市場(chǎng)景氣低迷，上游存儲器廠(chǎng)加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內內存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來(lái)基本面仍存隱憂(yōu)。三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
- 關(guān)鍵字： DDR4 三星 SK海力士 美光
SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶(hù)驗證， 引領(lǐng)數據中心存儲技術(shù)創(chuàng )新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節）產(chǎn)品的客戶(hù)驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應用于服務(wù)器系統，相較于現有的DDR5模組，其容量增長(cháng)了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產(chǎn)品有望顯著(zhù)降低客戶(hù)在構建并運營(yíng)數據中心時(shí)所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶(hù)開(kāi)展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數據中心存儲
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達70%
- 4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠(chǎng)商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營(yíng)收與市占率的增長(cháng)至少會(huì )持續到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DRAM
美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶(hù)提高內存芯片價(jià)格——從當前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(cháng)”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預計2025年和2026年價(jià)格都會(huì )上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過(guò)剩，但隨著(zhù)主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購
- 據韓媒報道，根據SK海力士向韓國金融監管機構FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時(shí)支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠(chǎng)的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價(jià)取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關(guān)的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及大連工廠(chǎng)的員工在內的其余相關(guān)有形/無(wú)形資產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英特爾 NAND
SK海力士首次向客戶(hù)提供12層HBM4樣品，預計下半年量產(chǎn)
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶(hù)提供了其樣品。據悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實(shí)現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，FHD）級電影（5GB=5千兆字節）的數據，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時(shí)，公司通過(guò)在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 HBM
SK海力士宣布全球首次向客戶(hù)提供“12層HBM4”樣品
- 2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶(hù)提供了其樣品。SK海力士強調：“以引領(lǐng)HBM市場(chǎng)的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗為基礎，能夠比原計劃提早實(shí)現12層HBM4的樣品出貨，并已開(kāi)始與客戶(hù)的驗證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場(chǎng)領(lǐng)導地位?！贝舜翁峁┑?2層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。此產(chǎn)品首次實(shí)現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶
- 關(guān)鍵字： SK海力士 12層HBM4
SK海力士完成90億美元收購 英特爾閃存業(yè)務(wù)塵埃落定
- 在全球半導體產(chǎn)業(yè)格局加速重構的背景下，韓國存儲巨頭SK海力士即將為英特爾NAND業(yè)務(wù)畫(huà)上句號。根據最新進(jìn)展，SK海力士將在未來(lái)幾周內支付最后一筆22.4億美元款項，標志著(zhù)歷時(shí)五年的90億美元收購案正式收官。這一交易不僅宣告了英特爾徹底退出閃存市場(chǎng)，更讓SK海力士在與三星的競爭中握有新籌碼。此次收購涵蓋英特爾大連工廠(chǎng)的NAND制造業(yè)務(wù)及相關(guān)知識產(chǎn)權，其固態(tài)硬盤(pán)部門(mén)則獨立為Solidigm子公司。值得關(guān)注的是，隨著(zhù)最后階段資金到位，SK海力士將獲得大連工廠(chǎng)的完整技術(shù)控制權。集邦咨詢(xún)分析指出，此次整合有望推動(dòng)S
- 關(guān)鍵字： 英特爾 SK海力士 收購
?sk海力士介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
?sk海力士專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473