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Gartner：2014全球芯片銷(xiāo)售額同比增7.9% 內存芯片領(lǐng)漲
- 據《華爾街日報》網(wǎng)絡(luò )版報道，市場(chǎng)調研公司Gartner發(fā)布的初步數據顯示，隨著(zhù)傳統PC產(chǎn)能的回升，2014年全球芯片銷(xiāo)售額同比增長(cháng)7.9%。內存芯片制造商引領(lǐng)了這輪增長(cháng)。 數據顯示，去年全球芯片銷(xiāo)售額增長(cháng)至3398億美元，前25大半導體公司占據了總銷(xiāo)售額的72.1%，高于2013年的69.7%。 英特爾繼續保持其第一大半導體公司的地位，2014年芯片營(yíng)收預計在508.4億美元，同比增長(cháng)4.6%，在經(jīng)歷了兩年的下滑后重新恢復增長(cháng)。三星電子排在第二，預計營(yíng)收在352.8億美元，同比增長(cháng)10%。
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韓半導體投資擴大 設備廠(chǎng)新年度期待滿(mǎn)滿(mǎn)
- 韓系半導體大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續擴大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)，2014年受到半導體市場(chǎng)榮景帶動(dòng)對產(chǎn)線(xiàn)投資而荷包滿(mǎn)滿(mǎn)的設備業(yè)者，預期2015年也將迎來(lái)亮眼的業(yè)績(jì)。 據ET News報導，三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統芯片產(chǎn)線(xiàn)而執行投資。因轉換微細制程，導致生產(chǎn)量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。 三星17產(chǎn)線(xiàn)將于201
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三星及SK海力士將投資19萬(wàn)億韓元研發(fā)芯片
- 三星電子和世界頂級的內存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬(wàn)億韓元用于研發(fā)芯片，此次投資計劃高于去年17.7萬(wàn)億韓元的芯片投資資金。據美國一位對沖基金負責人表示，三星電子和SK海力士希望通過(guò)此次19萬(wàn)億韓元的投資，改善產(chǎn)品結構，適應市場(chǎng)狀況，調整市場(chǎng)的供求平衡。 據悉，一些對沖基金和市場(chǎng)投資機構都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來(lái)發(fā)展。按照投資計劃，三星電子計劃投資3.5萬(wàn)億韓元，SK海力士計劃投資5.5萬(wàn)億韓元。三星一位官員表示，三星的銷(xiāo)量增長(cháng)將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰火正熱，持續成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠(chǎng)，使出渾身解數綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機會(huì )延伸至SSD產(chǎn)品線(xiàn)上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內部極度重視SSD產(chǎn)品線(xiàn)，立下通吃NAND Flash大廠(chǎng)和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營(yíng)運
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東芝擬砸10億美元與南亞科結盟 全面反擊三星
- 全球存儲器產(chǎn)業(yè)恐將再爆震撼彈，面對三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市場(chǎng)搶盡風(fēng)頭，東芝(Toshiba)為取得穩定的DRAM貨源將大舉反攻，業(yè)界傳出其向南亞科提出10億美元的策略聯(lián)盟投資案，將再度開(kāi)啟臺、日存儲器結盟新里程碑，合作案是否會(huì )成局，2015年第1季底前可望確定。不過(guò)，南亞科未證實(shí)該項消息。 全球存儲器產(chǎn)業(yè)甫經(jīng)歷大洗牌，全球三大DRAM廠(chǎng)版圖底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均擁有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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20納米制程 躍今年DRAM主秀
- 隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產(chǎn)，讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)，將正式推進(jìn)至20奈米世代。 不過(guò)，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎上進(jìn)行擴充，也讓今年各家20奈米制程推進(jìn)趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告，預告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續維持寡占格局，支持DRAM持穩不墜，今年各家DRAM廠(chǎng)仍處于全面獲利的一年。 集邦預估，今年DARM產(chǎn)值達541億元，年增16%。
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開(kāi)發(fā)下一代半導體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷(xiāo)對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導權，取代相互耗損的專(zhuān)利訴訟。 據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長(cháng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結專(zhuān)利授權合約，并自2011年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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新iPhone傳DRAM容量倍增 三星、SK海力士樂(lè )開(kāi)懷
- 蘋(píng)果(Apple)預計2015年推出的新一代iPhone和iPad，傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增，占蘋(píng)果DRAM供應量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。 據南韓經(jīng)濟日報報導，在Mobile DRAM市場(chǎng)上，三星和SK海力士的市占率約達75%。近來(lái)使用智能型手機的人口增加，穿戴式裝置市場(chǎng)也逐漸擴大，讓DRAM需求扶搖直上。 據南韓證券業(yè)者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
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第三季全球移動(dòng)存儲器營(yíng)收34.6億美元
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調查顯示，全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在 2014年第三季達34.6億美元，季成長(cháng)6%，占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導體(Samsung)不意外仍穩居第三季行動(dòng)式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài)，導致第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格小幅度下滑，但因位元產(chǎn)出增加，全球行動(dòng)式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
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制程在競賽 獲利很穩定
- 三星、SK海力士及美光三大DRAM廠(chǎng)明年制程進(jìn)入20納米世代，盡管市場(chǎng)憂(yōu)心恐造成供給大增、壓抑價(jià)格走勢，但DRAM業(yè)者強調，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問(wèn)題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價(jià)格仍可望持穩，業(yè)者仍會(huì )穩定獲利。 集邦協(xié)理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進(jìn)至25納米期間，都吃足苦頭，預料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰。三星首次進(jìn)入28納米制程時(shí)，因良率無(wú)法有效提升，黯然宣告中止，部分產(chǎn)能轉回35納米，
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DRAM寡占陣營(yíng)將面臨價(jià)格壓力？
- 隨著(zhù)DRAM三大陣營(yíng)的確立，今年DRAM各大陣營(yíng)的獲利與營(yíng)收，都可說(shuō)是連連報捷，這也使得在先進(jìn)制程的投入也更加積極。但是否又會(huì )再次面臨價(jià)格下跌的壓力?答案似乎是有可能的。 根據TrendForce表示，今年以來(lái)DRAM市場(chǎng)一直呈現供貨吃緊、價(jià)格持續走揚的市況來(lái)規劃未來(lái)需求，DRAM廠(chǎng)紛紛決定自2014年第四季開(kāi)始增加產(chǎn)能。按照DRAM廠(chǎng)現有的規劃，2015年制程微縮與新增產(chǎn)能貢獻產(chǎn)出年增率將逼近30%，現有的DRAM產(chǎn)業(yè)的寡占架構將面臨重大挑戰，若明年總體經(jīng)濟狀況不如預期，此舉恐怕導致DRA
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SK海力士擴大HBM供應量搶占次世代半導體市場(chǎng)
- 2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績(jì)告捷，在次世代存儲器技術(shù)競爭中也占據優(yōu)勢，未來(lái)可望帶動(dòng)版圖變化。 SK海力士的次世代存儲器獲全球系統芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進(jìn)行性能測試，未來(lái)將有機會(huì )超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場(chǎng)競爭中也將居優(yōu)勢。 據韓國每日經(jīng)濟報導，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應給AMD、NVIDIA等全球性系統芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進(jìn)行測試。 SK
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