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全球半導體支出縮減 三星、SK海力士反其道而行

  •   南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設備投資(CAPEX)競爭。在其他地區競爭業(yè)者擔憂(yōu)IT產(chǎn)品需求趨緩,而縮減設備投資規模時(shí),三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行,擴大投資并推動(dòng)微細制程尖端化等,致力于研發(fā)新技術(shù),未來(lái)在競爭中將更具優(yōu)勢。   據南韓Newstomatoa報導,英特爾(Intel)決定將2015年設備投資規模,從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設備投資規模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)
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DRAM慘!SK海力士Q3難好轉、轉攻NAND救火

  •   南韓存儲器大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)第二季財報遜于預期,分析師預估,由于個(gè)人電腦(PC)的DRAM需求持續疲軟,SK海力士本季表現恐怕難有起色。   韓聯(lián)社24日報導,SK海力士Q2營(yíng)益為1.37兆韓圜(11.8億美元),不及分析師估計的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出,PC DRAM需求欠佳,8月份為止價(jià)格將持續下滑,到9月才會(huì )回穩,因此SK海力士Q3的DRAM營(yíng)益會(huì )與前季持平;不過(guò),下半年該公司的NAN
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清華紫光若買(mǎi)下美光 影響SK海力士有限

  •   清華紫光傳出有意收購美光(Micron)消息后,韓國分析師認為,雙方成交后對于韓國對手SK海力士(SK Hynix)影響不大,而且清華紫光提出價(jià)格偏低及政治因素,都是阻礙成交的因素。   據韓國時(shí)報(The Korea Times)報導,Hi Investment分析師Song Myeong-seop表示,由于存在諸多外部因素,短期內該收購案恐怕無(wú)法成真。即使最終清華紫光如愿買(mǎi)下美光,也只會(huì )對SK海力士造成輕微影響。   有分析師指出,SK海力士在DRAM技術(shù)上領(lǐng)先美光至少18個(gè)月,因此SK海力士
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三星、SK海力士領(lǐng)軍 NAND Flash主導下半年設備投資

  • DRAM與NAND Flash市場(chǎng)預期下半年將持續榮景,主要設備廠(chǎng)商業(yè)績(jì)也有望改善,三星電子和海力士獲利最大。
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平面架構1x納米NAND揭密!

  •   過(guò)去的一年半以來(lái),主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開(kāi)放市場(chǎng)上所銷(xiāo)售元件的供應來(lái)源,美光(Micron)是從2014年2月開(kāi)始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠(chǎng)商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后,TechInsights實(shí)驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。   針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn),在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
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擴產(chǎn)或受影響?SK海力士工廠(chǎng)氮氣外泄奪三命

  •   南韓記憶體大廠(chǎng)SK 海力士 (SK Hynix )又傳公安意外,造成三人喪命!SK海力士施工中的新廠(chǎng)氮氣外泄,有三名工人窒息死亡,上個(gè)月該廠(chǎng)才有13名工人因氣體外泄送醫。   etnews、 韓國先驅報(The Korea Herald)、路透社報導,SK海力士的M14仁川工廠(chǎng)十樓,30日發(fā)生氮氣外泄事故。該公司稱(chēng),工人正在測試剛安裝好的濕式空氣清凈系統,可能因此窒息死亡。氮氣沒(méi)有毒性,但是密閉空間中氮氣外泄,會(huì )導致含氧量會(huì )迅速減少,危險性極高。   M14仁川廠(chǎng)三月份才發(fā)生過(guò)類(lèi)似意外,當時(shí)有13
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DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫,中國全面搶灘市場(chǎng)

  •   中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面,業(yè)界透露中國將分三個(gè)階段著(zhù)手,包括扶植大型集團建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠(chǎng)合作、強制品牌系統廠(chǎng)采用, 由于上一輪全球DRAM市場(chǎng)崩盤(pán)是在2008年發(fā)生,業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆,對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。   半導體業(yè)者表示,中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問(wèn)題,似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠(chǎng)所把持的DRAM技術(shù),然事實(shí)上,中
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SK海力士超車(chē)美光、躍居全球第四大芯片商

  •   南韓業(yè)者來(lái)勢洶洶,在半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)力日益壯大!外傳三星電子(Samsung Electronics)靠著(zhù)先進(jìn)制程搶走臺積電 (2330)不少大單,如今IHS Technology數據又顯示,南韓記憶體大廠(chǎng)SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology),晉身全球第四大晶片制造商。
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SK海力士全面進(jìn)入20納米級DRAM時(shí)代

  •   SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM,全面進(jìn)入20納米級生產(chǎn)時(shí)代。據了解,SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM,不過(guò)到2015年第1季,生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例,已高達全體生產(chǎn)的82%。   韓媒Digital Times報導,日前業(yè)界消息傳出,SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止,約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%,但從2015年第1季開(kāi)始已全面轉進(jìn)20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron),目前30納米級
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SK海力士20nm級制程轉換,4年后100%完成

  •   SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級制程進(jìn)展迅速!韓媒報導,SK海力士引進(jìn)38奈米制程,已在四年后停止30奈米級生產(chǎn),全數轉為20奈米級制程。   韓媒BusinessKorea 13日報導,2014年第四季,SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%,預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱(chēng),今年Q1,25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預估,SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程,明年邁上軌道。   相較之下,30奈米制程仍占美光
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嗆三星!SK海力士20奈米級制程轉換、100%完成

  •   SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級制程進(jìn)展迅速!韓媒報導,SK海力士引進(jìn)38奈米制程,已在四年后停止30奈米級生產(chǎn),全數轉為20奈米級制程。   韓媒BusinessKorea 13日報導,2014年第四季,SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%,預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱(chēng),今年Q1,25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預估,SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程,明年邁上軌道。   相較之下,30奈米制程仍占美光
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迎接物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代 SK海力士擴大晶圓代工事業(yè)

  •   韓系半導體大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)將擴大非存儲器領(lǐng)域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程推動(dòng)晶圓代工事業(yè)發(fā)展,SK海力士將把焦點(diǎn)放在8吋90納米制程,以架構少量生產(chǎn)多元系統芯片的生產(chǎn)系統。   據ET News報導,為擴大專(zhuān)門(mén)提供晶圓代工服務(wù)的清州M8廠(chǎng)可生產(chǎn)的芯片種類(lèi),SK海力士著(zhù)手重新調整產(chǎn)線(xiàn)。   M8廠(chǎng)主要生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅動(dòng)芯片(DDI)等。過(guò)去也曾生產(chǎn)N
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SK海力士啟航3年 成為SK集團當紅炸子雞

  •   SK海力士(SK Hynix)成立3年便進(jìn)入營(yíng)業(yè)利益5兆韓元具樂(lè )部(約45.3億美元),成為SK集團(SK Group)的當紅炸子雞。目前正著(zhù)手系統芯片研發(fā),同時(shí)積極購并企業(yè)以掌握必要的技術(shù)力。中長(cháng)期目標便是成為綜合半導體企業(yè)。   根據韓媒AsiaToday的報導,SK海力士的業(yè)績(jì)已經(jīng)超越SK集團的傳統主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT),將2家公司2014年的營(yíng)業(yè)利益合并計算后,得到的數值只有SK海力士營(yíng)業(yè)利益的4分之1。   SK海力士在成立第1年雖然有超過(guò)2,000億韓元
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SK海力士今年成長(cháng)三大核心 20納米、M14新廠(chǎng)、3D NAND

  •   面對競爭激烈的半導體市場(chǎng),SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續成長(cháng),2015年將面臨三大課題:成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構利川M14新廠(chǎng)的量產(chǎn)系統,以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。   根據韓媒E-Daily報導,SK海力士社長(cháng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì )上表示,2015年下半初期將開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM,意即最快在7月SK海力士就會(huì )開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM。   SK海力士近2年業(yè)績(jì)屢創(chuàng )新高,主力產(chǎn)
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三星、SK海力士半導體獲利佳 今年可望更上層樓

  •   三星集團(Samsung Group)和SK集團(SK Group)正迅速拓展半導體事業(yè)領(lǐng)域。移動(dòng)裝置和煉油等主力事業(yè)成長(cháng)停滯不前,半導體事業(yè)儼然成為集團金雞母。   據Digital Times報導,SK海力士(SK Hynix)獨家對樂(lè )金電子(LG Electronics)供應固態(tài)硬碟(SSD),搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產(chǎn)品銷(xiāo)售量提升約30%,SK海力士的SSD獲樂(lè )金熱門(mén)機種搭載,對SK海力士相對表現較不出色的NAND F
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