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SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾
- 隨著(zhù)2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應用比重將挑戰40%，全球儲存領(lǐng)域異業(yè)整合風(fēng)潮將邁向另一個(gè)高峰，繼硬碟龍頭廠(chǎng)西部數據(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲器大廠(chǎng)閃迪(SanDisk)，近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司，專(zhuān)攻企業(yè)云端SSD市場(chǎng)，成為握有HDD和SSD兩大儲存產(chǎn)品的新陣營(yíng)，挑戰既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，未來(lái)云端SSD可望是NAND
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)端認證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(cháng)金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(cháng)金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士全力發(fā)展CIS、PMIC及DDIC事業(yè)
- 傳聞2017年SK海力士(SK Hynix)將在利川12吋晶圓廠(chǎng)(M10)量產(chǎn)1,300萬(wàn)畫(huà)素CMOS影像感測器(CIS)，并減少清州8吋晶圓廠(chǎng)(M8) 的低畫(huà)素CIS產(chǎn)量，M8廠(chǎng)空出的產(chǎn)能將進(jìn)行代工生產(chǎn)顯示器驅動(dòng)IC(DDIC)、電源管理IC(PMIC)等系統半導體，全力發(fā)展非存儲器半導體事業(yè)。 據韓媒ET News報導，SK海力士的非存儲器半導體事業(yè)發(fā)展方向日前定案，已進(jìn)入執行階段;SK海力士并以45億韓元(約397萬(wàn)美元)向子公司Silicon File取得相關(guān)資產(chǎn)設備。Silicon F
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SK海力士Q3獲利勝預期，看好第四季存儲器市況
- 韓國第二大存儲器廠(chǎng)SK 海力士周二公布第三季獲利盡管大減近五成，但仍?xún)?yōu)于市場(chǎng)預期，激勵股價(jià)盤(pán)中走揚。 海力士7-9月?tīng)I業(yè)利潤賺進(jìn)7,259億韓圈(6.41億美元)，雖然較去年同期降低47.5%，但高于路透社調查預估的6,720億韓圈。如與前季相比，營(yíng)業(yè)利潤跳增60.3%，較能反映存儲器近期價(jià)格回漲。 當季營(yíng)收來(lái)到4.2兆韓圈，較去年同期衰退13.8%。受財報利多消息激勵，海力士早盤(pán)于韓股盤(pán)中勁揚3.11%、暫報41,400韓圈，今年迄今累計漲幅達34.8%。 海力士在聲明稿上表示，電腦存儲
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SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類(lèi)人腦半導體元件
- SK海力士(SK Hynix)與美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結構類(lèi)似人類(lèi)腦神經(jīng)構造的新半導體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運算速度，加速人工智能(AI)時(shí)代來(lái)臨。 據韓國經(jīng)濟報導，日前SK海力士與美國史丹佛大學(xué)簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項研究計劃的參與單位還包括半導體設備業(yè)者科林研發(fā)(
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存儲器市場(chǎng)還能熱多久？SK海力士年K線(xiàn)飆35%、還將續漲20%？
- 據海外媒體報道，存儲器價(jià)格超夯，今年至今韓廠(chǎng)SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當樂(lè )觀(guān)，預言還有20%上行空間。 巴倫(Barronˋs)14日報導，DRAM價(jià)格上漲，帶動(dòng)SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預估，第三季DRAM價(jià)格將季增9%，第四季價(jià)格可能會(huì )再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計，SK海力士股價(jià)可望續漲20%。 大摩報告稱(chēng)，時(shí)序邁向Q4，DRAM和NAND價(jià)格表現都優(yōu)于預期，也勝過(guò)SK海力士的預估。DRAM投
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居全球第六大 SK海力士積極擴展CIS事業(yè)
- 據海外媒體報道，SK海力士(SK Hynix)計劃在韓國利川12吋晶圓廠(chǎng)M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出，SK海力士將能強化自家CIS事業(yè)競爭力，并有望在目前正在更迭的市場(chǎng)版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報導指出，SK海力士此舉代表著(zhù)，想要正式挑戰非存儲器市場(chǎng)的企圖心。過(guò)去這段期間，SK海力士不斷苦惱著(zhù)，在利川12吋新廠(chǎng)M14啟動(dòng)后，該如何使用M10廠(chǎng)。因為如果將M10 DRAM生產(chǎn)量移轉至M14，M10里的產(chǎn)線(xiàn)將會(huì )閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過(guò)，M10之后可
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傳SK海力士買(mǎi)下銀燦eMMC部門(mén)
- 韓國NAND Flash大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)積極建立芯片設計團隊，繼買(mǎi)下美系NAND Flash設計公司LAMD后，近期更出手買(mǎi)下USB 3.0設計廠(chǎng)銀燦旗下內嵌式存儲器(eMMC)部
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第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(cháng)6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(cháng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元，季增長(cháng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般，但中國地區的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠(chǎng)也同步調整產(chǎn)品類(lèi)別，持續向行動(dòng)式內存
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?sk海力士介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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