嚴防技術(shù)泄露 DRAM三大廠(chǎng)向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
全球三大DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(cháng)鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸,讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板,也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員,遭到空前恫嚇。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201612/342101.htm半導體人士透露,三大DRAM廠(chǎng)強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù),顯示不樂(lè )見(jiàn)DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破,三大廠(chǎng)采取法律制約員工跳槽的行動(dòng),如果能奏效,將使DRAM供給缺口浮現問(wèn)題再擴大,明年再現飆漲。
中國大陸全力發(fā)展記憶體已列為政策目標,目前包括紫光集團、合肥長(cháng)鍵及福建晉華都相繼提出宏大發(fā)展計畫(huà),并且對外挖角行動(dòng)再擴大。
不過(guò),力晶集團執行長(cháng)黃崇仁透露,包括三星和SK海力士已寄存證信函給被合肥長(cháng)鑫挖角的原三星和SK海力士員工,并且措詞強硬,不惜傾所有資源提告。
無(wú)獨有偶,美光也發(fā)出存證信函給原擔任美光臺灣區總經(jīng)理,后來(lái)跳槽到聯(lián)電擔任副總經(jīng)理的陳正坤,而陳正坤正是聯(lián)電和福建晉華合作切入生產(chǎn)DRAM的主要負責人,全力防止美光的技術(shù)流入中國大陸,在業(yè)界引起極大震撼。
消息人士透露,三大DRAM廠(chǎng)寄出存證信函的舉動(dòng),也代表掌握一定的資料和證據,發(fā)現這些將三大廠(chǎng)的技術(shù)轉移到大陸,損及利益,預料后續也會(huì )跟著(zhù)采取法律行動(dòng),引起市場(chǎng)密切注意。
據了解,由于合肥長(cháng)鑫鎖定挖角剛并入美光的華亞科高達200位員工,且多以曾參與美光先進(jìn)制程的技術(shù)人員,美光內部也調派更多的法務(wù)人員來(lái)臺,進(jìn)行相關(guān)搜證和技術(shù)保全工作,防范技術(shù)遭到剽竊。
臺灣南亞科也有部分人員已跳槽到合肥長(cháng)鑫,但目前多以廠(chǎng)務(wù)為主,還未有制程技術(shù)人員加入對岸發(fā)展記憶體的集團,但南亞科也展開(kāi)智慧財產(chǎn)財權的保護和宣導工作。
南亞科總經(jīng)理李培瑛強調,DRAM幾乎是各種科技產(chǎn)品的必備電子元件,中國大陸長(cháng)期發(fā)展一定是以國際化為目標,各系統端電產(chǎn)品絕不能有侵權問(wèn)題,否則影響重大。
他認為,中國大陸如果用偷取技術(shù)為壯大自主記憶體產(chǎn)業(yè)為手段,絕對會(huì )遭到很大困難,臺灣DRAM技術(shù)人員不應被短期的高薪誘惑,貿然做出對原公司不利的事。

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