韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專(zhuān)利紛爭

　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長(cháng)江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰，SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。

　　據韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內部消息稱(chēng)，SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時(shí)還未趕上韓國，成立大陸工作小組只為提前應對未來(lái)可能發(fā)生的專(zhuān)利訴訟，故采取非正式編制的形式。

　　海力士半導體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導體產(chǎn)品。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠(chǎng)。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。市調機構IHS資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM市場(chǎng)占有率為25.2%，僅次于三星電子48.0%位居第二，但在NAND Flash市場(chǎng)卻僅有10.1%位居第五，遠落后于三星(35.4%)與東芝(19.6%)。

　　回看歷年SK海力士半導體專(zhuān)利訴訟，均是與美國或者日本半導體同業(yè)者有關(guān)的。

　　自2000年起，SK海力士與美國半導體專(zhuān)利授權業(yè)者Rambus展開(kāi)13年專(zhuān)利訴訟，最終在2013年，SK海力士和Rambus簽訂了一個(gè)為期5年的專(zhuān)利授權協(xié)議，SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專(zhuān)利授權費，按照每季度1200萬(wàn)美元的方式支付，而Rambus則向SK海力士開(kāi)放相應的內存專(zhuān)利授權。

　　2004年，SK海力士與東芝展開(kāi)3年在日本、美國的NAND Flash專(zhuān)利侵權訴訟，直到2007年3月，雙方才以專(zhuān)利交叉授權方式和解。

　　2014年，因NAND Flash技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出1.1萬(wàn)億韓元(約9.1億美元)規模的民事賠償，雙方關(guān)系一度破裂，最后SK海力士以支付2.8億美元，相當訴訟規模27%的和解金與東芝達成協(xié)議，撤銷(xiāo)訴松。此外，SK海力士半導體部門(mén)與東芝間的專(zhuān)利交叉授權合約，與產(chǎn)品供應契約均獲得了延長(cháng)。

　　2015年，美國內存大廠(chǎng)SanDisk曾控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給SK海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk同意撤回官司。之后，SK海力士與SanDisk還進(jìn)一步就專(zhuān)利授權取得新協(xié)議，海力士將支付SanDisk專(zhuān)利授權費，并供應DRAM給SanDisk，時(shí)間將持續至2023年。

　　但是近幾年，在大陸政策的支持下，大陸半導體行業(yè)正在飛速發(fā)展。

　　國務(wù)院先后于2014年6月、2015年5月發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》與《中國制造2025》，給予大陸IC產(chǎn)業(yè)政策支持。其中，前者最重要的政策支持則在于半導體產(chǎn)業(yè)投資基金的設立;而后者則明確訂定2020年大陸IC內需市場(chǎng)自制率將達40%，2025年將更進(jìn)一步提高至70%的政策目標。

　　目前，全球僅有三星、東芝、美光、SK海力士四家企業(yè)在生產(chǎn)主流存儲器。為了彌補這塊空白，2016年，總投資240億美元的國家存儲器基地項目于武漢宣布正式開(kāi)工，紫光集團入股長(cháng)江存儲，并執掌項目建設亦引人注目。

　　據悉，長(cháng)江存儲準備進(jìn)軍存儲芯片的起點(diǎn)不低，投產(chǎn)后將直接生產(chǎn)3D NAND閃存。在今年一月的半導體峰會(huì )上，長(cháng)江存儲科技執行長(cháng)楊士寧表示，目前長(cháng)江存儲在32層3D NAND Flash發(fā)展順利，產(chǎn)品指標良好，預計在2019年可實(shí)現產(chǎn)能滿(mǎn)載。他甚至預測2019年與國際存儲器大廠(chǎng)的技術(shù)差距可拉近至半代，最晚于2020年趕上世界領(lǐng)先技術(shù)。

　　雖然暫時(shí)大陸半導體技術(shù)并未趕上韓國，但為防患于未然，SK海力士才會(huì )決定盡早防范未來(lái)可能的專(zhuān)利紛爭。韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。