臺積電與CEA-Leti合作推動(dòng)無(wú)光罩微影技術(shù)

　　為積極朝向22納米制程技術(shù)前進(jìn)，臺積電宣布與法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計畫(huà)，就半導體制造中的無(wú)光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作，這項計畫(huà)為期3年。日前曾傳出，由于經(jīng)濟前景不明，部分設備商延后22納米制程技術(shù)研發(fā)，臺積電此舉則希望更積極主動(dòng)推動(dòng)22納米無(wú)光罩微影技術(shù)。

　　這次臺積電參與的CEA-Leti IMAGINE研究計畫(huà)為期3年，所有參與這項計畫(huà)的公司都可取得無(wú)光罩微影架構供IC制造使用，也可以藉由設備商Mapper所提供的技術(shù)提高生產(chǎn)效率。這項研究計畫(huà)包涵了無(wú)光罩技術(shù)的設備評估、制像與制程整合、資料處理、原型制作與成本分析等多項技術(shù)。

　　臺積電研發(fā)副總孫元成表示，推動(dòng)具成本效益的微影技術(shù)，而發(fā)展無(wú)光罩微影技術(shù)即是潛在的解決方案之一。之前臺積電已宣布與Mapper一同開(kāi)發(fā)多重電子束微影技術(shù)，供22納米及更先進(jìn)的制程使用，這次藉由參與CEA-Leti的IMAGINE研究計畫(huà)，希望與半導體產(chǎn)業(yè)結盟，加速無(wú)光罩微影技術(shù)在IC制造領(lǐng)域的發(fā)展與推廣。

　　CEA-Leti總執行長(cháng)Laurent Malier也指出，微影技術(shù)是半導體產(chǎn)業(yè)的一項主要挑戰，未來(lái)采用無(wú)光罩的解決方案可提供彈性與得到機臺的成本優(yōu)勢，同時(shí)與設備商Mapper相結合，也看到了提升生產(chǎn)效率的可能性。這次臺積電的加入對IMAGINE研究計劃相當重要，從臺積電的角度，不僅可強化制造可行性的評估，同時(shí)重量級業(yè)者參加，也將帶領(lǐng)無(wú)光罩微影技術(shù)邁向發(fā)展進(jìn)程下一步，成為可運用在22納米制程的解決方案。

　　臺積電日前表示，目前Fab12 P4已經(jīng)導入機器設備，接下來(lái)將做為臺積電的研發(fā)總部，未來(lái)將投入28、22納米制程技術(shù)研發(fā)與先期量產(chǎn)工作。臺積電于45納米導入浸潤式微顯影(immersion lithography)也是與設備商ASML共同開(kāi)發(fā)的成果，而在22納米制程技術(shù)以下，臺積電除了與ASML共同合作深紫外光(EUV)解決方案，也尋求無(wú)光罩微顯影的解決方案。