盛美半導體首臺無(wú)應力拋光設備交付中國晶圓級先進(jìn)封裝龍頭企業(yè)客戶(hù)

盛美半導體設備公司，作為國際領(lǐng)先的半導體和晶圓級封裝設備供應商，近日發(fā)布公司新產(chǎn)品：適用于晶圓級先進(jìn)封裝應用(Wafer Level Advance Package)的無(wú)應力拋光(Stree-Free-Polish)解決方案。先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光（Ultra SFP ap）設計用于解決先進(jìn)封裝中，硅通孔（TSV）和扇出(FOWLP)應用金屬平坦化工藝中表層銅層過(guò)厚引起晶圓翹曲的問(wèn)題。

先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光技術(shù)來(lái)源于盛美半導體的無(wú)應力拋光技術(shù)(Ultra SFP)，該技術(shù)整合了無(wú)應力拋光(SFP)、化學(xué)機械研磨(CMP)、和濕法刻蝕工藝(Wet-Etch)。晶圓通過(guò)這三步工藝，在化學(xué)機械研磨和濕法刻蝕工藝前，采用電化學(xué)方法無(wú)應力去除晶圓表面銅層，釋放晶圓的應力。此外，電化學(xué)拋光液的回收使用，和先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光技術(shù)能顯著(zhù)的降低化學(xué)和耗材使用量，保護環(huán)境的同時(shí)降低設備使用成本。

盛美半導體設備公司董事長(cháng)王暉博士介紹：“我們在2009年開(kāi)發(fā)了無(wú)應力拋光技術(shù)，這一領(lǐng)先于時(shí)代的技術(shù)，隨著(zhù)先進(jìn)封裝硅通孔和扇出工藝的高速發(fā)展，對于環(huán)境保護和降低工藝運營(yíng)成本的需求日益增長(cháng)，為我們先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光工藝提供了理想的應用市場(chǎng)?！?/p>

盛美半導體同時(shí)宣布，在2019年第四季度已交付一臺先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光設備至中國晶圓級封裝龍頭企業(yè)。在2020年度這臺設備將在先進(jìn)封裝客戶(hù)端進(jìn)行測試和驗證，我們期待在2020年中完成設備的首輪測試驗證，并進(jìn)一步進(jìn)入客戶(hù)端量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行量產(chǎn)驗證，并完成客戶(hù)驗收。

無(wú)應力拋光技術(shù)可以被認為盛美半導體的電化學(xué)電鍍技術(shù)的一個(gè)反向技術(shù)，均基于電化學(xué)原理，晶圓被固定在夾具上旋轉，并與拋光電源相連接作為陽(yáng)極；同時(shí)電化學(xué)拋光液被噴射至晶圓表面，在電流作用下金屬離子從晶圓表面被去除。在硅通孔和扇出工藝應用中，先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光技術(shù)通過(guò)三步工藝，有效的解決其他工藝所引起的晶圓應力。在硅通孔工藝中，首先采用無(wú)應力拋光工藝去除表層的電鍍沉積后的銅層，保留0.2μm厚度；然后采用化學(xué)機械研磨工藝進(jìn)行平坦化將剩余銅層去除，停止至鈦阻擋層；最后使用濕法刻蝕工藝將暴露于表面的非圖形結構內鈦阻擋層去除，露出阻擋層下層的氧化層。在扇出工藝中的再布線(xiàn)層(RDL)平坦化應用中，同樣的工藝能夠被采用，用于釋放晶圓應力，去除表層銅層和阻擋層。

基于電化學(xué)拋光液和濕法刻蝕液能夠通過(guò)化學(xué)回收系統實(shí)時(shí)回收使用，先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光工藝能夠顯著(zhù)的節省工藝使用成本。此外化學(xué)回收系統也能夠集中收集從銅層中提取的高純度金屬，可以再次利用于其他應用中，提供可持續發(fā)展的環(huán)保解決方案。

先進(jìn)封裝級無(wú)應力拋光設備Ultra SFP ap 335，包括2個(gè)無(wú)應力拋光工藝腔，1個(gè)化學(xué)機械平坦化工藝腔，和2個(gè)濕法刻蝕兼清洗腔。工藝化學(xué)包括：電化學(xué)拋光液，銅研磨液，銅刻蝕液，和鈦刻蝕液。以上三種工藝均提供0.5μm/min以上的去除速率，片內均勻性(WIWNU)小于3%，以及片間均勻性(WTWNU)小于1.5%。