450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說(shuō),他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型,Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實(shí)現450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時(shí),極紫外(EUV)光刻設備也進(jìn)展順利,將在今年交付兩套新的系統。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/144581.htmASML在一份聲明中稱(chēng):“在客戶(hù)合作投資項目的支持下,我們已經(jīng)完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計,將在2015年交貨原型,并兼容2018年的量產(chǎn),當然如果整個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)得及的話(huà)。”
Intel在今年初展示了全球第一塊完整印刷的450毫米晶圓,跨過(guò)了里程碑式的一步,并隨后宣布將投資20億美元對俄勒岡州D1XFab工廠(chǎng)進(jìn)行擴建,預計2015年可建成并安裝450毫米晶圓生產(chǎn)設備。
歷史上每次擴大晶圓尺寸都會(huì )將可用面積增加30-40%,芯片成本也有相應的降低,300毫米過(guò)渡到450毫米同樣如此,所以為了使用更先進(jìn)的制造工藝和極紫外光刻技術(shù),450毫米晶圓勢在必行,但隨著(zhù)尺寸的增大,晶圓制造的難度也是指數級增長(cháng),因此450毫米晶圓提了很多年了,但至今仍然沒(méi)能投入實(shí)用。
(再次強調晶圓上那是右側人的投影不是缺一塊)
ASML的首批兩套NXE:3300B極紫外光刻系統將在今年第二、第三季度出貨并安裝,用于驗證極紫外光刻技術(shù)的可行性,為大規模制造做好準備。
ASMLNXE:3300B系統已經(jīng)斬獲了11個(gè)訂單,還有7個(gè)也保證采納。該系統已經(jīng)做到單次曝光13nm,并且有能力達到9nm,為半導體工藝進(jìn)軍個(gè)位數納米時(shí)代打下了基礎。
NXE:3300B系統在半年前的源功率只有11W,每小時(shí)最多產(chǎn)出7塊晶圓,三個(gè)月前提高到40W,如今已經(jīng)可以做到55W,每小時(shí)產(chǎn)出43塊晶圓,而最終目標是105W、69塊。
在此之前,Intel、臺積電、三星電子曾經(jīng)分別向ASML投資多達41億美元、14億美元、9.7億美元,共同推進(jìn)其加速研發(fā)450毫米晶圓和極紫外光刻技術(shù),受到刺激的ASML隨后耗資25億美元收購了關(guān)鍵的光學(xué)技術(shù)提供商Cymer,加快極紫外光刻進(jìn)展。
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