臺積電加入EIDEC聯(lián)盟

　　臺積電與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發(fā)次世代半導體制造技術(shù)為目標的EUVL基板開(kāi)發(fā)中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領(lǐng)軍，由11間日本企業(yè)共同出資設立，致力于研究深紫外線(xiàn)(EUV)微影技術(shù)。

　　目前EIDEC已經(jīng)和ASML等不少半導體大廠(chǎng)合作。其中包含在半導體市場(chǎng)占有率排行龍頭的英特爾(Intel)與老二三星電子(Samsung Electronics)，如今坐落第3的臺積電也決定加入，造就出半導體三強攜手合作的局面。

　　除了半導體廠(chǎng)外，日本國內也有不少感光材料廠(chǎng)和光罩廠(chǎng)加入EIDEC。其中JSR、信越化學(xué)工業(yè)、東京應化工業(yè)3間感光樹(shù)脂大廠(chǎng)的合計市場(chǎng)占有率就高達7成。大日本印刷及凸版印刷等各光罩廠(chǎng)的合計市場(chǎng)占有率也足足達到5成。

　　ASML預計在2012年度對市場(chǎng)導入微影技術(shù)量產(chǎn)機器。但目前作為半導體設計圖的光罩、感光材料和裝置均面臨開(kāi)發(fā)瓶頸，無(wú)法和其配合。瓶頸的原因之一，在于日本國內的半導體廠(chǎng)商尚未全面使用最新技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，導致周?chē)鷱S(chǎng)商也不敢冒然跨入次世代市場(chǎng)。

　　針對此問(wèn)題，EIDEC決定從6月中旬開(kāi)始集思廣益，讓將近40位來(lái)自各公司的頂尖工程師，齊聚在茨城縣筑波市的研究開(kāi)發(fā)中心進(jìn)行研發(fā)，目標是在2015年底前成功研發(fā)微影技術(shù)生產(chǎn)，并將該技術(shù)活用于NAND型快閃存儲器和系統芯片，提升自家半導體產(chǎn)品的性能與競爭力。EIDEC希望能集各家之長(cháng)打破現況，創(chuàng )造10納米的半導體制程技術(shù)。

　　東芝企圖在2013~2015年度開(kāi)始量產(chǎn)次世代的NAND型快閃存儲器，屆時(shí)微影技術(shù)生產(chǎn)將是不可或缺的一環(huán)。由于單獨進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)必須支付龐大的費用，所以東芝選擇和經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省合作，扮演EIDEC領(lǐng)導，為次世代半導體市場(chǎng)捉刀。