臺積電18寸晶圓廠(chǎng)投資啟動(dòng)

　　臺積電2011年資本支出將達78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競爭力為主，公司也在年關(guān)過(guò)后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠(chǎng)投資計劃，預計于2013年導入試產(chǎn)線(xiàn)，2015年以20納米開(kāi)始量產(chǎn)。

　　由于先進(jìn)制程客戶(hù)需求強勁，臺積電也指出，降低客戶(hù)成本，就可提高產(chǎn)品競爭力，相對的客戶(hù)下單量也會(huì )增加，進(jìn)一步就鞏固了臺積電的市占率。因此，臺積電率先啟動(dòng)18寸晶圓廠(chǎng)投資計劃，預料將以20納米導入，制程技術(shù)將超越英特爾的22納米，也成為繼英特爾之后，全球第2家投資18寸廠(chǎng)確定的半導體大廠(chǎng)。

　　此外，臺積電也和無(wú)線(xiàn)連接、定位與音訊平臺領(lǐng)導廠(chǎng)商CSR擴大合作關(guān)系，CSR已采用臺積電先進(jìn)的90納米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品，比上一代0.18微米制程技術(shù)與矽智財快2倍，非常符合可攜式通訊、智慧卡，和高速微控制器等應用的需求。

　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷(xiāo)資深副總經(jīng)理陳俊圣指出，此次與CSR的技術(shù)合作是臺積電促進(jìn)歐洲邏輯IC創(chuàng )新承諾的例證，臺積的90納米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)與矽智財支援高效能、低功耗和高密度記憶體，搭配本公司射頻CMOS制程，協(xié)助CSR推出新一代系統單晶片產(chǎn)品。

　　CSR營(yíng)運執行副總裁ChrisLadas強調，CSR和臺積電在這次90納米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)的密切合作，使得CSR維持領(lǐng)先開(kāi)發(fā)彈性、整合度高的SoC平臺，為消費性電子音訊應用提供杰出的系統效能和最小尺寸的競爭優(yōu)勢。