超越英特爾　臺積電調升資本支出至59億美元

　　看好半導體后市，晶圓代工廠(chǎng)臺積電加碼投資，在29日法說(shuō)會(huì )中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國三星電子(Samsung Electronics)的228.8億美元，董事長(cháng)張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(cháng)預估值上修至40%。

　　針對市場(chǎng)憂(yōu)慮晶圓廠(chǎng)積極擴充產(chǎn)能，將使得2011年有產(chǎn)能過(guò)剩的疑慮，張忠謀重申，臺積電向來(lái)是依客戶(hù)的需求擴充產(chǎn)能，而非先擴充產(chǎn)能才找客戶(hù)。張忠謀并指出，2010年全球半導體產(chǎn)值可望年增3成，維持先前預估不變，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(cháng)預估值自原預估的36%，上修至40%。

　　張忠謀表示，在59億美元的資本支出，其中58億美元用于投資晶圓廠(chǎng)，另外1億美元將用來(lái)投資新事業(yè)。他進(jìn)一步指出，用于投資晶圓廠(chǎng)的58億美元中，79%用來(lái)擴充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用來(lái)投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術(shù)，另外8%用于研發(fā)。

　　為加速擴充產(chǎn)能，臺積電2010年擴充竹科晶圓12廠(chǎng)(Fab12)與南科晶圓14廠(chǎng)(Fab14)兩座超大型晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能擴充，目前Fab12與Fab14合計月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過(guò)20萬(wàn)片約當12寸晶圓，預計年底將擴充至24萬(wàn)片。位于中科的12寸超大型晶圓廠(chǎng)(GIGAFAB)晶圓15廠(chǎng)(Fab15)也于7月中動(dòng)土，未來(lái)單月產(chǎn)能可望達到10逾萬(wàn)片。

　　臺積電財務(wù)長(cháng)何麗梅表示，臺積電第2季資本支出16.57億美元，累計上半年資本支出達31.01億美元。第2季總產(chǎn)能已擴增至274.9萬(wàn)片8寸約當晶圓，較第1季增加7.1%，下半年產(chǎn)能將持續擴增，預期第3季總產(chǎn)能將較第2季增加7%，第4季產(chǎn)能將再增加3.5%。

　　何麗梅指出，在加速產(chǎn)能擴充計畫(huà)后，2010年總產(chǎn)能將達1129.9萬(wàn)片8寸約當晶圓規模，將較2010年增加14%，增加幅度將較原預估的13%高。其中，先進(jìn)制程產(chǎn)能將增加36%，也將較原預估的35%高。

　　在新事業(yè)方面，張忠謀指出，臺積電日前投資太陽(yáng)能電池廠(chǎng)茂迪，2010年也宣布投資美商Stion，取得銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能技術(shù)，他也透露，位在中科規劃的CIGS薄膜太陽(yáng)能電池廠(chǎng)，預計于8月或9月動(dòng)工。另外新竹的LED廠(chǎng)，則預計于年底前開(kāi)始將設備進(jìn)廠(chǎng)。

　　針對鴻海投資臺灣的相關(guān)議題，張忠謀并未回應，不過(guò)他也強調，臺灣的投資環(huán)境絕對沒(méi)有變，而且臺積電在臺中、臺南、新竹都有投資計畫(huà)，另外還有LED廠(chǎng)與即將動(dòng)土的太陽(yáng)能廠(chǎng)。