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是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴張？
- 近年來(lái)，受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價(jià)格呈現出較大的波動(dòng)態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構的分析師都預測了半導體產(chǎn)能的短缺將持續整個(gè)2022年，甚至更長(cháng)。根據WSTS的數據分析，2022年全球存儲器件市場(chǎng)的規模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長(cháng)將會(huì )達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
- 關(guān)鍵字： 嵌入式存儲 X-FAB NVM
Dialog宣布其FusionHD? NOR閃存兼容并已在SmartBond?低功耗藍牙無(wú)線(xiàn)MCU平臺上認證
- 領(lǐng)先的電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業(yè)IC供應商 Dialog半導體公司 近日宣布，其收購Adesto Technologies后新增的產(chǎn)品FusionHD? NOR閃存完全兼容并可與Dialog的SmartBond? DA1469x低功耗藍牙（BLE）微控制器（MCU）搭配使用。采用該組合解決方案，客戶(hù)將能在廣泛的工業(yè)和聯(lián)網(wǎng)消費類(lèi)應用中部署最新的低功耗藍牙技術(shù)，同時(shí)將功耗控制在極低水平。Dialog半導體公司工業(yè)事業(yè)部副總裁Raphael Mehr
- 關(guān)鍵字： NVM BLE IC SNC
Dialog宣布其EcoXiP? Octal xSPI閃存兼容瑞薩高性能RZ/A2M微處理器
- 領(lǐng)先的電源管理、充電、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）技術(shù)供應商 Dialog半導體公司 今天宣布，其收購Adesto Technologies后新增的產(chǎn)品EcoXiP? octal xSPI非易失性存儲器（NVM）已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，將與瑞薩電子基于A(yíng)rm?的 RZ/A2M 微處理器（MPU）搭配使用。RZ/A2M是專(zhuān)為智能家電、服務(wù)機器人、工業(yè)機器等應用中的嵌入式AI高速圖像處理而設計，業(yè)內功耗最低的octal xSPI NOR閃存器件EcoXiP將
- 關(guān)鍵字： MPU BLE NVM DRP AI
東芝與MikroElektronika展開(kāi)合作，為電機驅動(dòng)IC開(kāi)發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動(dòng)IC的Click boards?開(kāi)發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開(kāi)發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻?hù)現在可通過(guò)由Mikroe制造和銷(xiāo)售的評估板Click boards?對東芝電機驅動(dòng)IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機驅動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無(wú)刷電機和步進(jìn)電機，東芝提供豐富的電機驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
Dialog推出首款針對電機驅動(dòng)應用的高壓GreenPAK? IC
- 高度集成電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）和工業(yè)IC供應商 近日宣布，推出其首款電機驅動(dòng)可配置混合信號IC（CMIC）SLG47105，該器件同時(shí)提供了可配置邏輯和可配置模擬的獨特優(yōu)勢，具有高電壓輸出，采用小型2 x 3 mm QFN封裝。SLG47105是被廣泛采用的Dialog GreenPAK產(chǎn)品系列的最新成員。該器件為設計工程師提供了更經(jīng)濟有效的一次非易失性存儲器（NVM）可編程選項，有助于其在設計消費和工業(yè)電機應用時(shí)，同時(shí)集成數字和模擬系統功能，并大幅地減少外部元件的
- 關(guān)鍵字： CMIC BOM NVM
KILOPASS推出適用于尖端SOC芯片的嵌入式邏輯非易失性?xún)却鍵P
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體邏輯非易失性?xún)却?NVM)知識產(chǎn)權模塊(IP)的供應商，Kilopass 科技公司，今天發(fā)布了業(yè)界第一也是迄今唯一一個(gè)4兆比特的非易失性?xún)却姘雽wIP--Gusto。Gusto是唯一足以?xún)Υ鎮鹘y上被存儲在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動(dòng)代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應用，包括移動(dòng)應用處理器和多媒體處理器，以及高安全性應用如移動(dòng)銀行和有條件接收，它都是理想的選擇。Kilopass已經(jīng)在三個(gè)頂級代工廠(chǎng)——IBM，TSMC和U
- 關(guān)鍵字： KILOPASS NVM IP
非易失性半導體存儲器的相變機制
- 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪(fǎng)存速度更快。 經(jīng)過(guò)研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現有閃存的技術(shù)能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來(lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節點(diǎn)的新式存儲器機制和材料。 目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
- 關(guān)鍵字： 恒憶 NVM 存儲器 浮柵存儲
中芯國際采用Virage Logic公司AEON嵌入式 MTP NVM
- 半導體業(yè)界值得信賴(lài)的 IP 合作伙伴 Virage Logic 公司和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)今日宣布了一項多次可編程 (MTP) 的非易失性存儲器 (NVM) 解決方案的射頻識別 (RFID) 優(yōu)化版本。該優(yōu)化射頻識別 (RFID) NVM解決方案，適用于無(wú)源電子標簽，正在中芯國際180納米 (nm) 低漏電 (LL) 工藝技術(shù)中開(kāi)發(fā)，能夠提供高性能射頻。 Virage Logic 公司的 AEON/MTP RFID 是基于標準的單柵邏輯 CMOS
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 MTP NVM RFID
嵌入式NVM提高電源管理的靈活性
- 嵌入式NVM提高電源管理的靈活性,熱門(mén)電子市場(chǎng)都有一個(gè)共同特點(diǎn)(例如RF、顯示驅動(dòng)、安全媒體和電源管理)：它們都在極短的市場(chǎng)窗口內運作，并競相推出各種增值的差異化產(chǎn)品來(lái)點(diǎn)燃實(shí)際的增長(cháng)。但是，它們也共享其它重要的屬性：具有許多應用、更具有成本效益或通過(guò)集成小計數位(small bit-count)多次編程非易失性存儲器(NVM)而提高了性能。此外，嵌入式NVM對提高可制造性、縮短上市時(shí)間及提高產(chǎn)品質(zhì)量有所貢獻。很顯然，嵌入式NVM是這些競爭異常激烈的市場(chǎng)的主要競賽贏(yíng)家。電源管理也不例外，但是，正如我們所看到
- 關(guān)鍵字： 管理 靈活性 電源 提高 NVM 嵌入式
華虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技術(shù)授權
- 上海，中國—圣何塞，加利福尼亞，3月24日，2008—賽普拉斯半導體公司（紐交所代碼：CY）和上海華虹NEC電子有限公司（華虹NEC）今天共同宣布， Cypress的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲器（NVM）技術(shù)已經(jīng)在華虹NEC獲得成功驗證。始于2006年12月的技術(shù)授權項目已經(jīng)順利完成。 與Cypress歷經(jīng)14個(gè)月的默契協(xié)作，華虹NEC完成了所有的新設備安裝、工藝轉移以及閃存模塊IP的設計，達到了對于Cypress相對較高的成品率，并且都通過(guò)了工藝驗證。Cypress
- 關(guān)鍵字： NVM
鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬
- 鐵電存儲器同時(shí)具備可存儲大量資料的動(dòng)態(tài)隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì )消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性?xún)r(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗數據、依據實(shí)驗數據得到的
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM NVM 存儲器
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