ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品

1 無(wú)線(xiàn)基站

羅姆（ROHM）針對無(wú)線(xiàn)基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。 

SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導通電阻比第2代平面型產(chǎn)品小50%，這使其非常適合需要高效率的大型服務(wù)器電源、UPS系統、太陽(yáng)能轉換器以及電動(dòng)汽車(chē)充電樁。SCT3系列以能更大限度提高開(kāi)關(guān)性能的4引腳封裝（TO-247-4L）（圖1右）形式提供。與傳統3引腳封裝類(lèi)型相比，開(kāi)關(guān)損耗最大可以減少35%，有助于在各種應用中降低功耗。此外，與傳統3引腳封裝SiC MOSFET中的柵極電壓因電源終端的電感元件而下降、導致開(kāi)關(guān)速度延遲不同的是，這種新型4引腳封裝包含的柵極驅動(dòng)器電源終端與傳統電源終端分離，可更大限度減少柵極電壓的下降，從而能夠大幅度提高開(kāi)關(guān)性能。

圖1 羅姆第3代溝槽柵型SiC MOSFET SCT3系列

2 80V工業(yè)應用

羅姆的耐高壓DC/DC轉換器輸入電壓達80V，輸出電流達3A,支持廣泛的工業(yè)應用。其中， BD9G341AEFJ-LB（圖2）內置80V耐壓3.5A額定電流、導通電阻150mΩ的功率MOSFET，還通過(guò)電流模式控制方式，實(shí)現了高速瞬態(tài)響應和簡(jiǎn)便的相位補償設定。頻率在(50～750)kHz的范圍內可變，內置低電壓誤動(dòng)作防止電路、過(guò)電流保護電路等保護功能。此外，可通過(guò)高精度的EN引腳閾值進(jìn)行低電壓鎖定，及使用外接電阻設定滯后。

圖2 羅姆耐高壓DC/DC轉換器BD9G341AEFJ-LB

3 48V汽車(chē)、工業(yè)與基站設備

此外，在羅姆高耐壓、同步整流降壓DC/DC轉換器產(chǎn)品中，BD9V101MUF-LB（圖3）采用了羅姆專(zhuān)有的超高速控制技術(shù)——Nano Pulse Control，開(kāi)關(guān)導通時(shí)間短，使用單芯片即可從48V轉換為3.3V（2.1MHz開(kāi)關(guān)頻率下）。DC/DC轉換器的單芯片化與使用2個(gè)芯片相比，可以大大減少包括外圍零件在內的零件數量，特別是頻率的提高，使線(xiàn)圈的大幅小型化成為可能。因此，不僅實(shí)現了應用的小型化、系統簡(jiǎn)化，還降低了成本。輕度混合動(dòng)力汽車(chē)自不必說(shuō)，在工業(yè)機器人、基站的輔助電源等采用48V電源系統驅動(dòng)的工業(yè)設備領(lǐng)域，有助于小型化和低成本化，有望進(jìn)一步在社會(huì )上得到推廣。

圖3 羅姆高耐壓、同步整流降壓DC/DC轉換器BD9V101MUF-LB

（本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年9月期）