超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

1   超結結構的高壓功率MOSFET

功率MOSFET的輸出電容C_oss會(huì )隨著(zhù)外加電壓VDS的變化而變化，表現出非線(xiàn)性的特性，超結結構的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對于傳統的平面結構，超結結構將P型體區下沉，這樣在其內部形成P柱，和N區非常寬的接觸面產(chǎn)生寬的耗盡層，也就是空間電荷區，空間電荷區形成的電場(chǎng)，也就是橫向電場(chǎng)，保證器件的耐壓；同時(shí)，原來(lái)N區漂移層就可以提高摻雜濃度，降低導通電阻。和標準MOSFET相比，橫向電場(chǎng)電荷平衡技術(shù)可以極大的減小硅片尺寸，得到更低的RDSON和更低的電容。^[2-4]

8月刊,四川大學(xué)計算機學(xué)院,萬(wàn)國半導體元件（深圳）有限公司應用中心

(a) 平面結構

(b) 超結結構

圖1 平面結構和超結結構的高壓功率MOSFET

2   超結結構的高壓功率MOSFET寄生電容形成

超結結構的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場(chǎng)建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區）過(guò)程中，N型漂移層兩側的空間電荷區邊界會(huì )向中心移動(dòng)，如圖2所示，隨著(zhù)VDS電壓的升高，兩側空間電荷區邊界會(huì )接觸碰到一起，然后向再下繼續移動(dòng)。在這個(gè)過(guò)程中，直接影響輸出電容C_oss和反向傳輸電容C_rss的主要參數有：漏極和源極、柵極和漏極相對的面積、形狀、厚度，以及相應的空間電荷區相對的距離。

(a) VDS電壓非常低

(b) VDS增加到電容突變電壓

(c) VDS處于電容突變電壓區

(d) VDS達到最大值

圖2 空間電荷區建立過(guò)程

VDS電壓低時(shí)，P柱結構周邊的空間電荷區厚度相對較小，而且空間電荷區沿著(zhù)P柱的截面發(fā)生轉折，相對的有效面積很大，如圖2(a)所示，因此輸出電容C_oss和反向傳輸電容C_rss的電容值非常大；VDS電壓提高，空間電荷區沿著(zhù)P柱的截面發(fā)生下移，當VDS電壓提高到某一個(gè)區間，兩側的空間電荷區相互接觸時(shí)，同時(shí)整體下移，電容的有效面積急劇降低， 同時(shí)空間電荷區厚度也急劇增加，因此Coss和Crss電容在這個(gè)VDS電壓區間也隨之發(fā)生相應的突變，產(chǎn)生非常強烈的非線(xiàn)性特性，如圖2(b) 和(c)所示；VDS電壓提高到更高的值，整個(gè)N區全部耗盡變?yōu)榭臻g電荷區空間，此時(shí)電容的有效面積降低到非常、非常小的最低時(shí)，如圖2(d)所示，輸出電容Coss也降低到非常、非常小的最低值。

在低電壓時(shí)，相對于柱結構和單元尺寸，空間電荷區厚度相對較小，P柱結構周邊，空間電荷區發(fā)生轉折，導致輸出電容的有效面積變大。這2種因素導致在低壓時(shí)，C_oss的值較大。VDS電壓升高時(shí)，如VDS=20 V，VDS=100 V，從圖3空間電荷區電場(chǎng)分布仿真圖可以看到，

空間電荷區的形狀開(kāi)始變化，首先沿著(zhù)補償的結構經(jīng)過(guò)波浪形的，然后進(jìn)入更低有效面積的水平電容，因此高壓的輸出電容降低到2個(gè)數量級以下。

C_rss和C_oss相似，電容曲線(xiàn)的突變正好發(fā)生在上面二種狀態(tài)過(guò)渡的轉變的過(guò)程。

(a) 20 V空間電荷區電場(chǎng)分布

(b) 100 V空間電荷區電場(chǎng)分布

圖3 空間電荷區電場(chǎng)分布

圖4展示了平面和超結結構高壓功率MOSFET的電容曲線(xiàn)，從圖中的曲線(xiàn)可以的看到，當偏置電壓VDS從0變化到高壓時(shí)，輸入電容C_iss沒(méi)有很大的變化，  C_oss 和 C_rss 在低壓的時(shí)候非常大，在高壓時(shí)變得非常小。在20~40 V的區間，產(chǎn)生急劇、非常大的變化。

圖4 平面和超結結構高壓功率MOSFET的電容

3   工藝對超結結構的高壓功率MOSFET寄生電容影響

新一代超結技術(shù)進(jìn)一步降低內部每個(gè)晶胞單元尺寸，對于同樣的導通電阻，降低內部晶胞單元尺寸可以降低硅片的尺寸，從而進(jìn)一步硅片的尺寸以及相關(guān)的寄生電容，器件就可以工作在更高頻率，采用更小的封裝尺寸，降低系統的成本。

內部的晶胞單元尺寸采用更小的尺寸，在更小的硅片面積實(shí)現以前的技術(shù)相同的或者更低的導通電阻，就必須要求漂移層N區電流路徑的摻雜濃度更高，內部會(huì )產(chǎn)生更高的橫向電場(chǎng)也就是更強烈的電荷平衡特性，保證內部空間電荷區獲得所要求的擊穿電壓；同時(shí)，內部結構中每個(gè)柱狀結構的高度對寬度的比值增加，上述的這些因素導致新一代技術(shù)的超結結構的高壓功率MOSFET的C_oss和C_rss的電容曲線(xiàn)的突變電壓區將降低到更低的電壓，寄生電容的非線(xiàn)性特性更為劇烈。

不同的工藝，轉折點(diǎn)的電壓不一樣，轉折點(diǎn)的電壓越低，電容的非線(xiàn)性特性越強烈，對功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性以及對系統的EMI影響也越強烈。采用以前技術(shù)的超結結構的輸出電容C_oss非線(xiàn)性特性的VDS電壓區間為40-60V，新一代的超結結構的輸出電容C_oss非線(xiàn)性特性的VDS電壓區間為20~30 V。電容Crss和電容Coss的下降發(fā)生在更低的電壓區間，這種效應在開(kāi)關(guān)過(guò)程形成更快的開(kāi)關(guān)速度，可以明顯的降低開(kāi)關(guān)損耗。Crss小，減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中電流和電壓的交越時(shí)間。

另外，因為功率MOSFET在關(guān)斷過(guò)程中，儲存在輸出電容C_oss能量將會(huì )在每一個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)通的過(guò)程中消耗在溝道中，新一代超結結構的功率MOSFET在高壓時(shí)輸出電容C_oss降低得更低，C_oss下降突變發(fā)生在更低的電壓區，儲存在輸出電容C_oss的能量Eoss等于輸出電容對VDS電壓在工作電壓范圍內的積分計算得到，因此，E_oss能量降低到更低的值，進(jìn)一步的降低硬開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗，特別是在輕載的時(shí)候，E_oss產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗的作用更加明顯，可以極大提高系統輕載的效率。^{[1] [5]}

然而，C_oss和C_rss這種效應在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，VDS電壓經(jīng)過(guò)這個(gè)電壓區間，將會(huì )產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，容易在驅動(dòng)的柵極和漏極產(chǎn)生電壓振蕩，形成過(guò)高的VGS、VDS過(guò)電壓尖峰，同時(shí)對系統EMI產(chǎn)生影響。

4   結論

1）超結結構的功率MOSFET內部P柱形成耗盡層及橫向電場(chǎng)過(guò)程中，耗盡層空間電荷區的形狀改變，導致影響輸出電容的極板面積和距離發(fā)生劇烈的改變，輸出電容具有強烈的非線(xiàn)性特性。

2）新一代超結技術(shù)采用更小晶胞單元尺寸，導致輸出電容轉折點(diǎn)電壓進(jìn)一步降低，對應的開(kāi)關(guān)損耗減低，同時(shí)輸出電容非線(xiàn)性特性進(jìn)一步加劇。

3）輸出電容非線(xiàn)性特性產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統EMI產(chǎn)生影響。

參考文獻：

[1] 劉松. 理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗[J].今日電子,2009(10):52-55.

[2] 劉松.超結型高壓功率MOSFET結構工作原理[J].今日電子, 2013(11):30-31.

[3] 劉松.功率MOSFET應用問(wèn)題分析提高篇[J].今日電子, 2015(2): 30-33.

[4] 劉松.功率MOSFET應用問(wèn)題分析基礎篇[J].今日電子, 2014(12): 43-46.

[5] 劉松.理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)[J].電子產(chǎn)品世界, 2019(4):62-65.

作者簡(jiǎn)介：

劉松，男，碩士，總監，主要從事開(kāi)關(guān)電源系統、電力電子系統和模擬電路的應用研究和開(kāi)發(fā)工作。獲廣東省科技進(jìn)步二等獎一項，發(fā)表技術(shù)論文60多篇。

（本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年8月期）