低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET--- SiRA99DP ，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET^?第四代 SiRA99DP 導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK^? SO-8單體封裝，專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度。

日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實(shí)現更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導通電阻乘積，即開(kāi)關(guān)應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數 (FOM) 為185 mW*nC，達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平。

器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開(kāi)關(guān)、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設備、服務(wù)器、工業(yè)PC和機器人的電機驅動(dòng)控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數量，換句話(huà)說(shuō)，加大單個(gè)器件電流，從而提高功率密度，節省這些應用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

這款MOSFET經(jīng)過(guò)RG和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。

SiRA99DP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為12周，視市場(chǎng)情況而定。