EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
vd-mosfet
vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
Vishay贊助的同濟大學(xué)電動(dòng)方程式車(chē)隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車(chē)設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車(chē)隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車(chē)大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車(chē)隊由100多名成員組成，致力于提高汽車(chē)速度和能效，同時(shí)為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車(chē)隊設計制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車(chē)，參加包括FSEC在內的國際大學(xué)生方程式汽車(chē)賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車(chē)隊以設計報告和直線(xiàn)加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jì)獲得本屆比
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學(xué)電動(dòng)方程式車(chē)隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車(chē)設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車(chē)隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車(chē)大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車(chē)隊由100多名成員組成，致力于提高汽車(chē)速度和能效，同時(shí)為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車(chē)隊設計制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車(chē)，參加包括FSEC在內的國際大學(xué)生方程式汽車(chē)賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車(chē)隊以設計報告和直線(xiàn)加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jì)獲得本屆比
- 關(guān)鍵字： MOSFET
GD32創(chuàng )新反電動(dòng)勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機
- 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱(chēng)“馬達”）是指依據電磁感應定律實(shí)現電能轉換或傳遞的一種電磁裝置，用來(lái)產(chǎn)生驅動(dòng)轉矩作為電器或各種機械的動(dòng)力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉速進(jìn)行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng )新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng )新型高精度反電動(dòng)勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業(yè)控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸等領(lǐng)域實(shí)現高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
哪些應用和技術(shù)會(huì )成為2021的熱點(diǎn)
- 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個(gè)充滿(mǎn)挑戰的新環(huán)境，疫情加速了許多本來(lái)就在進(jìn)行的趨勢，所有趨勢都潛藏著(zhù)一個(gè)一致的主題，那就是彈性?；ヂ?lián)網(wǎng)的應用比以前有了更大的發(fā)展和進(jìn)步。有很多人在網(wǎng)上訂購生活必需品送貨上門(mén)，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂(lè )幾乎超出了預期，被迫學(xué)習和適應相關(guān)的工具。幸運的是，通信和信息網(wǎng)絡(luò )的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò )使用量的增長(cháng)刺激了對這一關(guān)鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數據中心
- 關(guān)鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jì)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統應用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測試，可用于汽車(chē)感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數量簡(jiǎn)化設計。 在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著(zhù)升壓、續流二極管或主動(dòng)鉗位拓撲結構進(jìn)行構建。第四個(gè)選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET
簡(jiǎn)化汽車(chē)車(chē)身電機控制器設計，快速實(shí)現輕量化
- 無(wú)論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開(kāi)行李箱，車(chē)身電子設備系統都可使用電機來(lái)提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動(dòng)以及診斷與保護）帶來(lái)了新的技術(shù)性挑戰。德州儀器開(kāi)發(fā)的集成電路（IC）電機驅動(dòng)器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰，同時(shí)減小解決方案尺寸并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動(dòng)集成電路中
- 關(guān)鍵字： MOSFET
照明的光明未來(lái)
- 要有（電）燈！但誰(shuí)負責點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱(chēng)自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專(zhuān)利[[1]]。除了細絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數住宅和商業(yè)設施中
- 關(guān)鍵字： MOSFET
三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線(xiàn)
- 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著(zhù)中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
占空比的上限
- 開(kāi)關(guān)穩壓器使用占空比來(lái)實(shí)現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(cháng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
- 關(guān)鍵字： CCM TON MOSFET
iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢
- 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實(shí)現更高的電流操作，從
- 關(guān)鍵字： MOSFET
應用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設計考慮因素
- 開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負載瞬態(tài)響應。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著(zhù)與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達幾MHz。每個(gè)設計的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實(shí)現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
- 關(guān)鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC
宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準
- 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統、DC/DC轉換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機械人及無(wú)人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
- 關(guān)鍵字： MOSFET QRR QG
應用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎知識
- 為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線(xiàn)性模式下運行。這意味著(zhù)，當晶體管導通并傳導電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線(xiàn)性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪?shí)現90%以上的效率，而線(xiàn)性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著(zhù)功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
vd-mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條vd-mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
vd-mosfet電路
vd-mosfet相關(guān)帖子
vd-mosfet資料下載
vd-mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473