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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來(lái)越多的應用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進(jìn)行了輸出功率和開(kāi)關(guān)頻率比較。前言隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿澤開(kāi)始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線(xiàn)包括高度可靠的汽車(chē)級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽(yáng)能系統和ESS應用的快速開(kāi)關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統（ESS）這樣的快速開(kāi)關(guān)應用，還有助于提高太陽(yáng)能系統的額定功率和能效，并可滿(mǎn)足對1500 V DC-link太陽(yáng)能系統與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專(zhuān)為在整個(gè)功率因數（cos φ）范
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證
- 空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電
- 關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU
安森美半導體在A(yíng)PEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強其用于充滿(mǎn)挑戰的電動(dòng)車(chē) (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng)，必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò )，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
- 關(guān)鍵字： MOSFET
三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
- 英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門(mén)式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開(kāi)式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中，采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統的開(kāi)/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩地運轉，同時(shí)也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
- 關(guān)鍵字： 三星 MOSFET 英飛凌
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅動(dòng)高壓功率MOSFET的柵極，這類(lèi)MOSFET用于實(shí)現隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開(kāi)始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執行開(kāi)／關(guān)控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學(xué)器件但不具有用于執行開(kāi)關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時(shí)，通過(guò)將光伏耦合器與MOSFET結合使用，便
- 關(guān)鍵字： MOSFET SSR
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應用實(shí)現更高功率密度
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
- 關(guān)鍵字： Nexperia 低RDS(on) MOSFET
電子工程師必備！40個(gè)模擬電路小常識
- 隨著(zhù)半導體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門(mén)很基礎的課，對于學(xué)生來(lái)說(shuō)，獲得電子線(xiàn)路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習電子技術(shù)打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線(xiàn)反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線(xiàn)就顯得異常重要。2. 穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
- 關(guān)鍵字： 模電 三極管 MOSFET
IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線(xiàn)性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線(xiàn)鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
通過(guò)節省時(shí)間和成本的創(chuàng )新技術(shù)降低電源中的EMI
- 隨著(zhù)電子系統變得越來(lái)越密集并且互連程度越來(lái)越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進(jìn)度，浪費大量時(shí)間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問(wèn)題。開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 是現代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線(xiàn)性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET) 的開(kāi)關(guān)會(huì )產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來(lái)自不連續的輸入電流、開(kāi)關(guān)節
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET GaN
安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng )新，助力工業(yè)自動(dòng)化升級
- 工業(yè)自動(dòng)化簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)指從人力制造轉向機器人制造，涉及信息物理系統(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現經(jīng)濟增長(cháng)和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執行某些任務(wù)時(shí)的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動(dòng)化提供全面的高能效創(chuàng )新的半導體方案。其中，機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動(dòng)化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無(wú)刷直流電機(BLDC)控制器實(shí)現BLDC電機控制，如高
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC IoT IIoT
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