安森美半導體在A(yíng)PEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強其用于充滿(mǎn)挑戰的電動(dòng)車(chē) (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。

隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng)，必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò )，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面臨的挑戰。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內的驅動(dòng)電壓，易于用負門(mén)極電壓驅動(dòng)。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。

NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業(yè)應用的理想選擇，且嵌入的一個(gè)負溫系數 (NTC) 熱敏電阻有助于溫度監測。

新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動(dòng)車(chē)充電生態(tài)系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動(dòng)器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。

安森美半導體的 SiC MOSFET與新的模塊和門(mén)極驅動(dòng)器相輔相成，比類(lèi)似的硅器件提供更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能和增強的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，并減小系統尺寸和重量。

最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設計，結合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，使(RDS(on)*area) 的品質(zhì)因數 (FoM) 達到同類(lèi)最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場(chǎng)上采用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。

1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門(mén)極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動(dòng)車(chē)充電樁所需高頻工作的開(kāi)關(guān)損耗。

在 APEC 2021 期間，安森美半導體將展示用于工業(yè)應用的 SiC方案，并在展商研討會(huì )上介紹電動(dòng)車(chē)非車(chē)載充電方案。