Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證

空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。

Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電機驅動(dòng)和控制以及通用開(kāi)關(guān)。這款MOSFET器件能夠承受惡劣的空間環(huán)境，增強電源電路的可靠性，并以更高的性能滿(mǎn)足MIL-PRF19500/746的所有要求。

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來(lái)的衛星系統，也可作為現有系統的備用電源。

新器件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達87 MeV/mg/cm2的線(xiàn)性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）。在驗證測試中，器件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。

Microchip分立式產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“Microchip進(jìn)入耐輻射MOSFET市場(chǎng)，體現了我們致力于為客戶(hù)提供支持，為航空航天和國防OEM廠(chǎng)商和集成商提供高性能解決方案和持續供應的長(cháng)期承諾。除了公認的高質(zhì)量和可靠性外，M6 MRH25N12U3還為開(kāi)發(fā)人員提供價(jià)值定價(jià)選擇以及全面的應用支持?！?/p>

M6 MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國防和航天技術(shù)產(chǎn)品線(xiàn)。這些產(chǎn)品包括現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）、微處理器集成電路（IC）、線(xiàn)性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si電源解決方案的電源模塊。再搭配單片機（MCU）和模擬產(chǎn)品，Microchip能夠滿(mǎn)足大功率系統控制、門(mén)驅動(dòng)和功率級的需求，可為全球開(kāi)發(fā)者提供整體系統解決方案。

Microchip在不斷推出新技術(shù)的同時(shí)，還尋求與航天產(chǎn)品制造商和集成商合作，保障現有和未來(lái)系統供應鏈的安全。

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