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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
原廠(chǎng)MOSFET價(jià)格一年漲3倍：還會(huì )繼續漲價(jià)
- 相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價(jià)幅度超過(guò)3倍，而供貨周期也無(wú)限延長(cháng)。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業(yè)內人士認為下半年該產(chǎn)品依舊會(huì )漲價(jià)。芯研所7月24日消息，自2020年以來(lái)，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價(jià)格持續大漲。近日由于馬來(lái)西亞、臺灣等地區新冠肺炎疫情延燒，導致產(chǎn)能下降，在過(guò)去的一個(gè)月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠(chǎng)又再度將產(chǎn)品的價(jià)格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠(chǎng)年內訂單已全部排滿(mǎn)，各大MOSFET廠(chǎng)仍在不斷上調MOSFET價(jià)格。相比去年，
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使用IC采樣保持放大器
- 采樣保持(S/H)功能是數據采集和模數轉換過(guò)程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時(shí)傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個(gè)采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數應用中，S/H用作數據采集系統中模數轉換器的“前端”。這樣使用時(shí)，S/H主要用于在執行模數轉換所需的時(shí)間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來(lái)說(shuō)，S/H是數據轉換系統必須具備的系統功能模塊，所用的模數轉換器在進(jìn)行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類(lèi)型模數轉換器就是
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大聯(lián)大品佳集團推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案
- 大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統對于電源設計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著(zhù)能源法規不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿(mǎn)足需求，因此必須有新一代的架構設計來(lái)滿(mǎn)足現行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術(shù)推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術(shù)IC
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硅晶體管創(chuàng )新還有可能嗎？ 意法半導體超結MDmesh案例研究
- 前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來(lái)，半導體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進(jìn)展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒(méi)有這些技術(shù)進(jìn)步，在封城隔離期間我們就無(wú)不可能遠程辦公，與外界保持聯(lián)系?？傊?，沒(méi)有半導體的技術(shù)進(jìn)步，人類(lèi)就無(wú)法享受科技奇跡。舉個(gè)例子，處理器芯片運算能力的顯著(zhù)提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進(jìn)更多的晶體管。根據摩爾定律，晶體管密度每18個(gè)月左右就提高一倍，這個(gè)定律控制半導體微處理器迭代50多年?，F在，我們即將到達原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限，需要新的技術(shù)，例如，分層垂直堆疊技術(shù)。同時(shí)，我們
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貿澤與Vishay攜手推出全新電子書(shū)介紹汽車(chē)級電子元件的新應用
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書(shū)An Automotive Grade Above（推動(dòng)汽車(chē)電子進(jìn)一步發(fā)展），探討支持電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電、車(chē)載信息娛樂(lè )系統等各種汽車(chē)應用所需的高性能解決方案。在這本電子書(shū)中，來(lái)自貿澤和Vishay的行業(yè)專(zhuān)家就現代汽車(chē)設計中一些富有創(chuàng )新性的技術(shù)提出了深入的見(jiàn)解，這些技術(shù)包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)設計的光
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儲能領(lǐng)域蘊藏節能機會(huì ) ADI積極推動(dòng)節能減排
- ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術(shù)為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監測/ 風(fēng)機振動(dòng)監測、輸電環(huán)節的導線(xiàn)舞動(dòng)監測/ 導線(xiàn)覆冰監測/ 地質(zhì)災害監測、變電環(huán)節的變壓器振動(dòng)監測到配電環(huán)節故障指示以及用電環(huán)節的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數據中心和工廠(chǎng)，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動(dòng)汽車(chē)充電樁的大規模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統。ADI中國汽車(chē)技術(shù)市場(chǎng)?高級經(jīng)理 王星煒1? ?儲能系統B
- 關(guān)鍵字： 202107 MOSFET 儲能
超結高壓MOSFET驅動(dòng)電路及EMI設計
- 分析了超結結構功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線(xiàn)性產(chǎn)生更快開(kāi)關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅動(dòng)參數對開(kāi)關(guān)過(guò)程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動(dòng)電路開(kāi)關(guān)波形及開(kāi)關(guān)性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動(dòng)電路，實(shí)現優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動(dòng)電路的EMI測試結果。
- 關(guān)鍵字： 202106 超結 驅動(dòng) EMI 非線(xiàn)性 MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機驅動(dòng)。近年來(lái)，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)工作的要求。在這種背景下，
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia新8英寸晶圓線(xiàn)啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數80 V/100 V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質(zhì)因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
安森美半導體推出創(chuàng )新的超高密度離線(xiàn)電源方案
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專(zhuān)用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線(xiàn)電源方案集的新成員。在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現類(lèi)似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著(zhù)提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型，無(wú)論是超級結
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率器件的演變
- 隨著(zhù)世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車(chē)、暖通空調（HVAC）和工業(yè)驅動(dòng)更加電氣化，電力需求只會(huì )增加。在每個(gè)功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個(gè)電力基礎設施的負擔增加程度。在每個(gè)功率級，能效低會(huì )導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。更高能效的半導體意味著(zhù)更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
- 關(guān)鍵字： 202105 MOSFET
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著(zhù)節能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
東芝為電動(dòng)助力轉向打造電機驅動(dòng)系統核心
- 隨著(zhù)汽車(chē)電氣和電子系統設計日趨復雜化，汽車(chē)電子系統的安全性逐漸成為消費者與廠(chǎng)商衡量新一代汽車(chē)產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車(chē)功能是否安全，如何減少、規避駕駛過(guò)程中遇到的各類(lèi)風(fēng)險，如何做到汽車(chē)功能安全等問(wèn)題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車(chē)功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統故障而導致的不合理風(fēng)險。由于電子控制器失效的可預見(jiàn)性非常低，為了保證即使出現部分電子器件故障，汽車(chē)系統也能在短期（故障容錯時(shí)間內）內安全運行，需要進(jìn)行功能安全防護。
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET
碳化硅用于電機驅動(dòng)
- 0? ?引言近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(cháng)，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動(dòng)的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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