Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應用實(shí)現更高功率密度
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基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202105/425937.htmNexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil Massey評論道：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結合，后者因提供顯著(zhù)的電氣性能和熱性能而著(zhù)稱(chēng)。低RDS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中，從而提高功率密度，縮小器件管腳尺寸?！?/span>
這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm，具有領(lǐng)先的線(xiàn)性模式/安全工作區域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開(kāi)關(guān)工作。在1 ms、20 VDS的工作條件下，由于芯片和封裝的組合，SOA為35 A，而在10 ms、20 VDS的工作條件下，此時(shí)封裝將起主導作用，SOA為17 A。這些數據優(yōu)于競品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A，與其他競品不同的是，該值是測量得出的極限，而非理論上的極限。
憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢，設計人員能夠用一個(gè)新型LFPAK88替換兩個(gè)并行老式器件，從而簡(jiǎn)化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車(chē)規標準要求兩倍的可靠性，適合制動(dòng)、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉換器和電機控制應用。工業(yè)PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動(dòng)工具、電器、風(fēng)扇、電動(dòng)自行車(chē)、滑板車(chē)和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開(kāi)關(guān)應用。
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