車(chē)載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化

　　豐田汽車(chē)在“ICSCRM 2007”展會(huì )第一天的主題演講中，談到了對應用于車(chē)載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車(chē)等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化。

　　在汽車(chē)領(lǐng)域的應用是許多SiC半導體廠(chǎng)商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車(chē)上配備的障礙更大。該公司雖然沒(méi)有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前期，如果開(kāi)始在產(chǎn)業(yè)設備及民用設備上采用，那么，作為進(jìn)一步改善了成本及可靠性的下一個(gè)應用領(lǐng)域，我們將會(huì )考慮在汽車(chē)上配備”(濱田)，估計將目標定在了2011～2012年以后。

　　作為車(chē)載設備專(zhuān)用SiC半導體的開(kāi)發(fā)課題，該公司列舉了：SiC底板5英寸(約125mm)以上的大口徑化，常關(guān)(Normally Off)立式晶體管技術(shù)，可耐高溫環(huán)境的封裝技術(shù)。

　　如果將集團企業(yè)的研發(fā)成果也包括在內，那么，該公司就擁有涉及從SiC半導體晶體生成、到元器件及控制電路技術(shù)的多領(lǐng)域技術(shù)經(jīng)驗。作為實(shí)例，濱田介紹了借助將轉移缺陷密度比以前降低3～4位數的“RAF法”制作SiC底板的技術(shù)，以及載體移動(dòng)度高達244cm2/Vs的SiC-MOS FET等的開(kāi)發(fā)成果。不過(guò)，“必要的開(kāi)發(fā)工作，單靠本公司一家企業(yè)無(wú)法完成”，希望得到相關(guān)廠(chǎng)商的廣泛協(xié)助。